名古屋大学工学研究科電子工学専攻 天野・本田研究室

2025年

[1] Yuto Yamada, Takeru Kumabe, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Characterization of Quaternary AlxGa1−(x+y)InyN (x ≈ 0.5 and y ≤ 0.12) Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Growth Focusing on Unintentionally Incorporated Impurities", physica status solidi (b) Early View, DOI: 10.1002/pssb.202500028, (2025/3)

[2] Hiroki Toyoda, Woong Kwon, Hirotaka Watanabe, Ryoko Tsukamoto, Yuta Furusawa, Yuta Itoh, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Vertical GaN p–n diode with deeply etched mesas by contactless photo-electrochemical etching", Applied Physics Express, Vol. 18, No. 3, 036503, (2025/3)

[3] Mikiya Idei, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Quantum efficiency characteristics of low-threading-dislocation-density InGaN photocathode grown on GaN substrate", Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol. 43, Issue 3, 032202, (2025/3)

[4] Atsushi Kobayashi, Takuya Maeda, Toru Akiyama, Takahiro Kawamura, Yoshio Honda, "Sputter Epitaxy of Transition Metal Nitrides: Advances in Superconductors, Semiconductors, and Ferroelectrics", Phys. Status Solidi A 2400896, (2025/1)

[5] Woong Kwon, Yuta Itoh, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Fabrication of GaN vertical junction barrier Schottky diode by Mg diffusion from shallow N/Mg ion-implantation segment", Applied Physics Express, Vol. 18, No. 1, 016505, (2025/1)

2024年

[1] Jeong-Hwan Park, Markus Pristovsek, Dong-Pyo Han, Bumjoon Kim, Soo Min Lee, Drew Hanser, Pritesh Parikh, Wentao Cai, Jong-In Shim, Dong-Seon Lee, Tae-Yeon Seong, Hiroshi Amano, "InGaN-based blue and red micro-LEDs: Impact of carrier localization", Applied Physics Reviews, Vol. 11, Issue 4, 041427, (2024/12)

[2] Zhe Cheng, Zifeng Huang, Jinchi Sun, Jia Wang, Tianli Feng, Kazuki Ohnishi, Jianbo Liang, Hiroshi Amano, Ru Huang, "(Ultra)wide bandgap semiconductor heterostructures for electronics cooling", Applied Physics Reviews, Vol. 11, Issue 4, 041324, (2024/12)

[3] Nan Hu, Jeong-Hwan Park, Jia Wang, Hiroshi Amano, Markus Pristovsek, "Growth and Characterization of High Internal Quantum Efficiency Semipolar (101̅3) GaN-Based Light Emitting Diodes", ACS Applied Electronic Materials, Vol. 6, Issue 11, pp. 7960–7971, (2024/10)

[4] Jiabin Yan, Zhihang Sun, Li Fang, Yiqun Yan, Zheng Shi, Fan Shi, Chengxiang Jiang, Hoi Wai Choi, Hiroshi Amano, Yuhuai Liu, Yongjin Wang, "Light-Stimulated Artificial Synapses with Accelerating Photopic Adaption Based on III-Nitride Heterojunction Transistor", ACS Photonics, Vol. 11, Issue 10, pp. 4161–4169, (2024/9)

[5] Jeong-Hwan Park, Markus Pristovsek, Hiroshi Amano, Tae-Yeon Seong, "Recent advances in micro-pixel light emitting diode technology", Applied Physics Reviews, Vol. 11, Issue 2, 021319, (2024/6)

[6] Anna Honda, Hirotaka Watanabe, Wakana Takeuchi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, and Takeshi Kato, "Investigation of carbon-related complexes in highly C-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 63, No. 4, 041005, (2024/4)

[7] Yuta Arakawa, Kotaro Niimi, Yohei Otsuka, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "SEM imaging of high aspect ratio trench by selectively controlling the electron beam irradiation using photocathode", Metrology, Inspection, and Process Control XXXVIII, Vol. 12955, 1295534, (2024/4)

[8] Daiki Sato, Yuta Arakawa, Kotaro Niimi, Keika Fukuroi, Yutaro Tajiri, Atsushi Koizumi, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Local voltage contrast changes in MOSFET using scanning electron microscopy with photoelectron beam technology", Metrology, Inspection, and Process Control XXXVIII, Vol. 12955, 1295529, (2024/4)

[9] Kazuki Ohnishi, Kansuke Hamasaki, Shugo Nitta, Naoki Fujimoto, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Sn-doped n-type GaN freestanding layer: Thermodynamic study and fabrication by halide vapor phase epitaxy", Journal of Crystal Growth, Vol. 648, 127923, (2024/12)

[10] Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Chiaki Sasaoka, and Hiroshi Amano, "Experimental study of gain characteristics in relation to quantum-well width of deep ultraviolet laser diodes", Applied Physics Letters, Vol. 125, Issue 18, 183505, (2024/11)

[11] Xu Yang, Yuta Furusawa, Emi Kano, Nobuyuki Ikarashi, Hiroshi Amano, Markus Pristovsek, "Discovering the incorporation limits for wurtzite AlPyN1-y grown on GaN by metalorganic vapor phase epitaxy", Applied Physics Letters, Vol. 125, Issue 13, 132102, (2024/9)

[12] Jia Wang, Wentao Cai, Weifang Lu, Shun Lu, Emi Kano, Verdad C. Agulto, Biplab Sarkar, Hirotaka Watanabe, Nobuyuki Ikarashi, Toshiyuki Iwamoto, Makoto Nakajima, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Observation of 2D-magnesium-intercalated gallium nitride superlattices", Nature, Vol. 31, 67–72, https://doi.org/10.1038/s41586-024-07513-x, (2024/6)

[13] Bejoy Sikder, Toiyob Hossain, Qingyun Xie, John Niroula, Nitul S. Rajput, Koon Hoo Teo, Hiroshi Amano, Tomás Palacios, Nadim Chowdhury, "Hole transport mechanism at high temperatures in p-GaN/AlGaN/GaN heterostructure", Applied Physics Letters, Vol. 124, Issue 24, 243501, (2024/6)

[14] Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Hiroko Iguchi, Tetsuo Narita, Keita Kataoka, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Jun Suda, Hiroshi Amano, Tetsu Kachi, Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Yasuo Koide, "Impacts of vacancy complexes on the room-temperature photoluminescence lifetimes of state-of-the-art GaN substrates, epitaxial layers, and Mg-implanted layers", Journal of Applied Physics, Vol. 135, Issue 18, 185701, (2024/5)

[15] Takeru Kumabe, Akira Yoshikawa, Seiya Kawasaki, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Manabu Arai, Jun Suda, and Hiroshi Amano, "Demonstration of AlGaN-on-AlN p-n Diodes With Dopant-Free Distributed Polarization Doping", IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.71, Issue5, pp. 3396-3402, (2024/5)

[16] Seiya Kawasaki, Takeru Kumabe, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Manabu Arai, and Hiroshi Amano, "15 GHz GaN Hi–Lo IMPATT Diodes With Pulsed Peak Power of 25.5 W", IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 71, No. 3, pp. 1408-1415, (2024/3)

[17] Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yuto Ando, Kazuki Ohnishi, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Impacts of off-angle and off-direction on surface morphology of GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy on (0001) GaN substrate", Journal of Crystal Growth, Vol. 628, 127552, (2024/2)

[18] Kansuke Hamasaki, Kazuki Ohnishi, Shugo Nitta, Naoki Fujimoto, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Sn-doped n-type GaN layer with high electron density of 1020 cm−3 grown by halide vapor phase epitaxy", Journal of Crystal Growth, Vol. 628, 127529, (2024/2)

[19] Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Maki Kushimoto, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano, "Study on Degradation of Deep-Ultraviolet Laser Diode", physica status solidi (a), 2300946, (2024/2)

[20] Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Maki Kushimoto, Koji Aoto, Chiaki Sasaoka, and Hiroshi Amano, "Impact of unintentionally formed compositionally graded layer on carrier injection efficiency in AlGaN-based deep-ultraviolet laser diodes", Applied Physics Letters, Vol.124, Issue 6, 061109, (2024/2)

[21] Hisaya Nakagawa, Kosuke Hayashi, Atsuya Miyazawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Toru Aoki, and Takayuki Nakano, "Temperature Dependence of α-Particle Detection Performance of GaN PIN Diode Detector", Sensors and Materials, Vol. 36, No. 1, 169-176, (2024/1)

2023年

[1] Atsushi Kobayashi, Yoshio Honda, Takuya Maeda, Tomoya Okuda, Kohei Ueno and Hiroshi Fujioka, "Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering", Applied Physics Express, Vol. 17, No.1, 011002, (2023/12)

[2] Shin Ito, Shin-ichiro Sato, Michał S. Boćkowski, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Ken-ichi Yoshida, Hideaki Minagawa, Naoto Hagura, "Optical activation of praseodymium ions implanted in gallium nitride after ultra-high pressure annealing", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Volume 547, 165181, (2023/12)

[3] Yingying Lin, Jia Wang, Markus Pristovsek, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Anisotropic hole transport along [0001] and [11-20] direction in p-doped (10-10) GaN", Journal of Applied Physics, Vol. 134, Issue 23, 235701, (2023/12)

[4] Biplab Sarkar, Jia Wang, Oves Badami, Tanmoy Pramanik, Woong Kwon, Hirotaka Watanabe and Hiroshi Amano, "Ga-polar GaN Camel diode enabled by a low-cost Mg-diffusion process", Appled Physics Express, Vol. 16, No. 12, 121002, (2023/12)

[5] Takeru Kumabe, Seiya Kawasaki, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Hiroshi Amano,"Electron lifetime and diffusion coefficient in dopant-free p-type distributed polarization doped AlGaN", Applied Physics Letters, Vol. 123, Issue 25, 252101, (2023/12)

[6] Akira Yoshikawa, Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Koji Aoto, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano, "Using low-temperature growth to resolve the composition pulling effect of UV-C LEDs", Applied Physics Letters, Vol 123, Issue 22, 221105, (2023/11)

[7] Jeong-Hwan Park, Nan Hu, Mun-Do Park, Jia Wang, Xu Yang, Dong-Seon Lee, Hiroshi Amano and Markus Pristovsek, "Impact of graphene state on the orientation of III−nitride", Applied Physics Letters, Vol. 123, Issue 12, 121601, (2023/9)

[8] Seiya Kawasaki, Takeru Kumabe, Yuto Ando, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Manabu Arai, and Hiroshi Amano,"Junction Diameter Dependence of Oscillation Frequency of GaN IMPATT Diode Up to 21 GHz", IEEE Electron Device Letters, Vol. 44, Issue 8, pp. 1328-1331, (2023/8)

[9] Kotaro Takamure, Yasumasa Iwatani, Hiroshi Amano, Tetsuya Yagi, Tomomi Uchiyama, "Inactivation characteristics of a 280nm Deep-UV irradiation dose on aerosolized SARS-CoV-2", Environment International, Vol. 177, 108022, (2023/7)

[10] Woong Kwon, Seiya Kawasaki, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hirotaka Ikeda, Kenji Iso and Hiroshi Amano, "Reverse Leakage Mechanism of Dislocation-Free GaN Vertical p-n Diodes", IEEE Electron Device Letters, Vol. 44, No. 7, pp. 1172-1175, (2023/7)

[11] Takeru Kumabe, Seiya Kawasaki, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda and Hiroshi Amano, "Hole mobility limiting factors in dopant-free p-type distributed polarization-doped AlGaN", Applied Physics Letters, Vol. 122, 252107, (2023/6)

[12] Yingying Lin, Hadi Sena, Martin Frentrup, Markus Pristovsek, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Stress relaxation of AlGaN on nonpolar m-plane GaN substrate", Journal of Applied Physics, Vol. 133, Issue 22, 225702, (2023/6)

[13] Jeong-Hwan Park, Markus Pristovsek, Wentao Cai, Heajeong Cheong, Chang-Mo Kang, Dong-Seon Lee, Tae-Yeon Seong, and Hiroshi Amano, "Dislocation Suppresses Sidewall-Surface Recombination of Micro-LEDs", Laser & Photonics Reviews, Vol. 17, Issue 10, 2300199, (2023/6)

[14] Daisuke Inahara, Shunsuke Matsuda, Wataru Matsumura, Ryo Okuno, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Minagi Miyamoto, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Yoichi Yamada, "Investigation of Electrical Properties of N-Polar AlGaN/AlN Heterostructure Field-Effect Transistors", physica status solidi (a), Volume 220, Issue16, 2200871, (2023/5)

[15] Shun Lu, Manato Deki, Takeru Kumabe, Jia Wang, Kazuki Ohnishi, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Lateral p-type GaN Schottky barrier diode with annealed Mg ohmic contact layer demonstrating ideal current-voltage characteristic", Applied Physics Letters, Vol. 112, Issue 14, 142106, (2023/4)

[16] Jeong-Hwan Park, Markus Pristovsek, Wentao Cai, Heajeong Cheong, Atsushi Tanaka, Yuta Furusawa, Dong-Pyo Han, Tae-Yeon Seong, Hiroshi Amano, "Impact of sidewall conditions on internal quantum efficiency and light extraction efficiency of micro-LEDs", Advanced Optical Materials, Volume11, Issue10, 2203128, (2023/3)

[17] Kengo Nagata, Taichi Matsubara, Yoshiki Saito, Keita Kataoka, Tetsuo Narita, Kayo Horibuchi, Maki Kushimoto, Shigekazu Tomai, Satoshi Katsumata, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, and Hiroshi Amano, "A Review on the Progress of AlGaN Tunnel Homojunction Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes", Crystals, Vol. 13, Issue 3, 524, (2023/3)

[18] Chiaki Sasaoka, Yuji Ando, Hidemasa Takahashi, Nobuyuki Ikarashi, and Hiroshi Amano, "Metal stop laser drilling for blind via holes of GaN-on-GaN devices", Physica Status Solidi A, https://doi.org/10.1002/pssa.202200739, (2023/3)

[19] Shunta Harada, Taketo Nishigaki, Nobuko Kitagawa, Kotaro Ishiji, Kenji Hanada, Atsushi Tanaka & Kunihiro Morishima, "Development of high-resolution nuclear emulsion plates for synchrotron X-ray Topography observation of large-size semiconductor wafers", Journal of Electronic Materials, 52, 2951–2956, (2023/2)

[20] Saskia Schimmel, Daisuke Tomida, Tohru Ishiguro, Yoshio Honda, Shigefusa F. Chichibu, and Hiroshi Amano, "Temperature Field, Flow Field, and Temporal Fluctuations Thereof in Ammonothermal Growth of Bulk GaN—Transition from Dissolution Stage to Growth Stage Conditions", Materials, Vol.16, 2016, (2023/2)

[21] Wentao Cai, Jia Wang, Jeong-Hwan Park, Yuta Furusawa, Heajeong Cheong, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, and Hiroshi Amano, "Red emission from InGaN active layer grown on nanoscale InGaN pseudosubstrate"s, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.62, 020902, (2023/2)

2022年

[1] Shin-ichiro Sato, Shuo Li, Andrew D. Greentree, Manato Deki, Tomoaki Nishimura, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Brant C. Gibson, and Takeshi Ohshima, Photon extraction enhancement of praseodymium ions in gallium nitride nanopillars", Scientific Reports, Vol.12, 21208, (2022/12)

[2] Wentao Cai, Yuta Furusawa, Jia Wang, Jeong-Hwan Park, Yaqiang Liao, Hea-Jeong Cheong, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, and Hiroshi Amano, "High In content nitride sub-micrometer platelet arrays for long wavelength optical applications", Applied Physics Letters, Vol.121, 211105, (2022/11)

[3] Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Chiaki Sasaoka, Leo J. Schowalter, and Hiroshi Amano, "Key temperature-dependent characteristics of AlGaN-based UV-C laser diode and demonstration of room-temperature continuous-wave lasing", Applied Physics Letters, Vol.121, 222103, (2022/11)

[4] Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Leo J. Schowalter, and Hiroshi Amano, "Local stress control to suppress dislocation generation for pseudomorphically grown AlGaN UV-C laser diodes", Applied Physics Letters, Vol.121, 222101, (2022/11)

[5] Yuta Itoh, Shun Lu, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Atsushi Tanaka, and Hiroshi Amano, "Substitutional diffusion of Mg into GaN from GaN/Mg mixture", Applied Physics Express, Vol.15, Number11, 116505, (2022/11)

[6] Kazuki Ohnishi, Naoki Fujimoto, Shugo Nitta, Hirotaka Watanabe, Shun Lu, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Tuning the p-type doping of GaN over three orders of magnitude via efficient Mg doping during halide vapor phase epitaxy", Journal of Applied Physics, Vol.132, 145703, (2022/10)

[7] A. Kusaba, S. Nitta, K. Shiraishi, T. Kuboyama, and Y. Kangawa, "Beyond ab initio reaction simulator: An application to GaN metalorganic vapor phase epitaxy", Appl. Phys. Lett. 121, 162101, (2022/10)

[8] Saskia Schimmel, Michael Salamon, Daisuke Tomida, Steffen Neumeier, Tohru Ishiguro, Yoshio Honda, Shigefusa F. Chichibu, and Hiroshi Amano, "High-Energy Computed Tomography as a Prospective Tool for In Situ Monitoring of Mass Transfer Processes inside High-Pressure Reactors—A Case Study on Ammonothermal Bulk Crystal Growth of Nitrides including GaN", Materials, Vol.15, 6165, (2022/9)

[9] Aakash Jadhav, Takashi Ozawa, Ali Baratov, Joel T. Asubar, Masaaki Kuzuhara, Akio Wakejima, Shunpei Yamashita, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Biplab Sarkar, "An Accurate Approach to Develop Small Signal Circuit Models for AlGaN/GaN HEMTs using Rational Functions and Dependent Current Sources", IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol.10, pp. 797-807, (2022/9)

[10] Nan Hu, Geoffrey Avit, Markus Pristovsek, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Understanding indium incorporation of InGaN grown on polar, semi-polar, and non-polar orientation by metal–organic vapor phase epitaxy", Applied Physics Letters, Vol.121, 082106, (2022/8)

[11] Kazuki Ohnishi, Naoki Fujimoto, Shugo Nitta, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Surface kinetics in halide vapor phase epitaxial growth of GaN layers on GaN (0001) freestanding substrates", Journal of Crystal Growth, Vol.592, 126749, (2022/8)

[12] Takeru Kumabe, Seiya Kawasaki, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Space charge profiles and carrier transport properties in dopant-free GaN-based p-n junction formed by distributed polarization doping", Physica Status Solidi (RRL) - Rapid Research Letters, Vol.16, Issue7, 2200127, (2022/7)

[13] Atsushi Tanaka, Ryuji Sugiura, Daisuke Kawaguchi, Yotaro Wani, Hirotaka Watanabe, Hadi Sena, Yuto Ando, Yoshio Honda, Yasunori Igasaki, Akio Wakejima, Yuji Ando and Hiroshi Amano, "Laser Slice Thinning of GaN-on-GaN High Electron Mobility Transistors", Scientific Reports, Vol.12, 7363, (2022/5)

[14] Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, and Hiroshi Amano, "Continuous-wave lasing of AlGaN-based ultraviolet laser diode at 274.8 nm by current injection", Applied Physics Express, Vol.15, Number4, 041007, (2022/4)

[15] Jeong-Hwan Park, Wentao Cai, Heajeong Cheong, Yasuhisa Ushida, Da-Hoon Lee, Yuto Ando, Yuta Furusawa, Yoshio Honda, Dong-Seon Lee, Tae-Yeon Seong, and Hiroshi Amano, "The effect of dry etching condition on the performance of blue micro light-emitting diodes with reduced quantum confined Stark effect epitaxial layer", Journal of Applied Physics, Vol.131, Issue15, 153104, (2022/4)

[16] Jeong-Hwan Park, Markus Pristovsek, Wentao Cai, Heajeong Cheong, Takeru Kumabe, Dong-Seon Lee, Tae-Yeon Seong, Hiroshi Amano, "Interplay of sidewall damage and light extraction efficiency of micro-LEDs", Optics Letters, Vol.47, Issue9, pp. 2250-2253, (2022/4)

[17] Takeru Kumabe, Hirotaka Watanabe, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Regrowth-Free” fabrication of high-current-gain AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistor with N-p-n configuration", Applied Physics Express, Vol.15, Number4, 046506, (2022/4)

[18] Kengo Nagata, Satoshi Anada, Hiroshi Miwa, Shinichi Matsui, Shinya Boyama, Yoshiki Saito, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, and Hiroshi Amano, "Structural design optimization of 279 nm wavelength AlGaN homojunction tunnel junction deep-UV light-emitting diode", Applied Physics Express, Vol.15, Number4, 044003, (2022/4)

[19] Kengo Nagata, Satoshi Anada, Yoshiki Saito, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, Kazuo Yamamoto, Tsukasa Hirayama, and Hiroshi Amano, "Visualization of depletion layer in AlGaN homojunction p–n junction", Applied Physics Express, Volume15, 036504, (2022/2)

[20] Yuta Itoh, Hirotaka Watanabe, Yuto Ando, Emi Kano, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Atsushi Tanaka, Nobuyuki Ikarashi, and Hiroshi Amano, "Effect of beam current on defect formation by high-temperature implantation of Mg ions into GaN", Applied Physics Express, Volume 15, 021003, (2022/1)

2021年

[1] Nagasawa Yosuke, Kojima Kazunobu, Hirano Akira, Sako Hideki, Hashimoto Ai, Sugie Ryuichi, Ippommatsu Masamichi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Chichibu Shigefusa F., "Discrete wavelengths observed in electroluminescence originating from Al1/2Ga1/2N and Al1/3Ga2/3N created in nonflat AlGaN quantum wells", Journal of Physics D: Applied Physics, Volume 54, Issue 48, Article number 485107, (2021/12)

[2] Xie Mingyuan, Jiang Yan, Gao Xumin, Cai Wei, Yuan Jialei, Zhu Hongbo, Wang Yongjin, Zeng Xuefeng, Zhang Zhiyu, Liu Yuhuai, Amano Hiroshi, "Uniting a III-Nitride Transmitter, Waveguide, Modulator, and Receiver on a Single Chip", Advanced Engineering Materials, Volume 23, Issue 12, Article number 2100582, (2021/12)

[3] Sato Daiki, Shikano Haruka, Koizumi Atsushi, Nishitani Tomohiro, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, "Multiple electron beam generation from InGaN photocathode", Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics, Volume 39, Issue 6, Article number 062209, (2021/12)

[4] Shun Lu, Manato Deki, Jia Wang, Kazuki Ohnishi, Yuto Ando, Takeru Kumabe, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda and Hiroshi Amano, "Ohmic contact on low-doping-density p-type GaN with nitrogen-annealed Mg", Applied Physics Letters, Volume 119, Issue 24, 242104, (2021/12)

[5] Jia Wang, Shun Lu, Wentao Cai, Takeru Kumabe, Yuto Ando, Yaqiang Liao, Yoshio Honda, Ya-Hong Xie, Hiroshi Amano, "Ohmic contact to p-type GaN enabled by post-growth diffusion of magnesium", IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Volume 43, Issue 1, 150-153, (2021/11)

[6] Maki Kushimoto1, Ziyi Zhang, Yoshio Honda, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, and Hiroshi Amano, "Threshold increase and lasing inhibition due to hexagonal-pyramid-shaped hillocks in AlGaN-based DUV laser diodes on single-crystal AlN substrate", Japanese Journal of Applied Physics, Volume 61, Number 1, 010601, (2021/11)

[7] Kazuki Ohnishi, Seiya Kawasaki, Naoki Fujimoto, Shugo Nitta, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Vertical GaN p+-n junction diode with ideal avalanche capability grown by halide vapor phase epitaxy", Applied Physics Letters, Volume 119, Issue 15, 152102, (2021/10)

[8] Aakash Jadhav, Takashi Ozawa, Ali Baratov, Joel T. Asubar, Masaaki Kuzuhara, Akio Wakejima, Shunpei Yamashita, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Sourajeet Roy, and Biplab Sarkar, Modified Small Signal Circuit of AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using Rational Functions", IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Volume68, Number 12, 6059-6064, (2021/10)

[9] Qiang Ma, Shiyo Urano, Yuji Ando, Atsushi Tanaka, and Akio Wakejima, "Impact of SiN passivation film stress on electroluminescence characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors", Applied Physics Express, Volume14, 094008, (2021/9)

[10] Lutz Kirste, Karolina Grabianska, Robert Kucharski, Tomasz Sochacki, Boleslaw Lucznik and Michal Bockowski, "Structural Analysis of Low Defect Ammonothermally Grown GaN Wafers by Borrmann Effect X-ray Topography", materials, Volume 14, Issue 19, 5472, (2021/9)

[11] Atsushi Tanaka, Ryuji Sugiura, Daisuke Kawaguchi, Toshiki Yui, Yotaro Wani, Tomomi Aratani, Hirotaka Watanabe, Hadi Sena, Yoshio Honda, Yasunori Igasaki, and Hiroshi Amano, "Smart-cut-like laser slicing of GaN substrate using its own nitrogen", Scientific Reports, Volume 11, 17949, (2021/9)

[12] Nakano T., Mochizuki K., Arikawa T., Nakagawa H., Usami S., Honda Y., Amano H., Vogt A., Schütt S., Fiederle M., Kojima K., Chichibu S.F., Inoue Y., Aoki T., "Effective neutron detection using vertical-type BGaN diodes", Journal of Applied Physics, Volume 130, Issue 12, Article number 124501, (2021/9)

[13] Lee Da-Hoon, Lee Sang-Youl, Shim Jong-In, Seong Tae-Yeon, Amano Hiroshi," Effects of Current, Temperature, and Chip Size on the Performance of AlGaInP-Based Red Micro-Light-Emitting Diodes with Different Contact Schemes", ECS Journal of Solid State Science and Technolog, (2021/9)

[14] Cheng Z., Lu W., Shi J., Tanaka D., Protik N. H., Wang S., Iwaya M., Takeuchi T., Kamiyama S., Akasaki I., Amano H., Graham S., "Quasi-ballistic thermal conduction in 6H-SiC", Materials Today Physics, Volume 20, Article number 100462, (2021/9)

[15] Lee Da-Hoon, Seong Tae-Yeon, Amano Hiroshi, "Stable electrical performance of AlGaInP-based red micro-light emitting diode by controlling interfacial morphologies of metal contacts", Journal of Alloys and Compounds Volume 872, 15, 159629, (2021/8)

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[25]Yoann Robin, François Hemeret, Gillian D’Inca, Markus Pristovsek , Agnès Trassoudaine, and Hiroshi Amano:"Monolithic integration of tricolor micro-LEDs and color mixing investigation by analog and digital dimming",Japanese Journal of Applied Physics ,58 ,SCCC06 ,(2019/4)

[26]Shin-ichiro Sato, Manato Deki, Tohru Nakamura, Tomoaki Nishimura, Daniel Stavrevski, Andrew D. Greentree, Brant C. Gibson, and Takeshi Ohshima:"Photoluminescence properties of praseodymium ions implanted into submicron regions in gallium nitride",Japanese Journal of Applied Physics ,58 ,051011 ,(2019/4)

[27]A. Sandupatla, S. Arulkumaran, G.I. Ng, K. Ranjan, M. Deki, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano:"GaN drift-layer thickness effects in vertical Schottky barrier diodes on free-standing HVPE GaN substrates",AIP Advances ,9, 045007 ,10.1063/1.5087491 ,(2019/4)

[28]Duc V. Dinh, Hirioshi Amano, Markus Pristovsek:"Nonpolar m-plane AlxGa1-xN layers grown on m-plane sapphire by MOVPE",Journal of Crystal Growth ,Vol.512, 100 ,DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.020 ,(2019/4)

[29]Kneissl, M (Kneissl, Michael), Seong, TY (Seong, Tae-Yeon), Han, J (Han, Jung), Amano, H (Amano, Hiroshi):"The emergence and prospects of deep-ultraviolet light-emitting diode technologies",NATURE PHOTONICS ,Vol.13, No.4, 233 ,DOI: 10.1038/s41566-019-0359-9 ,(2019/4)

[30]E. A. Evropeitsev, Y. Robin, T. V. Shubina, S. Y. Bae, S. Nitta, D. A. Kirilenko, V. Y. Davydov, A. N. Smirnov, A. A. Toropov, M. Kushimoto, S. V. Ivanov, H. Amano: Narrow excitonic lines in core-shell nanorods with InGaN/GaN quantum wells intersected by basal stacking faults, Phys. Status Solidi B 2019, 1800648, 18 March 2019

[31]Zhibin Liu, Shugo Nitta, Shigeyoshi Usami, Yoann Robin, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, Markus Prostpvsek, Hiroshi Amano: Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy, Journal of Crystal Growth, Volume 509, Pages 50-53, 1 March 2019,

[32]Zhibin Liu, Shugo Nitta, Yoann Robin, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, Hiroshi Amano: Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation, Jornal of Crystal Growth, Volume 508, Pages 58-65,15 February 2019,

[33]Nan HU, Duc Van Dinh, Markus Pristovsek, Yoshio Honda, Hiroshi Amano: How to obtain metal-polar untwinned high-quality (10-13) GaN on m-plane sapphire, Journal of Crystal Growth,　vol.507, pp205-208, 2019/2/1

[34]Hayata Fukushima, Shigeyoshi Usami, Masaya Ogura, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano: Vertical GaN p–n diode with deeply etched mesa and the capability of avalanche breakdown, Applied Physics Express, vol.12, pp.2, 2019/2/1

[35]Jialei Yuan, Yan Jiang, Zheng Shi, Xumin Gao, Yongjin Wang, Xiaojuan Sun, Dabing Li, Yuhuai Liu, Hiroshi Amano: 286nm monolithic multicomponent system, Japanese Journal of Applied Physics 58, 010909, 2019

[36]Y. Robin, E. A. Evropeitsev, T. V. Shubina, D. A. Kirilenko, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, A. A. Toropov, I. A. Eliseyev, S. Y. Bae, M. Kushimoto, S. Nitta, S. V. Ivanov, H. Amano: Localization and transient emission properties in InGaN/GaN quantum wells of different polarities within core–shell nanorods, Nanoscale, 11, 193, 2019

[37]Y. Robin, E. A. Evropeitsev, T. V. Shubina, D. A. Kirilenko, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, A. A. Toropov, I. A. Eliseyev, S. Y. Bae, M. Kushimoto, S. Nitta, S. V. Ivanov, H. Amano: Localization and transient emission properties in InGaN/GaN quantum wells of different polarities within core–shell nanorods, Nanoscale, 11, 193, 2019

[38]Wei Cai, Jialei Yuan, Shuyu Ni, Zheng Shi, Weidong Zhou, Yuhuai Liu, Yongjin Wang, and Hiroshi Amano, GaN-on-Si resonant-cavity light-emitting diode incorporating top and bottom dielectric distributed Bragg reflectors, Applied Physics Express 12, 032004, 2019

[39]Mel Hainey Jr., Yoann Robin, Hiroshi Amano, Noritaka Usami: Pole figure analysis from electron backscatter diffraction—an effective method of evaluating fiber-textured silicon thin films as seed layers for epitaxy, Applied Physics Express 12, 025501, 2019

2018年

[1]Y. Robin, M. Pristovsek, H. Amano, F. Oehler, R. A. Oliver, C. J. Humphreys: What is red? On the chromaticity of orange-red InGaN/GaN based LEDs, Journal of Applied Physics, vol.124, pp.183102, 2018/11/9

[2]entaro Nagamatsu, Yuto Ando, Zheng Ye, Osmane Barry, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, Hiroshi Amano: Comparing high-purity c-and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy, Japanese Journal of Applied Physics, vol.57, pp.105501, 2018/8/30

[3]Koji Matsumoto, Toshiaki Ono, Yoshio Honda, Satoshi Murakami, Maki Kushimoto, Hiroshi Amano: Detailed study of effects of duration of pre-AlN-growth trimethylaluminum step on morphologies of GaN layers grown on silicon substrate by metal organic chemical vapor deposition, Japanese Journal of Applied Physics, vol.57,　pp.91001, 2018/8/3

[4]Yoann Robin, Yaqiang Liao, Markus Pristovsek, Hiroshi Amano: Simultaneous Growth of Various InGaN/GaN Core-Shell Microstructures for Color Tunable Device Applications, Phys. Status Solidi A 2018, vol.215, 1800361(article number), 2018/7/19

[5]Yoshihiro Ueoka, Manato Deki, Yoshio Honda, Hiroshi Amano: Improvement of breakdown voltage of vertical GaN p–n junction diode with Ga2O3 passivated by sputtering, Japanese Journal of Applied Physics, vol.57　(No.7), AP180205RC, 2018/5/31

[6]Ousmane I Barry, Kaddour Lekhal, Si-Young Bae, Ho-Jun Lee, Markus Pristovsek, Yoshio Honda, Hiroshi Amano: Reduction of Residual Impurities in Homoepitaxial m-Plane (10–10) GaN by Using N2 Carrier Gas in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Phys. Status Solidi RRL 2018, vol.12, Cover Picture1800124, 2018/5/16

[7]Y. Robin, S. Y. Bae, T. V. Shubina, M. Pristovsek, E. A. Evropeitsev, D. A. Kirilenko, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, A. A. Toropov, V. N. Jmerik, M. Kushimoto, S. Nitta, S. V. Ivanov, H. Amano: Insight into the performance of multi-color InGaN/GaN nanorod light emitting diodes, Scientific Reports/nature.com, vol.8, 7311(article number), 2018/5/9

[8]Shigeyoshi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoshihiro Sugawara, Yong-Zhao Yao, Yukari Ishikawa: Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate, Applied Physics Letters, vol.112, 182106, 2018/5/4

[9]Xu Yang, Shugo Nitta, Markus Pristovsek, Yuhuai Liu, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano: Interface amorphization in hexagonal boron nitride films on sapphire substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy, Applied Physics Express, vol.11, pp.51002, 2018/4/5

[10]Jeong-Tak Oh, Sang-Youl Lee, Yong-Tae Moon, Ji Hyung Moon, Sunwoo Park, Ki Yong Hong, Ki Young Song, Chanhyoung Oh, Jong-In Shim, Hwan-Hee Jeong, June-O Song, Hiroshi Amano, Tae-Yeon Seong: Light output performance of red AlGaInP-based light emitting diodes with different chip geometries and structures, Optics Express, Vol. 26, p.11194, 2018

[11]H Amano, Y Baines, E Beam, Matteo Borga , T Bouchet , Paul R Chalker , M Charles, Kevin J Chen, Nadim Chowdhury, Rongming Chu, Carlo De Santi, Maria Merlyne De Souza, Stefaan Decoutere, L Di Cioccio, Bernd Eckardt1, Takashi Egawa, P Fay, Joseph J Freedsman, L Guido, Oliver Häberlen, Geoff Haynes, Thomas Heckel, Dilini Hemakumara, Peter Houston, Jie Hu, Mengyuan Hua, Qingyun Huang, Alex Huang, Sheng Jiang, H Kawai, Dan Kinzer, Martin Kuball, Ashwani Kumar, Kean Boon Lee, Xu Li, Denis Marcon, Martin März, R McCarthy, Gaudenzio Meneghesso, Matteo Meneghini, E Morvan, A Nakajima, E M S Narayanan, Stephen Oliver, Tomás Palacios, Daniel Piedra, M Plissonnier, R Reddy, Min Sun, Iain Thayne, A Torres, Nicola Trivellin, V Unni, Michael J Uren, Marleen Van Hove, David J Wallis, J Wang, J Xie, S Yagi, Shu Yang, C Youtsey, Ruiyang Yu, Enrico Zanoni, Stefan Zeltner, Yuhao Zhang: The 2018 GaN power electronics roadmap, Journal of Physics D, Vol.51, p.163001, 2018

[12]Chuan Qin, Xumin Gao, Jialei Yuan, Zheng Shi, Yuan Jiang, Yuhuai Liu, Yongjin Wang, Hiroshi Amano: Transferrable monolithic multicomponent system for near-ultraviolet optoelectronics, Applied Physics Express, vol. 11, p. 051201, 2018

[13]Koji Matsumoto, Toshiaki Ono, Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Shigeyoshi Usami, Maki Kushimoto, Satoshi Murakami, Hiroshi Amano: Reduction of Dislocations in GaN on Silicon Substrate Using In Situ Etching, Physica Status Solidi B, Vol. 255, 1700387, 2018

[14]Atsushi Tanaka, Yuto Ando, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Heajeong Cheong, Barry Ousmane, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano: m-Plane GaN Schottky Barrier Diodes Fabricated With MOVPE Layer on Several Off-Angle m-Plane GaN Substrates, Physica Status Solidi A, Vol.215, 1700645, 2018

[15]Kiho Yamada, Yosuke Nagasawa, Shoko Nagai, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Ko Aosaki, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki: Study on the Main-Chain Structure of Amorphous Fluorine Resins for Encapsulating AlGaN-Based DUV-LEDs, Physica Status Solidi A, Vol.215, 1700525, 2018

[16]Duc V.Dinh, NanHu, YoshioHonda, HiroshiAmano, MarkusPristovsek: High-temperature thermal annealing of nonpolar (1 0 1¯ 0) AlN layers sputtered on (1 01¯ 0) sapphire, Journal of Crystal Growth, Vol. 498, 377, 2018

[7]Geoffrey Avit, Mohammed Zeghouane, Yamina André, Dominique Castelluci, Evelyne Gil, Si-Young Baé, Hiroshi Amano, Agnès Trassoudaine: Crystal engineering by tuning the growth kinetics of GaN 3-D microstructures in SAG-HVPE, CrystEngComm, Vol.20, 6207, 2018

[18]Masahiro Kashima, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Hokuto Iijima, Takashi Meguro: Analysis of negative electron affinity InGaN photocathode by temperature-programed desorption method, Journal of Vacuum Science & Technology B, 36, 06JK02, 2018

[19]Duc V.Dinh, Hiroshi Amano, MarkusPristovsek: MOVPE growth and high-temperature annealing of (101¯0) AlN layers on (101¯0) sapphire, Journal of Crystal Growth, Vol. 502, 14, 2018

[20]Zeghouane, M, Avit, G, Andre, Y, Bougerol, C, Robin, Y, Ferret, P, Castelluci, D, Gil, E, Dubrovskii, VG, Amano, H, Trassoudaine, A: Compositional control of homogeneous InGaN nanowires with the In content up to 90%, Nanotechnology, 30, 044001, 2018

[21]Zeghouane, M, Avit, G, Andre, Y, Bougerol, C, Robin, Y, Ferret, P, Castelluci, D, Gil, E, Dubrovskii, VG, Amano, H, Trassoudaine, A: Compositional control of homogeneous InGaN nanowires with the In content up to 90%, Nanotechnology, 30, 044001, 2018

[22] Atsushi Tanaka, Yuto Ando, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Heajeong Cheong, Barry Ousmane, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano: "m-Plane GaN Schottky Barrier Diodes Fabricated With MOVPE Layer on Several Off-Angle m-Plane GaN Substrates", physica status solidi a, vol215, Issue 9, 1700645, (2017/10 (2018/5))

[23] Xu Yang, Shugo Nitta, Kentaro Nagamatsu, Si-Young Bae, Ho-jun Lee, Yu-Huai Liu, Markus Pristovsek, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano: "Growth of hexagonal boron nitride on sapphire substrate by pulsed-mode metal-organic vapor phase epitaxy", Journal of Crystal Growth, Vol.482, 1-8, (2018/01)

[7] Xu Yang, Shugo Nitta, Kentaro Nagamatsu, Si-Young Bae, Ho-JunLee, Yuhuai Liu, Markus Pristovsek, Yoshio Honda, Hiroshi Amano: "Growth of hexagonal boron nitride on sapphire substrate by pulsed-mode metalorganic vapor phase epitaxy", Journal of Crystal Growth, Vol.482, pp.1-8, (2018/01)

2017年

[1] Koji Matsumoto, Toshiaki Ono, Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Shigeyoshi Usami, Maki Kushimoto, Satoshi Murakami, Hiroshi Amano: "Reduction of Dislocations in GaN on Silicon Substrate Using In Situ Etching", Phys. Status Solidi B, Vol.254 , 1700387, (2017/11)

[2] Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Kenji Shiraishi, Stanislaw Krukowski, Michal Bockowski, Koichi Kakimoto, and Hiroshi Amano: "DFT modeling of carbon incorporation in GaN(0001) and GaN(000-1) metalorganic vapor phase epitaxy", Applied Physics Letters, Vol.111, pp.141602/1-5, (2017/10)

[3] Liwen Sang, Bing Ren, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Atsushi Tanaka, Yujin Cho, Yoshitomo Harada, Toshihide Nabatame, Takashi Sekiguchi, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano: "Initial leakage current paths in the vertical-type GaN-on-GaN Schottky barrier diodes", Applied Physics Letters, Vol.111, pp.122102/1-5, (2017/09)

[4] H.Kawai, S.Yagi, S.Hirata, F.Nakamura, T.Saito, Y.Kamiyama, M.Yamamoto, H.Amano, V.Unni, and E.M.S.Narayanan: "Low cost high voltage GaN polarization superjunction field effect transistors", physica status solidi a, Vol.214 No.8, pp.1600834/1-10, (2017/08)

[5] Shigeyoshi Usami, Ryosuke Miyagoshi, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano: "Effect of dislocations on the growth of p-type GaN and on the characteristics of p–n diodes", physica status solidi a, Vol.214 No.8, pp.11600837/1-5, (2017/08)

[6] Atsushi Tanaka, Ousmane1 Barry, Kentaro Nagamatsu, Junya Matsushita, Manato Deki, Yuto Ando, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano: "Facet dependence of leakage current and carrier concentration in m-lane GaN Schottky barrier diode fabricated with MOVPE", physica status solidi a, vol.214, Issue 8, 1600829, (2017/7)

[7] Kentaro Nagamatsu, Shugo Nitta, Zheng Ye, Hirofumi Nagao, Shinichi Miki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano: "Decomposition of trimethylgalliumand adduct formation in ametalorganic vapor phase epitaxyreactor analyzed by high-resolution gasmonitoring system", Phys. Status Solidi B, Vol.254, Issue 8, 1600737, (2017/06)

[8] Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Ryuji Katayama, Shigeyuki Kuboya, Takashi Matsuoka, Yoshio Honda and Hiroshi Amano: "Absolute technique for measuring internal electric fields in InGaN/GaN light-emitting diodes by electroreflectance applicable to all crystal orientations", Applied Physics Express, Vol.10, pp.082101/1-4, (2017/06)

[9] Guangxu Ju, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, and Hiroshi Amano: "Role of threading dislocations in strain relaxation during GaInN growth monitored by real-time X-ray reflectivity", Applied Physics Letters, Vol.110, pp.262105/1-5, (2017/06)

[10] S.-Y.Bae, K.Lekhal, H.-J.Lee, T.Mitsunari, J.-W.Min, D.-S.Lee, M.Kushimoto, Y.Honda, H.Amano: "Selective-area growth of vertically oriented GaN nanostructures with a hafnium pre-orienting layer", Journal of Crystal Growth, Vol.468, pp.110-113, (2017/06)

[11] Ho-Jun Lee, Si-Young Bae, Kaddour Lekhal, Akira Tamura, Takafumi Suzuki, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano: "Orientation-controlled epitaxial lateral overgrowth of semipolar GaN on Si(001) with a directionally sputtered AlN buffer layer", Journal of Crystal Growth, Vol.468, pp.547-551, (2017/06)

[12] Ousmane I Barry, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Si-Young Bae, Kaddour Lekhal, Junya Matsushita, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano: "Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane (10(1)over-bar0) GaN homoepitaxial layers", Journal of Crystal Growth, Vol.468, pp.552-556, (2017/06)

[13] H.Iwata, H.Kobayashi, T.Kamiya, R.Kamei, H.Saka, N.Sawaki, M.Irie, Y.Honda, H.Amano: "Annealing effect on threading dislocations in a GaN grown on Si substrate", Journal of Crystal Growth, Vol.468, pp.835-838, (2017/06)

[14] Zheng Sun, Peifeng Song, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano: "A-plane GaN growth on (11-20) 4H-SiC substrate with an ultrathin interlayer", Journal of Crystal Growth, Vol.468, pp.866-869, (2017/06)

[15] Michiko Kaneda, Cyril Pernot, Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki: "Uneven AlGaN multiple quantum well for deep-ultraviolet LEDs grown on macrosteps and impact on electroluminescence spectral output", Japanese Journal of Applied Physics, Vol.56, pp.061002/1-9, (2017/06)

[16] Si-Young Bae, Kaddour Lekhal, Ho-Jun Lee, Jung-Wook Min, Dong-Seon Lee, Yoshio Honda, Hiroshi Amano: "Selective-area growth of doped GaN nanorods by pulsed-mode MOCVD: Effect of Si and Mg dopants", Phys. Status Solidi B, Vol.254, Issue 8, 1600722, (2017/04)

2025年

[1] 伊藤 慎、 佐藤 真一郎、 Michael Bockowski、 出来 真斗、 渡邉 浩崇、 新田 州吾、 吉田 謙一、 南川 英輝、 本田 善央、 天野 浩, "量子通信応用に向けた希土類添加pnダイオード作製の基礎検討", JST創発的研究支援事業 自発的な融合の場 第2回「材料への新規解析・計測手法の適用を目指した融合の場」（材料系融合の場）, 伊香保温泉旅館 ひびき野, 2-05, 2025/03/08

[2] 田中 敦之, "レーザを用いたGaN基板及びGaNデバイスのスライス", 応物結晶産学連携委員会第9回研究会, 明治大学, -, 2025/03/03

[3] 田中 敦之, "GaNパワーデバイスの最新動向と技術課題", 情報機構セミナー, オンライン, -, 2025/02/07

2024年

[1] 伊藤 佑太、 草場 彰、 渡邉 浩崇、 新田 州吾、 田中 敦之、 本田 善央、 寒川 義裕、 天野 浩, "GaN結晶中のMg拡散機構の解明：モンテカルロシミュレーションによる解析", 第53回結晶成長国内会議（JCCG-53）, 工学院大学新宿キャンパス, 18p-B06, 2024/11/18

[2] Kazuto Shibata、 Maki Kushimoto、 Yoshio Honda、 Hiroshi Amano, "MoOx thin film deposition by RF magnetron sputtering for anode contact structure in UV-C LEDUV-C LEDでのアノードコンタクト構造に向けRFマグネトロンスパッタにより成膜したMoOx薄膜の特性評価 ", 第43回電子材料シンポジウム（EMS）, グランドメルキュール奈良橿原, Th1-20 , 2024/10/03

[3] 新田 州吾, "高分解能質量分析による窒化物半導体MOVPEのその場気相反応", 第10回CIRFEシンポジウム エピタキシャル成長の量子論, 名古屋大学 オークマホール, -, 2024/09/27

[4] 高橋 一嘉、 山田悠斗、 渡邉 浩崇、 本田 善央、 天野 浩, "GaN/AlN共鳴トンネルダイオードのヘテロ界面急峻性の改善", 第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 朱鷺メッセ　新潟コンベンションセンター 他2会場/オンライン, 20a-A24-2, 2024/09/20

[5] 安藤 光佑、 西川 瞬、 櫻井 辰大、 川崎 晟也、 日野 正裕、 本田 善央、 天野 浩、 松本 倖汰、 伊藤 範和、 田中 岳利、 中原 健、 井上 翼、 青木 徹、 中野 貴之, "長波長中性子照射によるSi基板及びQST基板上に作製したBGaN検出器の中性子検出特性評価", 第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 朱鷺メッセ　新潟コンベンションセンター 他2会場/オンライン, 20a-A24-5, 2024/09/20

[6] 横井 創吾、 宇佐美 茂佳、 今西 正幸、 隅 智亮、 滝野 淳一、 岡山 芳央、 伊藤 瞭太、 秦 雅彦、 田中 敦之、 本田 善央、 天野 浩、 丸山 美帆子、 吉村 政志、 森 勇介, "高キャリア濃度OVPE-GaNの電気化学エッチングに関する特性", 第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 朱鷺メッセ　新潟コンベンションセンター 他2会場/オンライン, 19a-C42-4, 2024/09/19

[7] 井口 紘子、 堀田 昌宏、 片岡 恵太、 成田 哲生、 渡邉 浩崇、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩、 須田 淳, "イオン注入により形成されるドナー型欠陥の起源解明に向けた低ドーズAlイオン注入GaNの実効ドナー密度の深さ方向分布の評価", 第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 朱鷺メッセ　新潟コンベンションセンター 他2会場/オンライン, 19a-C41-5, 2024/09/19

[8] 山田 悠斗、 隈部 岳瑠、 渡邉 浩崇、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩, "窒化物四元混晶AlGaInNのMOVPE成長におけるInNモル分率の制御", 第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 朱鷺メッセ　新潟コンベンションセンター 他2会場/オンライン, 18a-C42-5, 2024/09/18

[9] 出射 幹也、 佐藤 大樹、 小泉 淳、 西谷 智博、 本田 善央、 天野 浩, "異なるアルカリ金属を用いたInGaNフォトカソードの電子放出特性", 第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 朱鷺メッセ　新潟コンベンションセンター 他2会場/オンライン, 17a-D63-5, 2024/09/17

[10] Verdad C. Agulto、 Toshiyuki Iwamoto、 Kosaku Kato、 Jia Wang、 Hiroshi Amano、 Makoto Nakajima, "Enhanced Hole Conductivity in Magnesium-Intercalated GaN Superlattice Probed by Terahertz Time-Domain Ellipsometry", 第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 朱鷺メッセ　新潟コンベンションセンター 他2会場/オンライン, 17a-B2-2, 2024/09/17

[11] 本田 善央、 隈部 岳瑠、 久志本 真希、 天野 浩, "分布型分極ドーピングを用いたAlGaN系縦型p-nダイオードの特性評価", 第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 朱鷺メッセ　新潟コンベンションセンター 他2会場/オンライン, 17p-C42-11, 2024/09/17

[12] 李 太起、 吉川 陽、 隈部 岳瑠、 杉山 聖、 新井 学、 須田 淳、 天野 浩, "MOVPE 法で成膜したAlN 基板上の格子整合AlN/GaN HEMT の動作実証", 第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 朱鷺メッセ　新潟コンベンションセンター 他2会場/オンライン, 16p-A22-16, 2024/09/16

[13] 宇佐美 茂佳、 伊藤 佑太、 香川 美幸、 横井 創吾、 田中 敦之、 滝野 淳一、 隅 智亮、 今西 正幸、 伊藤 瞭太、 秦 雅彦、 吉村 政志、 岡山 芳央、 本田 善央、 天野 浩、 森 勇介, "OVPE法を用いたMgイオン注入GaNの大気圧活性化手法の提案", 第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 朱鷺メッセ　新潟コンベンションセンター 他2会場/オンライン, 16p-A22-10, 2024/09/16

[14] Zazuli Hiyama Aina、 藤井 開、 仁ノ木 亮祐、 平田 靖晃、 木本 大星、 倉井 聡、 岡田 成仁、 田中 敦之、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩、 山田 陽一, "N極性GaN/AlGaN/AlN高電子移動度トランジスタのリーク電流が絶縁破壊電圧に及ぼす影響", 第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 朱鷺メッセ　新潟コンベンションセンター 他2会場/オンライン, 16p-A22-4, 2024/09/16

[15] 權 熊、 伊藤 佑太、 田中 敦之、 渡邉 浩崇、 本田 善央、 天野 浩, "N/Mgイオン注入法を用いた縦型GaN ジャンクションバリアショットキーダイオードの作製及び電気特性評価", 第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 朱鷺メッセ　新潟コンベンションセンター 他2会場/オンライン, 16p-A22-7, 2024/09/16

[16] 小久保 瑛斗、 渡邉 浩崇、 出来 真斗、 田中 敦之、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩, "GaN/AlGaN/GaNダブルヘテロ構造の縦型PND構造におけるアバランシェ降伏の確認", 第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 朱鷺メッセ　新潟コンベンションセンター 他2会場/オンライン, 16p-A22-18, 2024/09/16

[17] 本田 善央、 古澤 優太、 田中 敦之、 塚本 涼子、 宮崎 敦嗣、 坊山 晋也、 奥野 浩司、 斎藤 義樹、 嶋 紘平、 秩父 重英、 石黒 永孝、 竹内 哲也、 久志本 真希、 天野 浩, "エミッション顕微鏡を用いたUV-C LEDにおける中長期劣化の観察", 第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 朱鷺メッセ　新潟コンベンションセンター 他2会場/オンライン, 16p-A21-12, 2024/09/16

[18] 隈部 岳瑠、 吉川 陽、 川崎 晟也、 久志本 真希、 本田 善央、 新井 学、 須田 淳、 天野 浩, "分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの作製", 第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 朱鷺メッセ　新潟コンベンションセンター 他2会場/オンライン, 16p-A22-12, 2024/09/16

[19] 冨田 大輔、 Saskia Schimmel、 本田 善央、 天野 浩、 嶋 紘平、 石黒 徹、 秩父 重英、 斉藤 真、 栗本 浩平、 包 全喜, "超臨界アンモニアを用いた窒化物材料の作製", 日本セラミックス協会 第37回秋季シンポジウム, 名古屋大学東山キャンパス, 2E01, 2024/09/11

[20] 本田 善央、 渡邉 浩崇、 新田 州吾、 宇佐美 茂佳、 川崎 晟也、 濱崎 乾輔、 大西 一生、 久志本 真希、 隈部 岳瑠、 出来 真斗、 田中 敦之、 天野 浩, "GaN系パワーデバイスのための結晶成長技術", ワイドギャップ半導体学会 特別公開シンポジウム, 広島コンベンションホール/オンライン, -, 2024/09/05

[21] 田中 敦之, "GaNパワーデバイスの最新動向と技術課題", S&T出版セミナー, オンライン, ST240717, 2024/07/17

[22] 隈部 岳瑠、 吉川 陽、 川崎 晟也、 久志本 真希、 本田 善央、 新井 学、 須田 淳、 天野 浩, "分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証", 電気学会 C部門 電子デバイス研究会, サニー南神田ビル サニー会議室/オンライン, EDD-24-033, 2024/07/05

[23] 隈部 岳瑠、 吉川 陽、 川崎 晟也、 久志本 真希、 本田 善央、 新井 学、 須田 淳、 天野 浩, "分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証", 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM）, 関西学院大学 大阪梅田キャンパス, -, 2024/06/21

[24] 田中 敦之, "GaNウェハのレーザスライシング技術", SiC,GaN加工技術セミナー2024, オンライン, -, 2024/06/12

[25] 伊藤 佑太、 竹田 晶哉、 渡邉 浩崇、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 田中 敦之、 天野 浩, "選択的Mgドーピング実現に向けたMOVPE MgドープGaN層を拡散源とするMg熱拡散", 第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 高知県立県民文化ホール, Th-P07, 2024/05/30

[26] 豊田 拓輝、 權 熊、 川崎 晟也、 古澤 優太、 塚本 涼子、 本田 善央、 天野 浩, "ミリ波GaN IMPATTダイオード作製に向けた光化学(PEC)エッチングプロセスの開発と電気的特性評価", 第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 高知県立県民文化ホール, Fr-P07, 2024/05/31

[27] 古川 遼、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩, "飛行時間型質量分析計によるGaN成長雰囲気でのTMGa分解におけるNH3の反応解析", 第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 高知県立県民文化ホール, Fr-P26, 2024/05/31

[28] 笹岡 千秋、 張 梓懿、 吉川 陽、 久志本 真希、 本田 善央、 天野 浩, "AlN基板上に作製したUV-C CWレーザーダイオード", 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE) 30周年記念特別研究会, 沖縄県青年会館, -, 2024/05/28

[29] 鄭 恵貞、 Park Jeong Hwan、 Pristovsek Markus、 Kown Woong、 天野 浩, "マイクロLEDの外部量子効率向上に向けたSiN中間膜の影響", 第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン, 25a-P03-4, 2024/03/25

[30] 秩父 重英、 嶋 紘平、 奥野 浩司、 大矢 昌輝、 齋藤 義樹、 本田 善央、 天野 浩、 石黒 永孝、 竹内 哲也, "275 nm帯AlGaN量子井戸LEDの初期劣化機構(II)", 第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン, 24p-61C-10, 2024/03/24

[31] 久志本 真希 、 本田 善央 、 天野 浩, "深紫外 AlGaN 系発光デバイスの技術進展: UVC-LD,深紫外 LED コンタクト層開発", 第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン, 24p-61C-6, 2024/03/24

[32] 伊藤 佑太、 權 熊、 川崎 晟也、 渡邉 浩崇、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 田中 敦之、 天野 浩, "貫通転位密度の異なる自立 GaN 基板上にN/Mg イオン注入により作製した p-n 接合ダイオードの電気特性", 第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン, 24a-52A-5, 2024/03/24

[33] 小久保 瑛斗、 渡邉 浩崇、 出来 真斗、 田中 敦之、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩, "フリーホイールダイオードを内蔵したソース接続分極超接合トランジスタの飽和電流増加構造の検討", 第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン, 24p-52A-13, 2024/03/24

[34] 豊田 拓輝、 川崎 晟也、 古澤 優太、 塚本 涼子、 本田 善央、 天野 浩, "ミリ波GaN IMPATTダイオード作製に向けた光化学(PEC)エッチングプロセスの開発", 第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン, 24p-52A-4, 2024/03/24

[35] 權 熊、 伊藤 佑太、 川崎 晟也、 渡邉 浩崇、 田中 敦之、 本田 善央、 天野 浩, "高温熱処理がn-GaNショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性に与える影響", 第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン, 24a-52A-6, 2024/03/24

[36] 林 侑介、 藤平 哲也、 隅谷 和嗣、 今井 康彦、 木村 滋、 宇佐美 茂佳、 今西 正幸、 森 勇介、 分島 彰男、 渡邉 浩崇、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩、 酒井 朗, "OVPE-GaN基板上縦型パワーデバイスのその場ナノビームX線回折", 第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン, 24a-52A-2, 2024/03/24

[37] 古橋 優、 石井 達也、 宇佐美 茂佳、 森 勇介、 渡邉 浩崇、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩、 加藤 正史, "HVPE基板およびOVPE基板上GaNエピ層の特性評価", 第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン, 24a-52A-1, 2024/03/24

[38] 櫻井 辰大、 安藤 光佑、 工藤 涼兵、 川崎 晟也、 都木 克之、 西澤 潤一、 日野 正裕、 本田 善央、 天野 浩、 井上 翼、 青木 徹、 中野 貴之, "長波長中性子ビームを用いたBGaN検出器の中性子検出特性評価", 第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン, 23p-P01-7, 2024/03/23

[39] 工藤 涼兵、 櫻井 辰大、 小久保 瑛斗、 川崎 晟也、 都木 克之、 西澤 潤一、 岸下 徹一、 櫻井 良憲、 八島 浩、 牧野 高紘、 大島 武、 本田 善央、 天野 浩、 井上 翼、 青木 徹、 中野 貴之, "耐環境性向上を目指した低 B 組成 BGaN 中性子検出器の作製と評価", 第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン, 23p-P01-6, 2024/03/23

[40] 張 梓懿、 久志本 真希、 吉川 陽、 青戸 孝至、 Schowalter Leo J.、 笹岡 千秋、 天野 浩, "単結晶AIN基板を用いた深紫外波長域レーザーダイオード", 第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン, 23p-11E-1, 2024/03/23

[41] 隈部 岳瑠、 吉川 陽、 川崎 晟也、 久志本 真希、 本田 善央、 新井 学、 須田 淳、 天野 浩, "分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証", 第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン, 23a-21C-3, 2024/03/23

[42] 渡邉 浩崇、 新田 州吾、 藤元 直樹、 川崎 晟也、 隈部 岳瑠、 本田 善央、 天野 浩, "GaN MOVPE成長における炉内圧力がTMGa分解と結晶中のC取り込みに及ぼす効果", 第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン, 23a-21C-9, 2024/03/23

[43] 濵﨑 乾輔、 大西 一生、 新田 州吾、 藤元 直樹、 渡邉 浩崇、 本田 善央、 天野 浩, "低抵抗n型GaN基板作製に向けた高濃度Sn添加GaNのHVPE成長", 第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン, 23p-21C-6, 2024/03/23

[44] 秩父 重英、 嶋 紘平、 上殿 明良、 石橋 章司、 田中 亮、 高島 信也、 上野 勝典、 江戸 雅晴、 渡邉 浩崇、 本田 善央、 須田 淳、 天野 浩、 加地 徹、 生田目 俊秀、 色川 芳宏、 小出 康夫, "GaN成長層･Mgイオン注入層の室温フォトルミネッセンス寿命 (II)", 第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン, 22p-21C-16, 2024/03/22

[45] 秩父 重英、 嶋 紘平、 上殿 明良、 石橋 章司、 田中 亮、 高島 信也、 上野 勝典、 江戸 雅晴、 渡邉 浩崇、 本田 善央、 須田 淳、 天野 浩、 加地 徹、 生田目 俊秀、 色川 芳宏、 小出 康夫, "GaN成長層･Mgイオン注入層の室温フォトルミネッセンス寿命 (III)", 第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン, 22p-21C-17, 2024/03/22

[46] 李 熙根、 出来 真斗、 陸 順、 渡邉 浩崇、 藤元 直樹、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩, "FG構造を用いたGaN-MOSキャパシタのフラットバンド電圧シフト", 第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス/オンライン, 22p-P04-11, 2024/03/22

[47] 川崎 晟也、 隈部 岳瑠、 出来 真斗、 渡邉 浩崇、 田中 敦之、 本田 善央、 新井 学、 天野 浩, "K-Ka帯GaN IMPATTダイオードの作製", 2024 年 電子情報通信学会 総合大会, 広島大学 東広島キャンパス, C-2A-09, 2024/03/06

[48] 天野　浩, "社会実装を目指したGaN縦型パワーデバイス作製技術の確立", INNOPELシンポジウム2023, 文部科学省 第1講堂, -, 2024/02/28

[49] 田中 敦之, "Laser slicing of GaN", GaNコンソーシアム特別講演会, 名古屋大学 オークマホール, -, 2024/02/02

2023年

[1] 張 梓懿、 久志本 真希、 吉川 陽、 笹岡 千秋、 天野 浩, "深紫外線レーザーダイオードにおける室温連続発振の実現", 第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）, ウインクあいち, -, 2023/12/05

[2] 松本 功, "化合物半導体の有機気相堆積装置開発と産学連携に関する功績", 第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）, ウインクあいち, -, 2023/12/05

[3] 渡邉 浩崇、 新田 州吾、 藤元 直樹、 川崎 晟也、 隈部 岳瑠、 大西 一生、 本田 善央 、 天野　浩, "MOVPEを用いた（0001）面上への低炭素ＧａＮの成長", 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) / 電子デバイス研究会(ED) / 電子部品・材料研究会(CPM) , アクトシティ浜松, ED2023-20, CPM2023-62, LQE2023-60, 2023/11/30

[4] 伊藤 佑太、 渡邉 浩崇、 出来 真斗、 新田 州吾、 田中 敦之、 本田 善夫、 天野　浩, "Mgの熱拡散によるp型GaNの実現とデバイス応用への課題", 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) / 電子デバイス研究会(ED) / 電子部品・材料研究会(CPM) , アクトシティ浜松, ED2023-19, CPM2023-61, LQE2023-59, 2023/11/30

[5] 田中 敦之, "GaN基板・デバイスのレーザスライス", 先進パワー半導体分科会 第10回講演会, ANAクラウンプラザホテル⾦沢, -, 2023/11/30

[6] 大原 悠樹、 出来 真斗、 陸 順、 大西 一生、 渡邉 浩崇、 本田 善央、 天野 浩, "HVPE 法及びMOVPE法により成長させた低Mg濃度p型GaNの準位", 第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会, 名古屋大学 IB電子情報館 中棟 1F, B5, 2023/11/03

[7] 向山裕次、飯塚 将也、新田 州吾、渡邉 浩崇、天野 浩, "MOVPE法によるGaNエピタキシャル成長における炭素混入に関する数値解析とその評価", 第36回計算力学講演会（CMD2023）, 豊橋商工会議所, OS-1406, 2023/10/27

[8] Yuta Itoh、 Masaya Takeda、 Hirotaka Watanabe、 Manato Deki、 Shugo Nitta、 Yoshio Honda、 Atsushi Tanaka、 and Hiroshi Amano, "Highly effective activation of Mg-diffused p-type GaN using Mg/GaN mixed crystal", 第42回電子材料シンポジウム（EMS42）, ダイワロイヤルホテル　THE KASHIHARA　(奈良県橿原市）, Fr1-15, 2023/10/13

[9] Masaya Takeda、 Yuta Itoh、 Takeru Kumabe、 Seiya Kawasaki、 Hirotaka Watanabe、 Yoshio Honda、 and Hiroshi Amano, "Fabrication of lateral GaN p-n junction diode by diffusion of Mg using Mg/GaN mixture", 第42回電子材料シンポジウム（EMS42）, ダイワロイヤルホテル　THE KASHIHARA　(奈良県橿原市）, Th3-9, 2023/10/12

[10] Kazuki Takahashi、 Daiki Iwata、 Takeru Kumabe、 Seiya Kawasaki、 Hirotaka Watanabe、 Yoshio Honda、 and Hiroshi Amano, "Investigation of device structure of GaN/AlN resonant tunneling diodes by MOVPE for high-power THz oscillation", 第42回電子材料シンポジウム（EMS42）, ダイワロイヤルホテル　THE KASHIHARA　(奈良県橿原市）, Th1-17, 2023/10/12

[11] T. Nishitani、 Y. Arakawa、 S. Noda、 K. Niimi、 D. Sato、 D. Yasufuku、 A. Koizumi、 H. Shikano、 H. Iijima、 Y. Honda and H. Amano, "Non-contact electrical operation of MOSFET and its simultaneous observation by photo e-beam from semiconductor photocathode", 応用物理学会次世代リソグラフィ技術研究会ワークショップ（NGL2023）, 東京工業大学蔵前会館, P16, 2023/07/06

[12] 大崎 賢司、 土屋 洋一、 齊藤 裕人、 田中 敦之、 須賀 唯知、 マルティネス ノラ、 竹馬 克洋、 分島 彰男, "二層カーボンコンポジット高熱伝導材によるGaNデバイスの低熱抵抗化", 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホール（他3会場）, 23a-B201-10, 2023/09/23

[13] 小久保 瑛斗、 渡邉 浩崇、 田中 敦之、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩, "フリーホイールダイオードを内蔵したソース接続PSJトランジスタのシミュレーション及び作製", 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホール（他3会場）, 23a-B201-2, 2023/09/23

[14] 伊東 俊祐、 土屋 洋一、 田中 敦之、 須賀 唯知、 分島 彰男, "GaN HEMTの実測温度特性を用いた変調動作下の熱過渡特性解析", 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホール（他3会場）, 22a-B201-10, 2023/09/22

[15] 秩父 重英、 大西 一生、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩、 嶋 紘平, "HVPE成長Mg添加p型GaNのフォトルミネッセンススペクトル", 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホール（他3会場）, 22a-B201-3, 2023/09/22

[16] 宇佐美 茂佳、 太田 博、 渡邉 浩崇、 今西 正幸、 新田 州吾、 本田 善央、 三島 友義、 天野 浩、 森 勇介, "ドリフト層幅の異なるGaN pn接合ダイオードを用いた伝導度変調の解析", 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホール（他3会場）, 21p-B201-15, 2023/09/21

[17] 川崎 晟也、 隈部 岳瑠、 出来 真斗、 渡邉 浩崇、 田中 敦之、 本田 善央、 新井 学、 天野 浩, "マイクロ波帯Hi-Lo型GaN IMPATTダイオードにおけるLo層ドナー濃度が入出力特性に与える影響", 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホール（他3会場）, 21p-B201-16, 2023/09/21

[18] 宇佐美 茂佳、 東山 律子、 滝野 淳一、 太田 博、 渡邉 浩崇、 今西 正幸、 隅 智亮、 岡山 芳央、 三島 友義、 新田 州吾、 本田 善央、 吉村 政志、 秦 雅彦、 伊勢村 雅士、 天野 浩、 森 勇介, "OVPE法を用いたGaNのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用", 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホール（他3会場）, 20a-B101-7, 2023/09/20

[19] 西川 瞬、 橋本 優作、 川崎 晟也、 若林 源一郎、 本田 善央、 天野 浩、 伊藤 範和、 田中 岳利、 中原 健、 井上 翼、 青木 徹、 中野 貴之, "Si 基板及び QST 基板上への BGaN 成長を用いた 中性子検出器の作製と評価", 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホール（他3会場）, 20p-B101-7, 2023/09/20

[20] 工藤 涼兵、 櫻井 辰大、 川崎 晟也、 岸下 徹一、 櫻井 良憲、 八島 浩、 牧野 高紘、 大島 武、 本田 善央、 天野 浩、 井上 翼、 青木 徹、 中野 貴之, "過酷環境下での動作を目指したBGaNダイオードの作製と諸特性評価", 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホール（他3会場）, 20p-B101-6, 2023/09/20

[21] 出射 幹也、 佐藤 大樹、 小泉 淳、 西谷 智博、 本田 善央、 天野 浩, "貫通転移密度の異なるInGaNフォトカソードの電子放出特性", 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホール（他3会場）, 20p-A501-10, 2023/09/20

[22] 濵﨑 乾輔、 大西 一生、 新田 州吾、 藤元 直樹、 渡邉 浩崇、 本田 善央、 天野 浩, "高電子密度Sn添加GaNのHVPE成長", 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホール（他3会場）, 20a-B101-4, 2023/09/20

[23] 大西 一生、 濵﨑 乾輔、 藤元 直樹、 新田 州吾、 渡邉 浩崇、 本田 善央、 天野 浩, "Sn添加GaNのHVPE成長に向けた熱力学的検討", 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホール（他3会場）, 20a-B101-3, 2023/09/20

[24] 長嶋佑哉、 渡邉浩崇、 新田州吾、 草場彰、寒川義裕、白石賢二, "InN MOVPE 成長における TMI 分解・反応経路の理論的解析", 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホール（他3会場）, 19a-B101-4, 2023/09/19

[25] 櫻井 辰大、 工藤 涼兵、 川崎 晟也、 岸下 徹一、 櫻井 良憲、 八島 浩、 牧野 高紘、 大島 武、 本田 善央、 天野 浩、 井上 翼、 青木 徹、 中野 貴之, "高ドーズ中性子照射場における BGaN 検出器の放射線検出特性評価", 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホール（他3会場）, 19p-A306-10, 2023/09/19

[26] 大西 一生、 濵﨑 乾輔、 藤元 直樹、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩, "縦型パワーデバイス用途に向けたGaNのHVPE成長", 第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 山形テルサ, Th-I01, 2023/06/15

[27] 小幡 蓮、 隈部 岳瑠、 渡邉 浩崇、 出来 真斗、 本田 善央、 天野 浩, "GaNの表面保護プロセスがGaN/絶縁膜界面特性に与える影響", 第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 山形テルサ, Th-P17, 2023/06/15

[28] 山田 悠斗、 隈部 岳瑠、 渡邉 浩崇、 大西 一生、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩, "四元混晶AlGaInNのデバイス応用と混晶比制御・決定方法の提案", 第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 山形テルサ, Th-P16, 2023/06/15

[29] 新田 州吾、 渡邉 浩崇、 大西 一生、 本田 善央、 天野 浩, "パワーデバイスのためのMOVPEおよびHVPE成長GaNの不純物制御", 公益社団法人応用物理学会 応用電子物性分科会/結晶工学分科会 合同研究会 次世代ワイドギャップパワーデバイスの最前線, ウインクあいち/オンライン, -, 2023/06/13

[30] 田中 敦之, "GaN 結晶のレーザスライスとその動向", 公益社団法人精密工学会プラナリゼーションCMPとその応用技術専門委員会第206回研究会, 主婦会館プラザエフ/オンライン, -, 2023/04/26

[31] 田中 敦之, "GaN基板のレーザ加工", 砥粒加工学会第108回研究会, TKP 東京駅大手町カンファレンスセンター/オンライン, -, 2023/04/14

[32] 權 熊、 川崎 晟也、 渡邉 浩崇、 田中 敦之、 本田 善央、 池田 宏隆、 磯 憲司、 天野 浩, "00V級縦型GaN p-n接合ダイオードにおける貫通転位の有無による逆方向リーク電流のメカニズム", 第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 18a-A301-8, 2023/03/18

[33] 岩田 大暉、隈部 岳瑠、渡邉 浩崇、出来 真斗、本田 善央、天野 浩, "GaN/AlN共鳴トンネルダイオードの動作電圧低減・高電流密度化", 第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 18a-A301-7, 2023/03/18

[34] 隈部 岳瑠、 川崎 晟也、 渡邉 浩崇、 本田 善央、 天野 浩, "p型分極ドープAlGaN層中における正孔移動度の制限要因", 第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 18p-B401-13, 2023/03/18

[35] 渡邉 浩崇、 新田 州吾、 隈部 岳瑠、 川崎 晟也、 大西 一生、 本田 善央、 天野 浩, "GaN基板上GaNのMOVPE成長の表面モフォロジーとキャリア濃度の相関", 第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 18a-B401-6, 2023/03/18

[36] 川崎 晟也、 隈部 岳瑠、 出来 真斗、 渡邉 浩崇、 田中 敦之、 本田 善央、 新井 学、 天野 浩, "マイクロ波帯Hi Lo型GaN IMPATTダイオードの設計および作製", 第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 18a-A301-10, 2023/03/18

[37] Jeonghwan Park、 Markus Pristovsek、 Wentao Cai、 Heajeong Cheong、 Atsushi Tanaka、 Yuta Furusawa、 Dong- Pyo Han、 Tae-Yeon Seong、 Hiroshi Amano, "The importance of sidewall conditions on the performance of micro-LEDs", 第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 17a-A303-1, 2023/03/17

[38] 橋本 優作、 夏目 朋幸、 西川 瞬、 川崎 晟也、 若林 源一郎、 本田 善央、 天野 浩、 井上 翼、 青木 徹、 中野 貴之, "in-situアニールを用いたBGaN中性子検出器の評価", 第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 17p-PB07-10, 2023/03/17

[39] 伊藤 慎、 佐藤 真一郎、 Michal Bockowski、 出来 真斗、 渡邊 浩崇、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩、 吉田 謙一、 南川 英輝、 羽倉 尚人, "希土類イオン注入したGaNの超高圧熱処理による発光特性および結晶構造の変化", 第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 17p-B410-2, 2023/03/17

[40] 石井 達也、 宇佐美 茂佳、 森 勇介、 渡邉 浩崇、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩、 加藤 正史, "HVPE 基板および OVPE 基板上 GaN エピ層に対するTR-PL 信号の相違", 第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 17p-A301-2, 2023/03/17

[41] 小林 篤、 前田 拓也、 本田 善央、 上野 耕平、 藤岡 洋, "スパッタ法でエピタキシャル成長させたScAlN薄膜の特性評価", 第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 17a-B401-4, 2023/03/17

[42] 藤田 泰樹、 佐藤 真一郎、 出来 真斗、 渡邊 浩崇、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩、 土田 秀次, "窒化ガリウム半導体における単一イオンヒット検出条件の検討", 第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 16a-D519-1, 2023/03/16

[43] 西河 巴賀、 谷川 智之、 本田 啓人、 後藤 健、 村上 尚、 熊谷 義直、 田中 敦之、 本田 善央、 天野 浩、 上向井 正裕、 片山 竜二, "多光子励起過程を利用したβ-Ga2O3の時間分解フォトルミネッセンス分光", 第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 16p-E102-9, 2023/03/16

[44] 中村 考志、 鄭 恵貞、 田中 敦之、 天野 浩, "GaNのマイクロ波アニーリングにおける加熱効率の評価と考察", 第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 16p-PA04-14, 2023/03/16

2022年

[1] 稲原 大輔、 松田 駿佑、 松村 航、 奥野 椋、 花咲 光基、 小脇 岳士、 宮本 弥凪、 金崎 蓮、 齊藤 俊介、 藤井 開、 倉井 聡、 岡田 成仁、 姚 永昭、 石川 由加里、 田中 敦之、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩、 山田 陽一, "N極性面AlGaN/AlNヘテロ接合型FETの性能改善", 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 23a-B204-6, 2022/09/23

[2] 秩父 重英、 嶋 紘平、 小島 一信、 上殿 明良、 石橋 章司、 渡邉 浩崇、 田中 敦之、 本田 善央、 今西 正幸、 森 勇介、 生田目 俊秀、 色川 芳宏、 天野 浩、 小出 康夫, "9n型GaN基板・エピタキシャル薄膜の室温フォトルミネッセンス寿命", 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 23p-B204-9, 2022/09/23

[3] 丹羽 ののか、川崎 晟也、 隈部 岳瑠、 渡邉 浩崇、 古澤 優太、 田中 敦之、 出来 真斗、 久志本 真希、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩, "異なるキャリア濃度を有するn型GaNに対する多光子励起 PECエッチングの調査", 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 23p-B204-3, 2022/09/23

[4] 夏目 朋幸、 橋本 優作、 西川 舜、 林 幸佑、 川崎 晟也、 若林 源一郎、 本田 善央、 天野 浩、 井上 翼、 青木 徹、 中野 貴之, "その場 Mg 活性化アニールを用いた BGaN 中性子検出器の作製と評価", 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 22p-P17-1, 2022/09/22

[5] 宇佐美 茂佳、 太田 博、 滝野 淳一、 渡邉 浩崇、 隅 智亮、 今西 正幸、 新田 州吾、 本田 善央、 森 勇介、 三島 友義、 岡山 芳央、 天野 浩, "OVPE-GaN基板上pnダイオードにおける伝導度変調の解析", 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 22p-B204-12, 2022/09/22

[6] 久志本 真希、 張 梓懿、 吉川 陽、 青戸 孝至、 本田 善央、 ショーワルター レオ、 笹岡 千秋、 天野 浩, "深紫外レーザーダイオードの連続波発振", 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 22p-C200-6, 2022/09/22

[7] 伊藤 佑太、 川崎 晟也、 権 熊、 島村 健矢、 成田 周平、 渡邉 浩崇、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 田中 敦之、 天野 浩, "Mg熱拡散法を用いた縦型GaNp-n接合ダイオードの作製", 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 22p-B204-8, 2022/09/22

[8] 隈部 岳瑠、 川崎 晟也、 渡邉 浩崇、 出来真斗、 本田 善央、 天野 浩, "p型分極ドープAlGaN層中のShockley-Read-Hall寿命", 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 22p-B204-14, 2022/09/22

[9] 田中 大貴、 大西 一生、 川崎 晟也、 新田 州吾、 藤元 直樹、 渡邉 浩崇、 田中 敦之、 本田 善央、 天野 浩, "HVPE法成長GaN縦型p-n接合ダイオードにおける逆方向リーク源の探索", 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 22p-B204-11, 2022/09/22

[10] 島村 健矢、 伊藤 佑太、 隈部 岳瑠、 川崎 晟也、 渡邉 浩崇、 出来 真斗、 新田 州吾、 田中敦之、 本田 善央、 天野 浩, "熱拡散法を用いて形成されたp-GaN中のMgの拡散", 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 22p-B204-9, 2022/09/22

[11] 大西 一生、 藤元 直樹、 新田 州吾、 渡邉 浩崇、 本田 善央、 天野 浩, "ハライド気相成長法を用いたMg添加p型GaNの厚膜成長", 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 21a-C200-4, 2022/09/21

[12] 大西 一生、 藤元 直樹、 新田 州吾、 渡邉 浩崇、 本田 善央、 天野 浩, "GaN (0001)自立基板上GaNのHVPE成長における表面カイネティクス", 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 21a-C200-1, 2022/09/21

[13] 石田 峻之、 Yang Xu、 王 若曦、 相原 健人、 佐久間 芳樹、 池沢 道男、 天野 浩, "AlN上多層hBN膜中の欠陥からの室温における単一光子発生", 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 21p-P12-42, 2022/09/21

[14] 中村 大輔、 林 幸佑、 夏目 朋幸、 川崎 晟也、 若林 源一郎、 本田 善央、 天野 浩、 井上 翼、 青木 徹、 中野 貴之, "新規核計装システムにむけた高耐圧BGaN中性子検出器の開発", 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 20p-A102-5, 2022/09/20

[15] 中村 考志、 西岡 将輝、 鄭 恵貞、 田中 敦之、 天野 浩, "マイクロ波磁場による窒化ガリウム基板の急速アニーリング技術の開発と基板の特性評価", 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 20p-P04-21, 2022/09/20

[16] 本田　善央, "ナイトライド系パワーデバイス開発にむけた結晶成長技術の最前線", 第26回宮崎大学未来エネルギープロジェクト講演会, オンライン, -, 2022/03/16

[17] ⿅島 将央、 ⽷川 佑也、 ⾦井 俊也、 佐藤 ⼤樹、 ⼩泉 淳、 飯島 北⽃、 ⻄⾕ 智博、 本⽥ 善央、 天野 浩、 ⽬⿊ 多加志, "加熱下でのNEA活性化におけるInGaNの電⼦放出特性", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 26p-E206-13, 2022/03/26

[18] 夏⽬ 朋幸、 宮澤 篤也、 中村 ⼤輔、 林 幸佑、 橋本 優作、 川崎 晟也、 權 熊、 若林 源⼀郎、 本⽥ 善央、 天野 浩、 井上 翼、 ⻘⽊ 徹、 中野 貴之, "傾斜組成 BGaN 層を⽤いた BGaN 放射線検出器の開発", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 25a-E203-8, 2022/03/25

[19] ⼋⽊ 修⼀、 中村 嘉孝、 神⼭ 祐輔、 北原 諒⼆、 伊佐 雄太、 成井 啓修、 ⽥中 敦之、 本⽥ 善央、 天野 浩, "ノーマリーオフ GaN PSJ FET", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 25p-P11-8, 2022/03/25

[20] 箭原 大輔、 叶 正、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩, "TMGa 供給によるNH3 活性化のTOF-MS 気相解析", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 25p-E203-15, 2022/03/25

[21] ⾕川 智之、 塚越 真悠⼦、 宇佐美 茂佳、 今⻄ 正幸、 森 勇介、 川崎 晟也、 ⽥中 敦之、 本⽥ 善央、 天野 浩、 上向井 正裕、 ⽚⼭ ⻯⼆, "GaN縦型pnダイオード中の特異なフォトルミネッセンス発光", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 24a-E202-9, 2022/03/24

[22] 權 熊、 川崎 晟也、 渡邉 浩崇、 田中 敦之、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 池田 宏隆、 磯 憲司、 天野 浩, "縦型p-n接合ダイオードにおける貫通転位による耐圧近傍での微小電流増加", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 23p-E302-13, 2022/03/23

[23] 伊藤佑太、 島村健矢、 渡邉浩崇、 出来真斗、 新田州吾、 本田善央、 田中敦之、 天野浩, "空孔誘導Mg熱拡散法を用いたGaNのMg濃度制御", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 23p-E302-7, 2022/03/23

[24] 伊藤佑太、 陸順、 渡邉浩崇、 出来真斗、 新田州吾、 田中敦之、 本田善央、 天野浩, "Mg熱拡散を用いたGaNのp型化プロセス", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 23p-E302-6, 2022/03/23

[25] 八木誠、川崎晟也、隈部岳瑠、安藤悠人、田中敦之、出来真斗、久志本真希、新田州吾、本田善央、天野浩, "多光子励起OBICを用いたGaN縦型p-nダイオード駆動中におけるキャリア濃度分布測定手法の提案", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 23p-E302-12, 2022/03/23

[26] ⼭下 隼平、 渡邉 浩崇、 安藤 悠⼈、 ⽥中 敦之、 出来 真⽃、 新⽥ 州吾、 本⽥ 善央、 Michal Bockowski、 加地徹、 天野 浩, "超⾼圧アニールによるMg拡散を⽤いたp型ゲートAlGaN/GaNHEMTの閾値電圧制御", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 23p-E302-5, 2022/03/23

[27] 陸 順、 出来 真斗、 王 嘉、 大西 一生、 安藤 悠人、 渡邉 浩崇、 隈部 岳瑠、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩, "アニールしたMg層による低濃度p型GaNへの接触抵抗低減", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 23p-E302-17, 2022/03/23

[28] 川崎晟也、 隈部岳瑠、 安藤悠人、 出来真斗、 渡邉 浩崇、 田中敦之、 新田州吾、 本田善央、 新井学、 天野浩, "GaN IMPATTダイオードにおける発振特性の接合直径依存性", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 23p-E302-15, 2022/03/23

[29] 大西 一生、 川崎 晟也、 藤元 直樹、 新田 州吾、 渡邉 浩崇、 本田 善央、 天野 浩, "ハライド気相成長法による縦型GaN p-n接合ダイオードの作製", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 23a-E302-8, 2022/03/23

[30] 丹羽 ののか、川崎 晟也、 隈部 岳瑠、 田中 敦之、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田善央、 天野 浩, "多光子励起を用いた光化学エッチングによるGaN3次元加工の検討", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 23a-E302-9, 2022/03/23

[31] 古澤 優太、Cai Wentao、 Park Jeonghwan、 Cheong Heajeong、 牛田 泰久、 天野 浩, "マイクロLED ディスプレイの アクティブマトリクス用HEMT", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 23a-E202-7, 2022/03/23

[32] 隈部岳瑠、 川崎晟也、 渡邉浩崇、 安藤悠人、 新田州吾、 本田善央、 天野浩, "分布型分極ドーピングにより作製した p-n接合の電気特性評価", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 23p-E302-10, 2022/03/23

[33] 松岡 聖、坂東 もも子、大西 一生、後藤 健、新田 州吾、村上 尚、熊谷 義直, "GaN高温HVPE成長のための熱力学解析モデルの修正", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 22a-E202-1, 2022/03/22

[34] 中村 ⼤輔、 ⻄川 瞬、 ⼩関 凌也、 林 幸佑、 川崎 晟也、 權 熊、 若林 源⼀郎、 本⽥ 善央、 天野 浩、 井上 翼、 ⻘⽊ 徹、 中野 貴之, "耐⾼温中性⼦半導体検出器に向けた新規BGaNデバイスの作製", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 22a-F308-5, 2022/03/22

[35] 林 幸佑、 中川 央也、 川崎 晟也、 出来 真⽃、 本⽥ 善央、 天野 浩、 井上 翼、 ⻘⽊ 徹、 中野 貴之, "III族窒化物半導体検出器の⾼温耐性評価", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 22a-F308-5, 2022/03/22

[36] 田中敦之、 杉浦隆二、 河口大祐、 和仁陽太郎、 渡邉浩崇、 瀬奈ハディ、 安藤悠人、 本田善央、 伊ケ崎泰則、 分島彰男、 安藤裕二、 天野浩, "レーザスライス技術を用いて剥離したGaN on GaN HEMTの評価", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 22p-E202-7, 2022/03/22

[37] 田中敦之、 杉浦隆二、 河口大祐、 和仁陽太郎、 渡邉浩崇、 瀬奈ハディ、 本田善央、 伊ケ崎泰則、 天野浩, "GaN基板のレーザスライス ：スライス後の再利用性と大口径スライス", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 22p-E202-6, 2022/03/22

[38] 岩田大暉、 隈部岳瑠、 渡邉 浩崇、 久志本真希、 出来真斗、 新田州吾、 田中敦之、 本田善央、 天野浩, "MOVPE法を用いたGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの作製", 第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 22p-E202-5, 2022/03/22

[39] 久志本 真希、張 梓懿、本田 善央、レオ ショーワルター、笹岡 千秋、天野 浩, "分極制御 AlGaN を用いた深紫外半導体レーザ", ２０２２年日本結晶成長学会特別講演会『赤﨑勇先生追悼講演会 ～結晶成長が描く夢の継承～』, オンライン, -, 2022/02/18

[40] 天野　浩, "青色LED実現までの足取りとGaN社会実装のために必須の加工技術開発", 先端加工技術の将来展望―将来加工技術第136委員会・最終シンポジウム―, オンライン, -, 2022/01/19

[41] 久志本 真希、張 梓懿、本田 善央、レオ ショーワルター、笹岡 千秋、天野 浩, "AlN基板上UV-C レーザーダイオード", 一般社団法人レーザー学会学術講演会第42回年次大会, オンライン, S09-14a-VI-04, 2022/01/14

[42] 天野　浩, "青色LED実現までの足取りとGaN社会実装のために必須の加工技術開発", 先端加工技術の将来展望―将来加工技術第136委員会・最終シンポジウム―, オンライン, -, 2022/01/19

[43] 久志本 真希、張 梓懿、本田 善央、レオ ショーワルター、笹岡 千秋、天野 浩, "AlN基板上UV-C レーザーダイオード", 一般社団法人レーザー学会学術講演会第42回年次大会, オンライン, S09-14a-VI-04, 2022/01/14

2021年

[1] 天野　浩, "フロンティアエレクトロニクスの社会実装に向けた取り組み", 日本学術振興会R025先進薄膜界面機能創成委員会2021年度フォーラム, 東大武田先端知ビル武田ホール, -, 2021/12/16

[2] 久志本 真希、張 梓懿、本田 善央、レオ ショーワルター、笹岡 千秋、天野 浩, "最短波長UVC-LD の実現とその周辺技術", 一般社団法人ワイドギャップ半導体学会第4回研究会, オンライン, -, 2021/12/10

[3] 大西一生、 藤元直樹、 新田州吾、 渡邉浩崇、 本田善央、 天野浩, "n型GaNドリフト層の表面平坦化に向けたハライド気相成長条件の検討", 第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, リジェール松山/オンライン, Th-P12, 2021/12/02

[4] 森 祐人、 新田 州吾、 飯田 一喜、 守山実希、 大西 一生、 藤元 直樹、 渡邉 浩崇、 田中敦之、 本田 善央、 天野 浩, "アモノサーマル製GaN基板上へのHVPE-GaN成長界面で新たに生じる貫通転位の抑制", JCCG-50, オンライン, 27a-A04, 2021/10/27

[5] 天野　浩, "シリコンと相補的なワイドギャップ化合物半導体の将来戦略", 半導体・デジタル産業を考える講演会-20年後を見据えたシリコンアイランド・九州の活性化を目指して-, オンライン, -, 2021/10/12

[6] H. Saito、 A. Fukui、 T. Obata、 L. Li、 A. Tanaka、 T. Suga、 K. Takeuchi、 A. Wakejima, "Transient temperature evaluation of GaN bonded on carbon material", 第40回電子材料シンポジウム（EMS40）, オンライン, P1-B010, 2021/10/11

[7] 笹岡千秋、久志本真希、張梓懿、天野浩, "AlN基板上UV-C LDのプロセス起因劣化", 日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145 委員会　第172 回研究会, オンライン, -, 2021/10/01

[8] 叶 正、 新田 州吾、 本田 善央、 Markus Pristovsek、 天野 浩, "水素同位体標識を用いたGaN MOVPEにおけるTMGaとNH3の気相反応の高分解能質量分析", 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学/オンライン, 13p-N101-1, 2021/09/13

[9] 林 幸佑、 中川 央也、 宮澤 篤也、 川崎 晟也、 本⽥ 善央、 天野 浩、 井上 翼、 ⻘⽊ 徹、 中野 貴之, "BGaNダイオードの⾼温環境下における検出特性評価", 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学/オンライン, 12p-N221-2, 2021/09/12

[10] 松原 太一、 永田 賢吾、 久志本 真希、 本田 善央、 天野 浩, "深紫外LEDの発光出力向上に向けた多結晶スパッタリングMgZnO透明電極", 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学/オンライン, 12p-N101-10, 2021/09/12

[11] 冨田 大輔、Saskia Schimmel、 斉藤 真、 包 全喜、 石黒 徹、 本田 善央、 秩父 重英、 天野 浩, "混合鉱化剤を用いた低圧酸性アモノサーマル法によるGaN 結晶育成", 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学/オンライン, 12p-N101-3, 2021/09/12

[12] 永田 賢吾、 三輪 浩士、 松井 慎一、 坊山 晋也、 齋藤 義樹、 久志本 真希、 本田 善央、 竹内 哲也、 天野 浩, "AlGaNホモ接合 トンネルジャンクション深紫外 LED の低電圧駆動 （2）", 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学/オンライン, 12p-N101-9, 2021/09/12

[13] 永田 賢吾、 穴田 智史、 齋藤 義樹、 久志本 真希、 本田 善央、 竹内 哲也、 天野 浩、 山本 和生、 平山 司, "電子線ホログラフィーを用いたAlGaNホモ接合トンネルジャンクションの電位分布解析", 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学/オンライン, 12p-N101-8, 2021/09/12

[14] 伊藤佑太、 渡邉浩崇、 安藤悠人、 出来真斗、 狩野絵美、 新田州吾、 本田 善央、 五十嵐信行、 田中敦之、 天野浩, "GaNへのMgイオン高温注入時におけるビーム電流量が欠陥導入に与える影響", 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学/オンライン, 11a-N305-1, 2021/09/11

[15] 大西 一生、 天野 裕己、 藤元 直樹、 新田 州吾、 渡邉 浩崇、 本田 善央、 天野 浩, "HVPE成長させたp型GaNの電気的特性および構造欠陥評価", 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学/オンライン, 11a-N101-5, 2021/09/11

[16] 天野　浩, "フロンティアエレクトロニクス", 第82回応用物理学会秋季学術講演会赤﨑勇先生追悼シンポジウム, オンライン, -, 2021/09/11

[17] 佐藤 真⼀郎、 出来 真⽃、 ⻄村 智朗、 渡邉 浩崇、 新⽥ 州吾、 本⽥ 善央、 天野 浩、 Greentree Andrew、 Gibson Brant、 ⼤島 武, "窒化ガリウム中プラセオジムの発光を利⽤したナノスケール領域温度計測", 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学/オンライン, 10p-N101-2, 2021/09/10

[18] 本田　善央, "窒化物半導体のパワーデバイス応用とエピ・プロセス技術", 2021年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会, オンライン, -, 2021/08/26

[19] 天野　浩, "青色半導体レーザーの誕生の頃", 日本学術会議IOC分科会レーザー誕生60周年記念に関するシンポジウム, オンライン, -, 2021/05/21

[20] 松原 太一 、 久志本 真希 、 渡邉 浩崇、 古澤 優太、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩, "高温スパッタリングにより成膜したMgZnO透明電極材料の電気的及び光学的特性", 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 18p-Z33-6, 2021/03/20

[21] 隈部 岳瑠、 安藤 悠人、 渡邉 浩崇、 出来 真斗、 田中 敦之、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩, "連続成長Npn接合を用いたAlGaN/GaN HBTの作製", 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 19p-Z25-7, 2021/03/19

[22] 叶 正、 新田 州吾、 渡邉 浩崇、 本田 善央、 Markus Pristovsek、 天野 浩, "GaN MOVPE成長におけるC取込機構解明に向けたTMGaとTEGaの分解反応の違いの解析", 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 19p-Z27-12, 2021/03/19

[23] 川崎 晟也、 安藤 悠人、 出来 真斗、 渡邉 浩崇、 田中 敦之、 新田 州吾、 本田 善央、 新井 学、 天野 浩, "Xバンド帯における GaN IMPATT ダイオードの動作実証", 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 19a-Z25-6, 2021/03/19

[24] 宮澤 篤也、太田 悠斗、松川 真也、林 幸佑、中川 央也、川崎 晟也、安藤 悠人、本田 善央、天野 浩、嶋 紘平、小島 一信、秩父 重英、井上 翼、青木 徹、中野 貴之, "BGaN 中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響(2)", 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 18a-Z11-11, 2021/03/18

[25] 松川 真也、太田 悠斗、宮澤 篤也、中川 央也、川崎 晟也、安藤 悠人、本田 善央、天野 浩、井上 翼、青木 徹、中野 貴之, "厚膜BGaN結晶成長におけるGaN中間層の影響およびデバイス特性評価", 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 18a-Z11-10, 2021/03/18

[26] 伊藤 佑太、 渡邉 浩崇、 安藤 悠人、 出来 真斗、 狩野 絵美、 新田 州吾、 本田 善央、 五十嵐 信行、 田中 敦之、 天野 浩, "GaNへのMgイオン高温注入時における ビーム電流量が欠陥導入に与える影響 II", 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 18a-Z15-7, 2021/03/18

[27] 大西 一生、 天野 裕己、 藤元 直樹、 新田 州吾、 渡邉 浩崇、 本田 善央、 天野 浩, "HVPE法によって作製されたp型GaNの電気および構造特性評価", 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 17a-Z27-3, 2021/03/17

[28] Saskia Schimmel、 冨田 大輔、斉藤 真、 包 全喜、 石黒 徹、本田 善央、 秩父 重英、 天野 浩, "アモノサーマル法によるGaN結晶育成炉の総合熱解析Simulation of the global thermal field in a setup for ammonothermal growth of GaN", 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 17p-Z32-4, 2021/03/17

[29] 永田 拓実、梅田 颯志、隈部 岳瑠、安藤 悠人、出来 真斗、本田 善央、天野 浩、トーマス ポージン、山田 和輝、岩谷 素顕、上向井 正裕、谷川 智之、片山 竜二, "広帯域光子対発生に向けたGaN導波路型微小共振器デバイスの作製", 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 16p-Z27-11, 2021/03/16

[30] 平野 光、長澤 陽祐、一本松 正道、迫 秀樹、橋本 愛、杉江 隆一、本田 善央、天野 浩、赤崎 勇、小島 一信、秩父 重英, "マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率（1）", 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 16p-Z27-6, 2021/03/16

[31] 長澤 陽祐、平野 光、一本松 正道、迫 秀樹、橋本 愛、杉江 隆一、本田 善央、天野 浩、赤﨑 勇、小島 一信、秩父 重英, "マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率（2)", 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 16p-Z27-7, 2021/03/16

[32] 長澤 陽祐、小島 一信、平野 光、迫 秀樹、橋本 愛、杉江 隆一、一本松 正道、本田 善央、天野 浩、赤﨑 勇、秩父 重英, "マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率（3）", 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 16p-Z27-8, 2021/03/16

[33] 鹿島 将央、佐藤 大樹、小泉 淳、飯島 北斗、西谷 智博、本田 善央、天野 浩、目黒 多加志, "NEA活性化方法におけるInGaNフォトカソードの電子放出特性の違い", 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 16p-Z14-1, 2021/03/16

[34] 中川 央也、林 幸佑、宮澤 篤也、本田 善央、天野 浩、中野 貴之、青木 徹, "GaNダイオード放射線検出器のα線検出特性の温度依存性", 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 16p-Z28-17, 2021/03/16

[35] 永田 賢吾、 牧野 浩明、 三輪 浩士、 松井 慎一、 坊山 晋也、 齋藤 義樹、 久志本 真希、 本田 善央、 竹内 哲也、 天野 浩, "AlGaNホモ接合トンネルジャンクション深紫外LEDの低電圧駆動", 第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン開催, 16p-Z27-5, 2021/03/16

2020年

[1]用正大地、 新宅史哉、 稲富悠也、 寒川義裕、 岩田潤一、 押山淳、 白石賢二、 田中敦之、 天野浩, "微傾斜m-GaN MOVPEにおける酸素混入機構：量子論に立脚したBCFモデル", 第49回結晶成長国内会議, オンライン開催, 10p-P02, 2020/11/10

[2]叶 正、 新田 州吾、 本田 善央、 Markus Pristovsek、 天野 浩, "高分解能質量分析による異なるキャリアガス中におけるトリメチルガリウムの熱分解解析", 第49回結晶成長国内会議, オンライン開催, 09p-A09, 2020/11/09

[3]Takehiro Yamada、 Yuto Ando、 Hirotaka Watanabe、 Yuta Furusawa、 Manato Deki、 Atsushi Tanaka、 Shugo Nitta、 Yoshio Honda、 Jun Suda、 and Hiroshi Amano, "Resonance characteristics of piezoelectric GaN cantilever fabricated by photoelectrochemical etching", 第39回電子材料シンポジウム, オンライン開催, P3-22, 2020/10/08

[4]伊藤 佑太、 渡邉 浩崇、 安藤 悠人、 田中 敦之、 出来 真斗、 新田州吾、 本田善央、 天野浩, "GaNへのMgイオン高温注入時におけるビーム電流量が欠陥導入に与える影響", 第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン開催, 11p-Z04-1, 2020/09/11

[5]川崎晟也、 安藤悠人、 渡邉 浩崇、 田中敦之、 出来真斗、 新田州吾、 本田善央、 天野浩, "多光子励起を用いたGaNの正孔の衝突イオン化係数の測定", 第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン開催, 11a-Z04-3, 2020/09/11

[6]渡邉 浩崇、 新田 州吾、 安藤 悠人、 出来 真斗、 田中 敦之、 本田 善 央、 天野浩, "自立基板上 GaN の ステップ バンチング状 モフォロジー 形成プロセス", 第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン開催, 11p-Z02-15, 2020/09/11

[7]赤石大地、榊原聡真、 呉東臨、 叶正、 新田州吾、 本田善央、 天野浩、 白石賢二, "トリメチルインジウムとGaのトランスメタル化反応の解析", 第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン開催, 8a-Z02-7, 2020/09/10

[8]榊原聡真、 洗平昌晃、 叶正、 新田州吾、 本田善央、 天野浩、 白石賢二, "ab initio計算を用いたGaN MOVPE成長におけるＴＭＧa分解反応過程の探索", 第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン開催, 8a-Z02-8, 2020/09/10

[9]山田 剛大、 安藤 悠人、 渡邉 浩崇、 古澤 優太、 出来 真斗、 田中 敦之、 新田 州吾、 本田 善央、 須田 淳、 天野 浩, "GaN:C 半絶縁層を用いた圧電駆動GaNカンチレバーの共振特性", 第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン開催, 10a-Z02-8, 2020/09/10

[10]隈部岳瑠、 安藤悠人、 渡邉浩崇、 田中敦之、 本田善央、 出来真斗、 新田州吾、 天野浩, "GaN HBTの作製に向けたp型GaNのドライエッチング", 第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン開催, 10a-Z04-9, 2020/09/10

[11]天野 裕己、 大西 一生、 藤元 直樹、 渡邉 浩崇、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩, "Mg含有セラミックスを不純物源としたMg添加GaNのHVPE成長", 第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン開催, 10p-Z02-7, 2020/09/10

[12]大西一生、 天野裕己、 藤元直樹、 新田州吾、 本田善央、 天野浩, "MgOを利用したハライド気相成長法によるp型GaNの作製", 第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン開催, 10p-Z02-6, 2020/09/10

[13]冨田 大輔、 Saskia Schimmel、 斉藤 真、 包 全喜、 栗本 浩平、 石黒 徹、 秩父 重英、 本田 善央、 天野 浩, "低圧酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成の初期成長制御", 第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン開催, 10p-Z02-3, 2020/09/10

[14]Ziyi Zhang、 Maki Kushimoto、 Tadayoshi Sakai、 Naoharu Sugiyama、 Leo.J. Schowalter、 Chiaki Sasaoka、 Hiroshi Amano, "Demonstration of a deep-ultraviolet laser diode on single crystal AlN substrate operating under current injection at room temperature", 第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン開催, 9p-Z13-1, 2020/09/09

[15]Jeonghwan Park、 Heajeong Cheong、 Yasuhisa Ushida、 Wentao Cai、 Yuta Furusawa、 Yuto Ando、 Yoshio Honda、 Hiroshi Amano, "The effect of TMAH treatment to designed green-micro LED", 第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン開催, 9a-Z13-3, 2020/09/09

[16]永田賢吾、 三輪浩士、 松井慎一、 坊山晋也、 齋藤義樹、 本田善央、 天野浩, "p型AlxGa1-xN(0＜x≦1)におけるMg–Hの役割", 第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン開催, 9a-Z02-4, 2020/09/09

[17]呉 東臨、 叶 正、 新田 州吾、 本田 善央、 Markus Pristovsek、 天野 浩, "Time of flight mass spectroscopy analysis of transmetalation between trimethylindium and gallium in N2 and H2", 第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン開催, 8a-Z02-6, 2020/09/08

[18]木村友哉、大西一生、天野裕己、藤元直樹、洗平昌晃、新田州吾、本田善央、天野浩、寒川義裕、白石賢二, "MgOを用いたMgドープGaNのHVPE成長における気相反応の熱力学的解析", 第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, オンライン開催, Fr-P11, 2020/07/31

[19]冨田 大輔,"PVT properties of the ammonia + ammonium halide mixtures",properties of the ammonia + ammonium halide mixtures ,日本化学会, 千葉県野田市, 2PC-04, 2020/3/23

[20]古澤 優太、 Orysia Zaremba、 大野 雄高、 本田 善央、 天野 浩,"深紫外LED 電極 に向けた カーボンナノチューブ の仕事関数制御",第67回応用物理学会春季学術講演会 , 応用物理学会, 東京都千代田区, 15a-A403-3, 2020/3/15

[21]蔡　文トウ、 久志本 真希、 出来 真斗、田中 敦之、新田 州吾、本田 善央、天野 浩,"表面積制御によるマイクロプレート型多色発光LEDの同時成長",第67回応用物理学会春季学術講演会 ,応用物理学会, 東京都千代田区, 15a-A302-6, 2020/3/15

[22]酒井 忠慶、 久志本 真希、 張 梓懿、 杉山 直治、 本田 善央、 笹岡 千秋、 天野 浩,"ALD 法によりDBR を形成されたAlGaN UVC LD の室温パルス発振",第67回応用物理学会春季学術講演会 ,応用物理学会, 東京都千代田区, 15p-A302-12, 2020/3/15

[23]佐藤 大樹、本田 杏奈、 小泉 淳、 西谷 智博、 本田 善央、天野 浩,"InGaN 半導体フォトカソードにおける量子効率のInGaN 膜厚依存性",第67回応用物理学会春季学術講演会 ,応用物理学会, 東京都千代田区, 15a-D215-11, 2020/3/15

[24]本田善央、田中敦之、川崎晟也、出来真斗、天野浩,"GaN によるpn 接合ダイオード中の欠陥観察と逆方向リーク電流源の解明",第67回応用物理学会春季学術講演会 ,応用物理学会, 東京都千代田区, 14p-A201-7, 2020/3/14

[25]大西一生、天野裕己、藤元直樹、新田州吾、本田善央、天野浩,"MgOを用いたMg添加GaNのハライド気相成長",第67回応用物理学会春季学術講演会 ,応用物理学会, 東京都千代田区, 14p-A302-10, 2020/3/14

[26]天野 裕己、 大西一生、 藤元直樹、 渡邉浩崇、 新田州吾、 本田善央、 天野浩,"HVPE 法による不純物含浸セラミックスを用いたMg 添加GaN 成長",第67回応用物理学会春季学術講演会 ,応用物理学会, 東京都千代田区, 14p-A302-11, 2020/3/14

[27]川崎晟也、安藤悠人、田中敦之、塚越真悠子、谷川智之、出来真斗、久志本真希、新田州吾、本田善央、天野浩,"GaN 縦型p-n ダイオードにおける2 光子吸収光電流の測定",第67回応用物理学会春季学術講演会 ,応用物理学会, 東京都千代田区, 14a-B401-7, 2020/3/14

[28]安藤 悠人、 中村 徹、 出来 真斗、 田岡 紀之、 渡邉 浩崇、 田中 敦之、 新田 州吾、 本田 善央、 山田 永、 清水 三聡、 天野 浩,"ゲート電極形成プロセスがAl2O3/GaN 界面特性に与える影響",第67回応用物理学会春季学術講演会 ,応用物理学会, 東京都千代田区, 13a-B401-5, 2020/3/13

[29]呉 東臨、 叶 正、新田 州吾、本田 善央、Markus Pristovsek、 天野 浩,"MIn と金属Ga のトランスメタル化によるTMGa 生成の高分解能質量分析",第67回応用物理学会春季学術講演会 ,応用物理学会, 東京都千代田区, 13p-A302-9, 2020/3/13

[30]山田 剛大、 安藤 悠人、 渡邉 浩崇、 古澤 優太、 出来 真斗、 田中 敦之、 新田 州吾、 本田 善央、 須田 淳、 天野 浩,"GaN:C半絶縁層を用いた圧電駆動GaNカンチレバーの作製",第67回応用物理学会春季学術講演会 ,応用物理学会, 東京都千代田区, 13p-A302-8, 2020/3/13

[31]渡邉 浩崇、新田 州吾、安藤 悠人、出来 真斗、田中 敦之、本田 善央、天野 浩,"GaN 基板のオフ角度とMOVPE 成長ステップバンチングとの相関",第67回応用物理学会春季学術講演会 ,応用物理学会, 東京都千代田区, 12a-A302-1, 2020/3/12

[32]田中 敦之,"多光子PL顕微鏡によるGaN結晶中の転位観察及び電界分布観察",第五回セラミックコーティング研究体研究会 ,⽇本セラミックス協会, 兵庫県神戸市 ,2020/3/2

[33]天野 浩,"En Route to Realize Zero Carbon Emission",第18回ナノテクノロジー総合シンポジウム（JAPAN NANO 2020）, JAPAN NANO 2020事務局, 東京都, 2020/1/31

[34]西谷　智博,"半導体材料・機能性表面・光励起・ビーム物理の技術融合が実現する電子ビームイノベーション",電子情報通信学会 システムナノ技術に関する特別 研究専門委員会 (SNT)　第3回研究会 ,電子情報通信学会 システムナノ技術に関する特別 研究専門委員会 (SNT) ,東京都新宿区 ,2020/1/31

[35]天野 浩,"ペインキラーとしての窒化物半導体紫外線発光素子",第３回「深紫外LEDで創生される産業連鎖」フォーラム ,三重大学, 三重県津市, 2020/1/24

[36]西谷　智博,"電子ビームの技術刷新で挑む損傷敏感試料・動態・反応の微細領域観測",第２３８回　有機エレクトロニクス材料研究会「有機半導体、タンパク質の電子状態を動的に捉える」 ,有機エレクトロニクス材料研究会 ,愛知県名古屋市 ,A4-2p,2020/1/22

2019年

[1]新田　州吾,"窒化物半導体結晶成長解析用ソフトウェアの活用方法‐ HVPE法やMOVPE法での窒化物結晶成長解析 -",STR Japan 結晶成長解析セミナー2019 ,STR Japan ,神奈川県横浜市 , 2019/12/10

[2]天野 浩,"開発が進むAlGaN系半導体による深紫外線発光素子とその応用",第34回日本国際保健医療学会学術大会 ,日本国際保健医療学会, 三重県津市, 2019/12/8

[3]三浦史也、安藤 悠人、高橋 昌大、出来 真斗、 田中 敦之、渡邉 浩崇、久志本 真希、新田 州吾、本田 善央、天野 浩,"p-GaN エピ層中に Si イオン注入により形成した n-GaN の電気特性評価 ",先進パワー半導体分科会第6回講演会 ,応用物理学会　先進パワー半導体分科会 ,広島県広島市 ,IIB-22, 2019/12/4

[4]大西一生、 天野裕己、 藤元直樹、 新田州吾、 本田善央、 天野浩,"ハライド気相成長法を用いた高純度GaN成長",先進パワー半導体分科会第6回講演会 ,応用物理学会　先進パワー半導体分科会 , 広島県広島市 ,IA-18,(2019/12/3)

[5]安藤悠人、中村徹、出来真斗、田岡紀之、田中敦之、渡邉浩崇、久志本真希、新田州吾、本田善央、山田永、清水三聡、天野浩,"ゲート電極形成プロセスがAl2O3/GaN界面およびチャネル特性に与える影響",先進パワー半導体分科会第6回講演会 ,応用物理学会　先進パワー半導体分科会 ,広島県広島市 ,IA-22, 2019/12/3

[6]S. Schimmel, T. Steigerwald, M. Koch, P. Macher, P. Duchstein, A.-C. L. Kimmel, N. S. A. Alt, D. Zahn, R. Niewa, E. Schlücker, P. Wellmann,"In situ x-ray monitoring of ammonothermal reaction processes for advancing the understanding of AT GaN growth",第16回赤崎シンポジウム ,名古屋大学 赤﨑記念研究センター ,愛知県名古屋市,2019/11/29

[7]西谷　智博,"半導体フォトカソードで実現する１ショット電子顕微鏡",イメージング研究会「〜基礎物理から産業応用まで〜」 ,愛知県名古屋市 ,(2019/11/29)

[8]大西一生、 天野裕己、 藤元直樹、 新田州吾、 本田善央、 天野浩,"ハライド気相成長法を用いた高純度GaN成長",第３回電子材料若手交流会研究会 ,電子材料若手交流会（ISYSE）,茨城県つくばみらい市 ,(2019/11/3)

[9]本田 善央、久志本　真希、田中　敦之、新田　州吾、出来　真斗、天野　浩,"窒化物半導体の可能性",ポストLEDフォトニクス公開シンポジウム2019 ,徳島大学　ポストLEDフォトニクス研究所 ,徳島県南常三島町 ,(2019/10/15)

[10]山田 剛大、 安藤 悠人、 渡邉 浩崇、 出来 真斗、 田中 敦之、新田 州吾、 久志本 真希、本田 善央、天野 浩 ,"Photoelectrochemical Etching for GaN MEMS　（GaN MEMS 作製に向けた光電気化学エッチングの検討）",第39回電子材料シンポジウム ,電子材料シンポジウム委員会 ,奈良県橿原市 ,Fr2-6, (2019/10/11)

[11]隈部 岳瑠、小倉 昌也、田中 敦之、安藤 悠人、渡邉 浩崇、宇佐美 茂佳、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩,"エピタキシャルリフトオフ法によって作製された二次元正孔ガスを有するエミッタトップ型GaN-HBT",応用物理学会秋季学術講演会 , 応用物理学会,北海道札幌市 ,21a-E301-5, (2019/9/21)

[12]田中 敦之、伊ケ崎 泰則、河口 大祐、和仁 陽太郎、垣之内 啓介、今西 正幸、渡邉 浩崇、本田 善央、森 勇介、天野 浩,"レーザ剥離技術を用いて剥離したGaN基板の評価",応用物理学会秋季学術講演会 ,応用物理学会 ,北海道札幌市 ,21a-E310-10, (2019/9/21)

[13]田中 敦之、伊ケ崎 泰則、天野 浩,"レーザ剥離技術を用いたGaN基板再生手法",応用物理学会秋季学術講演会 ,応用物理学会 ,北海道札幌市 ,21a-E310-9, (2019/9/21)

[14]安藤 悠人、中村 徹、 出来 真斗、 田岡 紀之1、 田中 敦之、 渡邉 浩崇 久志本 真希、 新田 州吾、 本田 善央、 山田 永、 清水 三聡、 天野 浩,"GaN横型MISFETにおけるチャネル移動度に対する界面準位密度の影響2",応用物理学会秋季学術講演会 ,応用物理学会 ,北海道札幌市 ,20a-E301-10,(2020/9/20)

[15]田中敦之、安藤悠人、高橋昌大、三浦史也、川崎晟也、渡邉浩崇、久志本真希、出来真斗、新田州吾、本田善央、天野浩,"GaNパワーデバイスの実用化に向けた準備状況について",応用物理学会秋季学術講演会 ,応用物理学会 ,北海道札幌市 ,19p-B01-4, (2019/9/19)

[16]安田優斗、宇佐美茂佳、田中敦之、天野浩、加藤正史,"ＧａＮ縦型pnダイオード内部のキャリア寿命・ＥＬ分布",応用物理学会秋季学術講演会 ,応用物理学会 ,北海道札幌市 ,19a-E301-4, (2019/9/19)

[17]高橋 昌大、田中 敦之、安藤 悠人、渡邉 浩崇、出来 真斗、久志本 真希、新田 州吾、本田 善央、Kevin J. Chen、天野 浩,"GaNへの高温Mg/Fイオン共注入によるグリーンルミネッセンスの抑制",応用物理学会秋季学術講演会 ,応用物理学会 ,北海道札幌市 ,18p-N302-12, (2019/9/18)

[18]酒井 忠慶、 久志本 真希、 本田 善央、 天野 浩,"エッチング法を用いたAlGaN UV-C レーザーの光共振器作製",応用物理学会秋季学術講演会 ,応用物理学会 ,北海道札幌市 ,18a-E310-4, (2019/9/18)

[19]天野 浩,"産業競争力の鍵を握るプロセスインフォマティクスの展開とスパコン「富岳」の役割",ポスト「京」重点課題（７）「次世代の産業を支える新機能デバイス・高性能材料の創成」第5回シンポジウム ,東京大学物性研究所, 東京都, 2019/8/9

[20]天野 浩,"ロボットを効率よく駆動させる次世代半導体",福岡県ロボット・システム産業振興会議 , 福岡県, 福岡県福岡市, 2019/7/30

[21]安藤 悠人、 中村 徹、 出来 真斗、 渡邉 浩崇、 田中 敦之、 久志本 真希、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩,"GaN 基板上横型MIS FET における移動度の面方位依存性",第11回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 ,日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 ,広島県東広島市 ,Fr-P25, (2019/6/14)

[22]天野 浩,"ゼロエミッション社会構築の取り組み",九州地域循環共生圏シンポジウム ,環境省, 福岡県福岡市, 2019/5/18

[23]天野 浩,"健康長寿社会を支えるトランスフォーマティブエレクトロニクス",第30回日本医学会総会2019中部 ,日本医学会総会2, 愛知県名古屋市, 2019/4/27

[24]天野 浩,"世界を照らすLED",第71回日本産科婦人科学会学術講演会 ,日本産科婦人科学会会, 愛知県名古屋市, 2019/4/23

[25]佐藤 大樹、西谷 智博、 本田 善央 、天野 浩, 窒素暴露した半導体フォトカソードの加熱処理に伴う表面機能変化, 第66回　応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京, 12a-W834-5, 2019/3/12

[26]久志本真希，酒井 忠慶、出来 真斗、本田 善央、天野 浩, RFスパッタ法を用いたMgZnOの熱処理効果, 第66回　応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス,　東京, 10a-S011-7, 2019/3/10

2018年

[1]天野　浩,　トランスフォーマティブエレクトロニクスが築く４S社会,　名古屋大学,　愛知,　2018/12/27

[2]本田善央、宇佐美茂佳、田中敦、天野浩、窒化物半導体pnダイオードのエミッション顕微鏡観察, 第30 回半導体ワークショップ、ホテルクラウンパレス浜松、静岡, 2018/12/26

[3]Michal Stanislaw Bockowski. Bulk GaN - prospects for J-P cooperation. 日本－ポーランド　結晶科学ワークショップ. ヴィサージュ（石川県金沢市）. 2018/11/17

[4]厳瑾，高橋昌大，出来真斗，田中敦之、久志本真希，新田州吾，本田善央，永山勉，天野浩, Ga面へMgイオン注入を行ったGaNへのフラッシュランプアニール効果(Effect of Flash Lamp Anneal in Mg ion implanted layers form on Ga-face of GaN), 先進パワー半導体分科会, 京都テルサ, 京都, IA-12, 2018/11/6

[5]安藤 悠人, 中村 徹, 出来 真斗, 田中 敦之, 宇佐美 茂佳, Ousmane 1 Barry,　久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, GaN基板上横型MISFETにおける移動度の面方位依存性（The plane orientation dependence of mobility in lateral MISFET fabricated on GaN substrate.）, 先進パワー半導体分科会, 京都テルサ, 京都, IA-26, 2018/11/6

[6]天野　浩,　世界を照らすLED,　第65回日本泌尿器科学会中部総会, 名古屋国際会議場,　愛知,　2018/10/5

[7]久志本真希，酒井忠慶、古澤優太、出来真斗、本田善央、天野浩. RF スパッタ法を用いた紫外透過 MgZnO 透明導電膜の作製. 日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会　第110回研究会・特別公開シンポジウム. 東京大学. 東京. 2018/9/27

[8]酒井忠慶、久志本真希、出来真斗、本田善央, 天野浩. 深紫外透明電極応用に向けたMgZnO薄膜の組成制御. 日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会　第110回研究会・特別公開シンポジウム. 東京大学. 東京. 2018/9/27

[9]安藤 悠人, 中村 徹, 出来 真斗, 田中 敦之, 宇佐美 茂佳, Ousmane 1 Barry, 久志本 真希, 新田州吾, 本田 善央, 天野 浩, GaN 基板上横型MIS FET における移動度の面方位依存性, 第79回応用物理学会　秋季学術講演回, 名古屋国際会議場, 愛知, 21a-331-5, 2018/9/21

[10]田中敦之, 宇佐美茂佳, 福島颯太, 安藤悠人, 久志本真希, 出来真斗,　新田州吾, 本田善央, 天野浩, GaNデバイスのキラーとなる転位欠陥とその低減法, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, 愛知, 20p-CE-2, 2018/9/20

[11]宇佐美茂佳、福島颯太、安藤悠人、田中敦之、久志本真希、出来真斗、新田州吾、本田善央、天野浩, GaN自立基板上pnダイオード逆方向リーク電流の成長条件依存性II, 第79回応用物理学会　秋季学術講演回, 名古屋国際会議場, 愛知, 20p-331-2, 2018/9/20

[12]福島颯太、宇佐美茂佳、安藤悠人、田中敦之、出来真斗、久志本真希、新田州吾、本田善央、天野浩, アバランシェ降状現象観測可能な垂直深掘りメサ型pnダイオードの電気的特性評価, 第79回応用物理学会　秋季学術講演回, 名古屋国際会議場, 愛知, 20p-331-1, 2018/9/20

[13]Qiang Liu, Naoki Fujimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, CFD simulation study of the gas flow balance in a new vertical HVPE reactor for low cost bulk GaN crystal growth, 第79回応用物理学会　秋季学術講演回, 名古屋国際会議場, 愛知, 19p-PA4-20, 2018/9/19

[14]高橋 昌大, 田中 敦之, 宇佐美 茂佳, 安藤 悠人, 出来 真斗, 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 高温でMgイオン注入されたGaNの特性評価, 第79回応用物理学会　秋季学術講演回, 名古屋国際会議場, 愛知, 19p-CE-17, 2018/9/19

[15]Manato Deki, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda1, and Hiroshi Amano, Crystal plane dependence of interface states density in c- and m-plane GaN MOS capacitors, 第79回応用物理学会　秋季学術講演回, 名古屋国際会議場, 愛知, 19p-CE-2, 2018/9/19

[16]佐藤 大樹，西谷 智博、 本田 善央 、天野 浩, 大気暴露したGaN 半導体フォトカソードの加熱処理に伴う表面状態の光電子分光観測, 第79回応用物理学会　秋季学術講演回, 名古屋国際会議場, 愛知, 18p-431B-11, 2018/9/18

[17]伊佐雄太、斉藤武尊, 中村文彦, 神山祐輔, 八木修一, 河合弘治、田中敦之, 本田善央, 天野浩. '1.2kV級ノーマリーオフGaN-PSJ FET(1.2kV class Normally-off GaN Polarization Super Junction (PSJ) Transistors). 第79回応用物理学会　秋季学術講演回. 名古屋国際会議場. 愛知. 2018/9/18

[18]天野　浩,　世界を照らすLED,　第56回日本生物物理学会年会　市民講演会, 岡山大学,　岡山,　2018/9/16

[19]出来真斗，安藤悠人，渡邉浩崇，田中敦之，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩, オフ角を有するm面GaN基板上GaN-MOSキャパシタの界面準位評価, 第10回ﾅﾉ構造･ｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙ成長講演会, 名古屋大学, 愛知, Fr-P22, 2018/7/13

[20]田中敦之，永松謙太郎，久志本真希，出来真斗，新田州吾，本田善央，天野浩, 多光子PL顕微鏡による窒化ガリウム中転位の三次元観察, 第10回ﾅﾉ構造･ｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙ成長講演会, 名古屋大学, 愛知, Fr-P23, 2018/7/13

[21]宇佐美茂佳，安藤悠人，福島颯太，田中敦之，出来真斗，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩, GaN自立基板上pnダイオードにおけるリーク電流のMOCVD成長圧力依存性, 第10回ﾅﾉ構造･ｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙ成長講演会, 名古屋大学, 愛知, Fr-P20, 2018/7/13

[22]Qiang Liu, Naoki Fujimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Parasitic deposition inhibition with barrier gas in a New Vertical HVPE Reactor with Showerhead Nozzle, 第10回ﾅﾉ構造･ｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙ成長講演会, 名古屋大学, 愛知, Fr-P7, 2018/7/13

[23]安藤悠人，永松謙太郎，田中敦之，宇佐美茂佳，出来真斗，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩, m面GaN基板上SBDにおける障壁高さの金属仕事関数依存性, 第10回ﾅﾉ構造･ｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙ成長講演会, 名古屋大学, 愛知, Fr-P21, 2018/7/13

[24]福島颯太，安藤悠人，宇佐美茂佳，田中敦之，出来真斗，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩, GaN 縦型pnダイオードの垂直メサ型耐圧構造評価, 第10回ﾅﾉ構造･ｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙ成長講演会, 名古屋大学, 愛知, Fr-P19, 2018/7/13

[25]新田州吾，田中敦之，出来真斗，本田善央，天野浩, GaNパワーデバイスに向けた自立基板およびエピタキシャル成長技術の進展と課題, （独）日本学術振興会 結晶成長の科学と技術 第161委員会第106回研究会「 2025年結晶産業の未来　―　パワーデバイス編　―」, 名古屋大学, 愛知, 2018/7/6

[26] Qiang LIU, Naoki Fujimoto, Shugo Nitta, Yashio Honda, Hiroshi Amano, "Study of showerhead nozzle configuration in vertical HVPE reactor for large size bulk GaN crystal growth", 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学, 東京, 18a-E202-4, (43177)

[27] 叶 正, 新田 州吾, 永松 謙太郎, 本田 善央, 天野 浩, "高分解能質量分析によるⅢ族窒化物半導体気相成長のためのアンモニア分解及び反応の解析", 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学, 東京, 17p-E202-15, (2018/03/17-20)

[28] 安藤 悠人, 永松 謙太郎, 田中 敦之, 宇佐美 茂佳, バリー ウスマン1, 出来 真斗, 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, "m面GaN基板上SBDにおける障壁高さの金属仕事関数依存性", 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学, 東京, 18a-C302-2, (2018/03/17-20)

[29] 宇佐美 茂佳, 福島 颯太, 安藤 悠人, 田中 敦之, 永松 謙太郎, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, "GaN自立基板上pnダイオード逆方向リーク電流の成長条件依存性", 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学, 東京, 18a-C302-4, (2018/03/17-20)

[30] 宇佐美 茂佳, 菅原 義弘, 姚 永昭, 石川 由加里, 間山 憲仁, 戸田 一也, 安藤 悠人, 田中 敦之, 永松 謙太郎, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, "3DAPおよびLACBED法によるGaN自立基板上pnダイオードのリークの起源調査", 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学, 東京, 18a-C302-5, (2018/03/17-20)

[31] 田中 大睴, 永松 謙太郎, 山田 永, 山田 寿一, 熊谷 義直, 新田 州吾, 本田 善央, 清水 三聡, 天野 浩, "HVPE法によるAIGaNの薄膜成長", 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学, 東京, 18a-E202-8, (2018/03/17-20)

[32] 田中 敦之, 宇佐美 茂佳, 安藤 悠人, 永松 謙太郎, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, "GaN中転位の三次元観察と転位がパワーデバイスに与える影響", 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学, 東京, 19p-E202-6, (2018/3/19)

[33] 出来 真斗, 曾根 和詩, 永松 謙太郎, 田中 敦之, 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, "GaN表面への酸化プロセスがALD-Al2O3/GaN界面の電気特性に与える影響", 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学, 東京, 18p-C302-3, (2018/03/18)

[34] 上岡 義弘, 出来 真斗, 本田 善央, 天野 浩, "Ga2O3保護膜による縦型GaNダイオードの耐圧向上", 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学, 東京, 18a-C302-7, (2018/03/18)

[35] 佐藤 真一郎, 出来 真斗, 中村 徹, 大島 武, "窒化ガリウム半導体に高温イオン注入したプラセオジム(Pr)の発光観測", 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学, 東京, 18a-C302-7, (2018/03/18)

[36]酒井 忠慶, 久志本 真希, 出来 真斗, 本田 善央, 天野 浩, 深紫外透明電極応用に向けたMgZnO 薄膜の吸収端制御 Controlling MgZnO absorption edge toward deep-UV transparent electrode application, 第66回　応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス,　東京, 11p-S011-12, 2019/3/11

[37]宇佐美　茂佳、田中　敦之、福島颯太、安藤　悠人、出来　真斗、新田　州吾、本田　善央、天野　浩, 深堀メサ型 GaN 縦型 pnダイオード絶縁破壊電界の貫通転位密度依存性, 第66回　応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス,　東京, 10a-M121-2, 2019/3/10

[38]川崎 晟也，福島 颯太，宇佐美 茂佳，安藤 悠人，田中 敦之，出来 真斗，久志本 真希，新田 州吾，本田 善央，天野浩, サブバンドギャップ光を用いたGaN中二次元電界マッピング手法の提案, 第66回　応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス,　東京, 10a-M121-3, 2019/3/10

[39]大山　武浩、叶　正、久志本　真希、新田　州吾、本田　善央、天野　浩, 飛行時間型質量分析法を用いたトリメチルアルミニウムとアンモニアの気相反応分析, 第66回　応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス,　東京, 10a-W541-2, 2019/3/10

[40]天野　浩,　何故青色LEDは日本で生まれたか,　第66回応用物理学会春季学術講演会,　東京工業大学,　東京,　2019/3/9

[41]安藤 悠人, 中村 徹, 出来 真斗, 宇佐美 茂佳, 田中 敦之, 渡邉 浩崇, 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, GaN 横型MISFET チャネル移動度に対する界面準位の影響, 第66回　応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス,　東京, 9p-M121-9, 2019/3/9

[42]宇佐美　茂佳、田中　敦之、福島颯太、安藤　悠人、出来　真斗、新田　州吾、本田　善央、天野　浩, GaN 自立基板上pnダイオードの逆方向リーク電流とナノパイプ壁面に存在する不純物との関係, 第66回　応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス,　東京, 9a-W541-11, 2019/3/9

[43]宇佐美　茂佳、田中　敦之、間山 憲仁, 戸田 一也, 菅原 義弘, 姚 永昭, 石川 由加里、安藤　悠人、出来　真斗、新田　州吾、本田　善央、天野　浩, GaN 自立基板上pn ダイオードの逆方向リーク電流と貫通螺旋転位周りに存在するMg との関係, 第66回　応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学大岡山キャンパス,　東京, 9a-W541-10, 2019/3/9

[44] 本田 善央, 宇佐美 茂佳, 天野 浩, "光電流測定によるLED内部量子効率評価, 学振162委員会第107回研究会", 上智大学, 東京, (2018/3/5)

[45] 本田 善央, 宇佐美 茂佳, 加藤 雅人, 佐藤 大樹, 西谷 智博, 天野 浩, "レーザー散乱を用いた InGaN成長のその場観察", 第13回励起ナノプロセス研究会, 淡路夢舞台国際会議場, 兵庫県, (2018/1/20)

2017年

[1] 河野 司, 久志本 真希, 永松 謙太郎, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, "-c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究", 電子情報通信学会 電子デバイス研究会, 名古屋工業大学, 愛知, ED2017-53, (2017/11/30)

[2] 田中 敦之, 宇佐美 茂佳, 安藤 悠人, 永松 謙太郎, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, "多光子PLを用いたGaN・GaNエピ層中の転位観察", 第46回結晶成長国内会議, ホテルコンコルド浜松,　静岡, 27a-C05, (2017/11/27)

[3] 天野 浩, "Transformative Electronicsが築く未来社会, 先進パワー半導体分科会", 名古屋国際会議場, 愛知, (2017/11/2)

[3] 天野 浩, "トランスフォーマティブエレクトロニクスが支える新しいモビリティシステム", IEEE Metro Area Workshop in Nagoya (MAW2017), 中京大学, 愛知, (2017/10/8)

[5] 天野 浩, "Transformative Electronicsが拓く未来社会", 電子情報通信学会創立100周年記念事業　東海支部講演会, 名古屋大学, 愛知, (2017/9/26)

[6] 佐藤 真一郎, 岡田 浩, 出来 真斗, 中村 徹, 若原 昭浩, 大島 武, "窒化ガリウム中の単一希土類元素からの発光観測を目指したイオン注入法および熱処理条件の検討", 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場, 福岡, 8a-A414-1, (2017/09/08)

[7] 宇佐 美茂佳, 福島 颯太, 安藤 悠人, 田中 敦之, 永松 謙太郎, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, "転位密度の異なるGaN自立基板上PNダイオードのキラー転位解析", 第78回応用物理学会　秋季学術講演会, 福岡国際会議場, 福岡, 6a-C17-6, (2017/9/5-8)

[8] Zhibin Liu, Shugo Nitta, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "The effect of the environment temperature of the wafer on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy", 第78回応用物理学会　秋季学術講演会, 福岡国際会議場, 福岡, 8a-A301-8, (2017/9/5-8)

[9] 安藤 悠人, 永松 謙太郎, 田中 敦之, 宇佐美 茂佳, バリー ウスマン1, 出来 真斗, 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, "オフ角の異なるm 面GaN 基板上Si ドープ厚膜SBD", 第78回応用物理学会　秋季学術講演会, 福岡国際会議場, 福岡, 5p-C17-6, (2017/9/5-8)

[10] 小倉 昌也, 安藤 悠人, 宇佐 美茂佳, 田中 敦之, 出来真斗, 本田善央, 八木 修一, 河合 弘治, 天野 浩, "ソース電極をショットキー接合としたノーマリーオフ型PSJの設計", 第78回応用物理学会 秋季学術講演会, 福岡国際会議場, 福岡, 7p-S22-11, (2017/9/5-8)

2025年

[1] Jia Wang, Amano Hiroshi, "Mg-intercalated GaN superlattices and 2D-Mg doping of GaN", ISPlasma2025/IC-PLANTS2025, 06aC01I, 2025/03/06, Kasugai, Aichi, Japan

[2] Jia Wang, "Observation of 2D-Mg intercalation into wurtzite nitride semiconductor", The 68th FNTG (Fullerenes-Nanotubes-Graphene General) Symposium, 21-1, 2025/03/04, Nagoya, Aichi, Japan

[3] T. Nishitani, D. Sato, Y. Arakawa, K. Niimi, Y. Otsuka, M. Yasuda, A. Koizumi, H. Iijima, Y. Honda, H. Amano, "High-speed modulation of probe current using scanning electron microscope with photocathode technology", SPIE Advanced Lithography + Patterning 2025, 13426-133, 2025/02/26, San Jose, California, USA

[4] Tae-Yeon Seong, Jeong-Hwan Park, Markus Pristovsek, Hiroshi Amano, "Micro-light emitting diodes: effects of size, contact schemes, V pits, and dislocations", SPIE Photonics West, 13386-9, 2025/01/27, San Francisco, California, USA

[5] Yoshiki Saito, Atsushi Miyazaki, Shinya Boyama, Koji Okuno, Masaki Oya, Keita Kataoka, Tetsuo Narita, Kayo Horibuchi, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Hisanori Ishiguro, Tetsuya Takeuchi, Kohei Shima, Shigefusa F Chichibu, "Development for long lifetime and high efficiency DUV LEDs", SPIE Photonics West, 13366-52, 2025/01/30, San Francisco, California, USA

[6] Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Akira Yoshikawa, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano, Koji Aoto, , "Recent progress in the development of AlGaN-based deep-ultraviolet laser diodes", SPIE Photonics West, 13366-24, 2025/01/28, San Francisco, California, USA

[7] Y. Honda, S. F. Chichibu, K. Shima, A. Tanaka, A. Miyazaki, S. Boyama, K. Okuno , Y. Saito, R. Tsukamoto, M. Kushimoto, H. Amano, T. Takeuchi, "Power degradation mechanism of UV-C LEDs under current stress", SPIE Photonics West, 13366-47, 2025/01/30, San Francisco, California, USA

2024年

[1] Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Akio Wakejima, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Akira Sakai, "In situ nanobeam X-ray diffraction of vertical power devices grown on OVPE-GaN substrates", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 508, 2024/11/05, Honolulu, Hawaii, USA

[2] Shigefusa Chichibu, Kazuki Ohnishi, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Kohei Shima, "Room-temperature photoluminescence lifetimes of Mg-doped p-type GaN layers grown by halide vapor phase epitaxy", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 241, 2024/11/08, Honolulu, Hawaii, USA

[3] Shigefusa Chichibu, Kohei Shima, Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Hiroko Iguchi, Tetsuo Narita, Keita Kataoka, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Jun Suda, Hiroshi Amano, Tetsu Kachi, Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Yasuo Koide, "Minority carrier capture coefficients of major midgap recombination centers in the state-of-the-art GaN substrates, epilayers, and Mg-implanted layers", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 229, 2024/11/06, Honolulu, Hawaii, USA

[4] Taishi Kimura, Hiroki Shimazu, Keita Kataoka, Kenji Itoh, Tetsuo Narita, Akira Uedono, Yutaka Tokuda, Daiki Tanaka, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, Daisuke Nakamura, "Reduced Unintentional Impurity Incorporation in Lightly Doped N-Type Gallium Nitride Layer Grown via Halogen-Free Vapor Phase Epitaxy", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 549, 2024/11/06, Honolulu, Hawaii, USA

[5] Verdad Agulto, Toshiyuki Iwamoto, Kosaku Kato, Jia Wang, Hiroshi Amano, Makoto Nakajima, "Advancing Nitride Semiconductor Characterization through Terahertz Time-Domain Spectroscopy and Ellipsometry", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 467, 2024/11/05, Honolulu, Hawaii, USA

[6] Shashwat Rathkanthiwar, Maki Kushimoto, Hiroshi Amano, Yudai Shimizu, Kazutada Ikenaga, Mayank Bulsara, Keitaro Ikejiri, Leo J Schowalter, "Impact of growth conditions on IQE of Far-UVC LEDs", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 575, 2024/11/05, Honolulu, Hawaii, USA

[7] Anna Honda, Hirotaka Watanabe, Takeshi Kato, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Optical and magnetic properties of GaN crystals varied C doping concentration", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 25, 2024/11/04, Honolulu, Hawaii, USA

[8] Markus Pristovsek, Joeng-Hwan Park, Wong Kwoon, Haejong Cheong, Hiroshi Amano, "Tailoring carrier localization in InGaN QW for enhanced EQE in micro-LEDs by introducing a SiNx interlayer", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 146, 2024/11/05, Honolulu, Hawaii, USA

[9] Biplab Sarkar, Jia Wang, Hiroshi Amano, "GaN Camel Diode: A Unipolar Diode Enabled by the Mg-diffusion Process in III-polar and N-polar GaN", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 269, 2024/11/08, Honolulu, Hawaii, USA

[10] Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano, "Deep ultraviolet semiconductor laser with polarisation control technology", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 651, 2024/11/05, Honolulu, Hawaii, USA

[11] Takeru Kumabe, Akira Yoshikawa, Seiya Kawasaki, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Manabu Arai, Jun Suda, Hiroshi Amano, "High-Al-Content AlGaN p-n Diodes Enabled by Distributed Polarization Doping", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 552, 2024/11/04, Honolulu, Hawaii, USA

[12] Woong Kwon, Yuta Itoh, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Fabrication of GaN vertical junction barrier Schottky diode using N/Mg ion-implantation", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 473, 2024/11/08, Honolulu, Hawaii, USA

[13] Atsushi Tanaka, Toshiki Yui, Tomomi Aratani, Takashi Ishida, Yoshio Honda, Junji Ohara, Takashi Kanemura, Yoshitaka Nagasato, Schoichi Onda, Jun Suda, Hiroshi Amano, "Influence of laser processing point on GaN Crystal in laser slicing", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 165, 2024/11/05, Honolulu, Hawaii, USA

[14] Wentao Cai, Jia Wang, Yuta Furusawa, Heajeong Cheong, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "The Study of Stress Relaxation Mechanism in the Dislocation- and Pit-free InGaN Platelet Structure", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 374, 2024/11/05, Honolulu, Hawaii, USA

[15] Yingying Lin, Jia Wang, Haitao Wang, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Surface Accumulation of Beryllium in Aluminum Nitride by Post-ion Implantation Diffusion", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 354, 2024/11/05, Honolulu, Hawaii, USA

[16] Heajeong Cheong, Takashi Nakamura, Atsushi Tanaka, Hiroshi Amano, "Investigation of Heating Response of GaN using Single-Mode Microwave Annealing and Development of Heating Process", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 377, 2024/11/05, Honolulu, Hawaii, USA

[17] Yuta Furusawa, Cai Wentao, H. J. Cheong, Hiroshi Amano, "All-GaN-Based Monolithic HEMT-Integrated Micro-LED Pixels for Active Matrix Displays", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 356, 2024/11/06, Honolulu, Hawaii, USA

[18] Haitao Wang, Jia Wang, Yingying Lin, Zhiyuan Yang, Hirotaka Watanabe, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami, Junho Choi, Hiroshi Amano, "Mechanically Induced Electron-Hole Separation at GaN/Si Heterojunction Interfaces under Polarization Synergy", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 343, 2024/11/06, Honolulu, Hawaii, USA

[19] Jia Wang, Hiroshi Amano, "2D-Mgi doping in GaN: A fresh look at the interplay of GaN and interstitial Mg", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 291, 2024/11/05, Honolulu, Hawaii, USA

[20] Hiroki Toyoda, Woong Kwon, Seiya Kawasaki, Yuta Furusawa, Ryoko Tsukamoto, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Development of Current-narrowing Structure for GaN Devices Using Photo Enhanced Chemical Etching", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 349, 2024/11/08, Honolulu, Hawaii, USA

[21] Yuto Yamada, Takeru Kumabe, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Investigation of Growth Conditions to Reduce Impurity Concentration in Quaternary AlGaInN Grown by MOVPE", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 71, 2024/11/05, Honolulu, Hawaii, USA

[22] Eito Kokubo, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Investigation of source-connected polarization superjunction (PSJ) FET using PSJ structure as a freewheeling diode for reverse conduction", 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), 157, 2024/11/08, Honolulu, Hawaii, USA

[23] Ren Obata, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda and Hiroshi Amano, "Electrical Characteristics of p-GaN MIS Capacitors Fabricated in situ", 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2024), TB1-4, 2024/10/15, Busan, Korea

[24] Woong Kwon, Yuta Itoh, Seiya Kawasaki, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Degradation and Recovery of I-V Characteristics of n-GaN Schottky Barrier Diode due to HighTemperature Annealing and Surface Etching Process", 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2024), TB1-6, 2024/10/15, Busan, Korea

[25] Wentao Cai, Jia Wang, Yuta Furusawa, Heajeong Cheong, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "The Study of Stress Relaxation Mechanism in the Dislocation- and Pit-free InGaN Platelet Structure ", ASPIRE/CIRFE Symposium, -, 2024/10/11, Nagoya, Aichi, Japan

[26] Yingying Lin, Jia Wang, Haitao Wang, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Surface accumulation of beryllium in aluminum nitride by post-ion implantation diffusion", ASPIRE/CIRFE Symposium, -, 2024/10/11, Nagoya, Aichi, Japan

[27] Haitao Wang, Jia Wang, Yingying Lin, Hiroshi Amano, "Mechanically Induced Electron-Hole Separation at GaN/Si Heterojunction Interfaces under Polarization Synergy Structure", ASPIRE/CIRFE Symposium, -, 2024/10/11, Nagoya, Aichi, Japan

[28] Jia Wang, "Physical properties and device applications of metal Mg-intercalated GaN superlattice (MiGs) nanostructures and their implications for the ultra-high doping of AlN and Al2O3", ASPIRE/CIRFE Symposium, -, 2024/9/13, 2024/10/11, Nagoya, Aichi, Japan

[29] Takeru Kumabe, Akira Yoshikawa, Seiya Kawasaki, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Manabu Arai, Jun Suda, and Hiroshi Amano, "Demonstration of AlGaN-on-AlN p-n Diodes with Dopant-free Distributed Polarization Doping", E-MRS 2024 Fall Meeting, 411, 2024/09/19, Warsaw, Poland

[30] Shugo Nitta, Ryo Furukawa, Daisuke Yahara, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Decomposition and reaction of ammonia in nitride MOVPE condition analyzed by time-of-flight mass spectrometry", 8th European Conference on Crystal Growth (ECCG-8), S1.06, 2024/07/22, Warsaw, Poland

[31] Kazuki Ohnishi, Kansuke Hamasaki, Shugo Nitta, Naoki Fujimoto, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Recent progress of halide vapor phase epitaxy for GaN vertical power devices", The 9th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-9), 01-0172, 2024/06/24, Jeju, Korea

[32] Hiroshi Amano, "Vertical devices on bulk nitride substrates", GaN Marathon 2024, -, 2024/06/10, Verona, Italy

[33] Yingying Lin, Jia Wang, Markus Pristovsek, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Anisotropic hole transport along [0001] and [112 ̅0] direction in p-doped (101 ̅0) GaN", GaN Marathon 2024, -, 2024/06/11, Verona, Italy

[34] Saskia Schimmel, Daisuke Tomida, Tohru Ishiguro, Yoshio Honda, Shigefusa F. Chichibu, Hiroshi Amano, "Transition from etch-back to growth conditions during ammonothermal growth of GaN – a transient numerical model for convective flow and temperature distribution in a retrograde solubility configuration", GaN Marathon 2024, -, 2024/06/11, Verona, Italy

[35] Shun Lu, Manato Deki, Jia Wang, Hirotaka Watanabe, Eito Kokubo, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Recess-etching-free GaN p-MOSFET achieved by p-type contact to GaN/AlGaN heterojunction with Mg-annealing process", GaN Marathon 2024, -, 2024/06/10, Verona, Italy

[36] Shugo Nitta, Daisuke Yahara, Ryo Furukawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Reaction Activation of Ammonia in Nitrides MOVPE Analyzed by Time-of-Flight Mass Spectrometry with Isotope Tracking", International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXI), 2B-2.2 , 2024/05/14, Las Vegas, Nevada, USA

[37] Yuto Yamada, Takeru Kumabe, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda and Hiroshi Amano , "The In incorporation corresponding to TMA flow in MOVPE Growth of AlGaInN", International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXI), PS-1.7, 2024/05/14, Las Vegas, Nevada, USA

[38] M. Kushimoto, Z. Zhang, A. Yoshikawa, K. Aoto, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano, "Advancements in AlGaN-Based Laser Diodes on AlN Substrates", 21st International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXI), 4C-2.1, 2024/05/16, Las Vegas, Nevada, USA

[39] Atsushi Kobayashi, Takuya Maeda, Yoshio Honda, "Epitaxial Growth of Transition Metal Nitrides on Nitride Semiconductors", LEDIA2024, [LEDIA6-01] , 2024/04/25, Yokohama. Kanagawa, Japan

[40] T Sakurai, K. Ando, R. Kudo, S. Kawasaki, K. Takagi, J. Nishizawa, M. Hino, Y. Honda, H. Amano, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano, "Evaluation of neutron detection characteristics of BGaN detector using long wavelength neutron beam", LEDIA2024, [LEDIA-SP-07] [LEDIAp-07], 2024/04/24, Yokohama. Kanagawa, Japan

[41] Ryohei Kubo, Tatsuhiro Sakurai, Eito Kokubo, Seiya Kawasaki, Katsuyuki Takagi, Junichi Nishizawa, Tetsuichi Kishishita, Yoshinori Sakurai, Hiroshi Yashima, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoku Inoue, Toru Aoki, Takayuki Nakano, "Fabrication and Evaluation of Low-B Composition and High Crystallinity BGaN Neutron Detectors for Nuclear Reactor", LEDIA2024, [LEDIA-SP-12] [LEDIAp-12] , 2024/04/24, Yokohama. Kanagawa, Japan

[42] S. Usami, J. Takino, M. Imanishi, T. Sumi, H. Watanabe, S. Nitta, Y. Honda, Y. Okayama, H. Amano, Y. Mori, "Origin of reverse leakage current in vertical pn junction diode on OVPE- GaN substrate", LEDIA2024, [LEDIA6-04] , 2024/04/25, Yokohama. Kanagawa, Japan

[43] Yoshiki Saito, Atsushi Miyazaki, Shinya Boyama, Koji Okuno, Masaki Oya, Keita Kataoka, Tetsuo Narita, Kayo Horibuchi, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Hisanori Ishiguro, Tetsuya Takeuchi, Kohei Shima, Shigefusa F Chichibu, "Technology development for long life and high efficiency DUV LEDs", LEDIA2024, [LEDIA1-03(Invited)] , 2024/04/24, Yokohama. Kanagawa, Japan

[44] Yoshio Honda, Yuta Furusawa, Ryoko Tsukammoto, Yoshiki Saito, Koji Okuno, Shinya Boyama, Atsushi Miyazaki, Maki Kushimoto, Hiroshi Amano, "Separation of AlGaN-based LED structures from AlN/sapphire template by photoelectrochemical etching", LEDIA2024, [LEDIA-SP-08] [LEDIAp-08] , 2024/04/24, Yokohama. Kanagawa, Japan

[45] M. Kushimoto, T. Tanaka, Y. Honda, and H. Amano, "Heterojunction contact layer UV LED with MgZnO:Ga as p-side contact layer", LEDIA2024, [LEDIA2-03] , 2024/04/24, Yokohama. Kanagawa, Japan

[46] Heajeong Cheong, Jeong-Hwan Park, Markus Pristovsek, Woong Kown, Hiroshi Amano, "Investigation of sidewall-surface recombination using InGaN based blue and red micro-LEDs", LEDIA2024, [LEDIA-SP-03] [LEDIAp-03] , 2024/04/24, Yokohama. Kanagawa, Japan

[47] Yuta Arakawa, Kotaro Niimi, Yohei Otsuka, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "SEM imaging of high aspect ratio trench by selectively controlling the electron beam irradiation using photocathode", SPIE Advanced Lithography + Patterning, Paper 12955-111, 2024/02/28, San Jose, California, USA

[48] Daiki Sato, Yuta Arakawa, Kotaro Niimi, Atsushi Koizumi, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Local voltage contrast changes in MOSFET using scanning electron microscopy with photoelectron beam technology", SPIE Advanced Lithography + Patterning, Paper 12955-78, 2024/02/28, San Jose, California, USA

[49] Tomohiro Nishitani, Yuta Arakawa, Kotaro Niimi, Yohei Otsuka, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Photoelectron beam from semiconductor photocathodes leading to new inspection technologies", SPIE Advanced Lithography + Patterning, Paper 12955-110, 2024/02/28, San Jose, California, USA

[50] A. Tanaka, T. Yui, T. Aratani, K. Hara, H. Watanabe, Y. Honda, A. Wakejima, Y. Ando, H. Amano, "Laser slicing of GaN", SPIE Photonics West, Paper 12886-3, 2024/01/29, San Francisco, California, USA

2023年

[1] Atsushi Kobayashi, Yoshio Honda, Takuya Maeda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka, "Structural Properties of Epitaxial ScAlN Films Grown by Sputtering: Experimental and Machine Learning Approaches", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), GR13-2, 2023/11/16, Fukuoka, Japan

[2] Yuya Nagashima, Hirotaka Watanabe, Syugo Nitta, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, "Theoretical analysis of TMI degradation pathway in InN MOVPE growth", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), TuP-GR-31, 2023/11/14, Fukuoka, Japan

[3] Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Yoshio Honda, Leo J Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano, "Development of Room Temperature Continuous-Wave Deep Ultraviolet Laser Diodes", 30th International Display Workshops (IDW '23), PH2-1, 2023/12/07, Niigata, Japan

[4] Taketo Haruki, Shogo Ando, Tetsuya Yagi, Hiroshi Amano, Yasumasa Iwatani, Kotaro Takamure and Uchiyama Tomomi, "Measurement of particle collection efficiency of flat plate electrode type electrostatic precipitator", International Conference on Materials and Systems for Sustainability（ICMaSS 2023）, A8-P-2 (0016), 2023/12/02, Nagoya, Aichi, Japan

[5] Anna Honda, Hirotaka Watanabe, Wakana Takeuchi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano and Takeshi Kato, "Study of carbon behavior in highly carbon-doped GaN crystal", International Conference on Materials and Systems for Sustainability（ICMaSS 2023）, S2-Ⅲ-3 (0209), 2023/12/02, Nagoya, Aichi, Japan

[6] Ryohei Kudo, Tatsuhiro Sakurai, Seiya Kawasaki, Tetsuichi Kishishita, Yoshinori Sakurai, Hiroshi Yashima, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoku Inoue, Toru Aoki and Takayuki Nakano, "Development of BGaN diodes with high radiation tolerance for nuclear instrumentation system", International Conference on Materials and Systems for Sustainability（ICMaSS 2023）, S2-Ⅱ-4 (0180), 2023/12/02, Nagoya, Aichi, Japan

[7] Aina Hiyama Zazuli, Daisuke Inahara, Ryosuke Ninoki, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Minagi Miyamoto, Kai Fujii, Taisei Kimoto, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano and Yoichi Yamada, "Improvement of electrical properties of N-polar GaN/AlN high electron mobility transistor", International Conference on Materials and Systems for Sustainability（ICMaSS 2023）, S2-Ⅲ-7 (0204), 2023/12/02, Nagoya, Aichi, Japan

[8] Narihito Okada, Minagi Miyamoto, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Daisuke Inahara, Aina Hiyama, Kai Fujii, Satoshi Kurai and Yoichi Yamada, "Growth of high quality N-polar AlN on sapphire substrate by metal-organic vapor phase epitaxy", International Conference on Materials and Systems for Sustainability（ICMaSS 2023）, S2-Ⅲ-5 (0191), 2023/12/02, Nagoya, Aichi, Japan

[9] Shin-ichiro Sato, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Nanoscale Temperature Sensing Using Praseodymium Ions Implanted in Gallium Nitride Semiconductors", International Conference on Materials and Systems for Sustainability（ICMaSS 2023）, A3-P-14 (0108), 2023/12/02, Nagoya, Aichi, Japan

[10] Heajeong Cheong, Takashi Nakamura, Atsushi Tanaka, Hiroshi Amano, "Investigation of electric and magnetic field responses of GaN using a single-mode microwave annealing", International Conference on Materials and Systems for Sustainability（ICMaSS 2023）, S2-Ⅲ-2 (0222), 2023/12/02, Nagoya, Aichi, Japan

[11] Ren Obata, Takeru Kumabe, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Yoshio Honda and Hiroshi Amano, "Electrical characteristics of Al2O3/LT-AlN/GaN MIS capacitors fabricated by in situ growth", International Conference on Materials and Systems for Sustainability（ICMaSS 2023）, S2-Ⅱ-2 (0198), 2023/12/02, Nagoya, Aichi, Japan

[12] Eito Kokubo, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Fabrication of GaN Polarization Super Junction (PSJ) FET with built-in freewheeling diode", International Conference on Materials and Systems for Sustainability（ICMaSS 2023）, S2-Ⅲ-8 (0183), 2023/12/02, Nagoya, Aichi, Japan

[13] T. Kumabe, A. Yoshikawa, M. Kushimoto, Y. Honda, M. Arai, J. Suda, and H. Amano, "Demonstration of AlN-based Vertical p-n Diodes with Dopant-Free Distributed-Polarization Doping", 69th Annual IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 26-3 , 2023/12/12, San Francisco, California, USA

[14] T. Fujita, S.-I. Sato, M. Deki, H. Watanabe, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano, and H. Tsuchida, "Analysis of single ion induced signals in gallium nitrides toward deterministic single-ion implantation", 26th International Conference on Ion Beam Analysis, 18th International Conference on Particle Induced X-ray Emission (IBA-PIXE2023), 13a-B-3 , 2023/10/13, Toyama, Japan

[15] Ryohei Kudo, Tatsuhiro Sakurai, Seiya Kawasaki, Tetsuichi Kishishita, Yoshinori Sakurai, Hiroshi Yashima, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoku Inoue, Toru Aoki, Takayuki Nakano, "Fabrication and characterization of BGaN diodes for nuclear instrumentation system", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), ThP-ED-25, 2023/11/16, Fukuoka, Japan

[16] Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Akira Yoshikawa, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano, "Study on degradation of deep ultraviolet laser diode", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), ThP-OD-24, 2023/11/16, Fukuoka, Japan

[17] Yuji Mukaiyama, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Masaya Iizuka, Hiroshi Amano, "Modeling and validation of carbon incorporation in GaN epitaxial growth by MOVPE method", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), TuP-GR-42, 2023/11/14, Fukuoka, Japan

[18] Shun Nishikawa, Yusaku Hashimoto, Seiya Kawasaki, Genichiro Wakabayashi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Norikazu Ito, Taketoshi Tanaka, Ken Nakahara, Yoku Inoue, Toru Aoki, Takayuki Nakano, "Fabrication and evaluation of BGaN neutron detectors using Si and QST substrate", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), TuP-GR-26, 2023/11/14, Fukuoka, Japan

[19] Akira Yoshikawa, Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Koji Aoto, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano, "Realization of AlN electron blocking layer with abrupt interface and its subsequent improvement in UV-C light-emitting device characteristics", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), MoP-GR-8, 2023/11/13, Fukuoka, Japan

[20] Yoshiki Saito, Kengo Nagata, Atsushi Miyazaki, Shinya Boyama, Koji Okuno, Masaki Oya, Keita Kataoka, Tetsuo Narita, Kayo Horibuchi, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Hisanori Ishiguro, Tetsuya Takeuchi, Kohei Shima, Shigefusa F Chichibu, "Recent developments in high efficiency for deep UV LEDs", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), OD13-1, 2023/11/17, Fukuoka, Japan

[21] Hiroki Shimazu, Shin-ichi Nishizawa, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, Daisuke Nakamura, "Suppression of Polycrystal Formation on for Long-term growth with Halogen-Free Vapor Phase Epitaxy", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), GR2-2, 2023/11/13, Fukuoka, Japan

[22] Biplab Sarkar, Hiroshi Amano, "On GaN HEMT Small Signal Models at mm-wave Bands: Importance of Identifying the Poles", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), MoP-ED-5, 2023/11/13, Fukuoka, Japan

[23] Biplab Sarkar, Hirotaka Watanabe, Jia Wang, Hiroshi Amano, "A Record Knee-voltage and Suppressed Leakage Current in N-polar GaN Unipolar Diode", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), ED-4-4, 2023/11/14, Fukuoka, Japan

[24] Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Yoshio Honda, Leo J Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano, "Recent Progress of Deep Ultraviolet Laser Diodes on AlN substrate", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), OD5-1, 2023/11/14, Fukuoka, Japan

[25] Shugo Nitta, Daisuke Yahara, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Catalytic enhancement of ammonia reaction by trimethylgallium and its reactants in MOVPE analyzed by TOF-MS isotope tracking", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), GR5-1, 2023/11/14, Fukuoka, Japan

[26] Seiya Kawasaki, Takeru Kumabe, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Manabu Arai and Hiroshi Amano, "15 GHz GaN Hi-Lo IMPATT diodes with pulsed peak power of 25.5 W", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), ED9-6, 2023/11/16, Fukuoka, Japan

[27] Shun Lu, Manato Deki, Takeru Kumabe, Jia Wang, Kazuki Ohnishi, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Lateral p-type GaN Schottky barrier diode using annealed Mg ohmic contact layer on low-Mg-concentration p-GaN", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), ED1-3, 2023/11/13, Fukuoka, Japan

[28] Daisuke Yahara, Shugo Nitta, Yoshio Honda and Hiroshi Amano, "Time-of-flight mass spectrometry gas-phase reaction analysis of trimethylindium in MOVPE", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), TuP-GR-29, 2023/11/14, Fukuoka, Japan

[29] Kansuke Hamasaki, Kazuki Ohnishi, Shugo Nitta, Naoki Fujimoto, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "HVPE growth of thick Sn-doped GaN layers for preparing low-resistivity n-type GaN substrates", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), GR1-4, 2023/11/13, Fukuoka, Japan

[30] Tatsuhiro Tanaka, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Demonstration of UV-C LEDs utilizing p-GaN/MgZnO:Ga hetero-tunnel junction", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), OD13-2, 2023/11/17, Fukuoka, Japan

[31] Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Naoki Fujimoto, Seiya Kawasaki, Takeru Kumabe, Kazuki Ohnishi, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Effects of growth pressure on TMGa decomposition and carbon incorporation in GaN MOVPE", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), ThP-GR-14, 2023/11/16, Fukuoka, Japan

[32] Yoshio Honda, Yuta Furusawa, Ryoko Tsukamoto, Yoshiki Saito, Koji Okuno, Kengo Nagata, Shinya Boyama, Atsushi Miyazaki, Maki Kushimoto, and Hiroshi Amano, "Process for separating AlGaN-based LED structures from sapphire substrates by photoelectrochemical etching", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), MoP-OD-28, 2023/11/13, Fukuoka, Japan

[33] Kazuki Ohnishi, Kansuke Hamasaki, Naoki Fujimoto, Shugo Nitta, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Thermodynamic analysis for halide vapor phase epitaxy of Sn-doped n-type GaN", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), MoP-GR-34, 2023/11/13, Fukuoka, Japan

[34] Jia Wang, Haitao Wang, Yasuyoshi Kurokawa,　Noritaka Usami, Hiroshi Amano, "Enhanced triboelectric effect in an N-polar GaN/p-Si dynamic p-n junction for DC generators", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), TuP-ED-29, 2023/11/14, Fukuoka, Japan

[35] Jeong-Hwan Park, Markus Pristovsek, Dong-Seon Lee, Tae-Yeon Seong, and Hiroshi Amano, "Red and blue InGaN µLEDs: Lessons learned for sidewall recombination", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), OD14-1, 2023/11/17, Fukuoka, Japan

[36] Hiroshi Amano, "Tribute to our predecessor, the late Professor Isamu Akasaki, and the role of nitrides in establishing an earth-friendly, comfortable, convenient and people-friendly society", 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14), PL-1, 2023/11/13, Fukuoka, Japan

[37] T. Fujita, S.-I. Sato, M. Deki, H. Watanabe, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano, and H. Tsuchida, "Analysis of single ion induced signals in gallium nitrides toward deterministic single-ion implantation", 26th International Conference on Ion Beam Analysis, 18th International Conference on Particle Induced X-ray Emission (IBA-PIXE2023), 13a-B-3 , 2023/10/13, Toyama, Japan

[38] Takeru Kumabe, Seiya Kawasaki, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Minority and Majority Carrier Properties in Dopant-free p-type Distributed-polarization Doped AlGaN: Towards Application in Bipolar Devices", Lester Eastman Conference on High Performance Devices (LEC 2023), -, 2023/08/09, Chicago, Illinois, USA

[39] Z. Zhang, M. Kushimoto, A. Yoshikawa, K. Aoto, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano, "Demonstration of continuous wave lasing of deep UV Laser diodes on Single-crystal AlN substrate", The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2023), 【K-1】, 2023/06/08, Kanazawa, Ishikawa, Japan

[40] Manato Deki, Hirotaka Kawarabayashi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Evaluation of Switching Characteristics of High Breakdown Voltage GaN-PSJ Transistors at Liquid Nitrogen Temperature", AIAA AVIATION FORUM, EATS-30, 2023/06/16, San Diego, California, USA

[41] Shin Ito, Shinichiro Sato, Michal Boćkowski, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kenichi Yoshida, Hideki Minagawa, Naoto Hagura, "Optical Activation of Praseodymium Ions Implanted in GaN after Ultra-High Pressure Annealing", 21st International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI-21), PB27, 2023/09/07, Fukuoka, Japan

[42] Seiya Kawasaki, Hirotaka Watanabe, Kentaro Nonaka, Tomohiko Sugiyama, Yoshitaka Kuraoka, Shugo Nitta, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "GaN Vertical p-n Junction Diode on GaN Substrate Grown by Na-Flux Method with Avalanche Capability and Demonstration of 100 A (pulsed) Operation", 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023), N-1-04, 2023/09/06, Nagoya, Aichi, Japan

[43] Jeong-Hwan Park, Markus Pristovsek, Wentao Cai, Heajeong Cheong, Chang-Mo Kang, Dong-Seon Lee, Tae-Yeon Seong and Hiroshi Amano, "Comparison Study of III-Nitride-Based Blue and Red Micro-Light-Emitting Diode", 23rd International Meeting on Information Display (IMID2023), E29-5, 2023/08/24, Busan, Korea

[44] Seiya Kawasaki, Takeru Kumabe, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Manabu Arai and Hiroshi Amano, "Fabrication of GaN Hi-Lo IMPATT diode", WOCSDICE-EXMATEC 2023, -, 2023/05/25, Palermo, Italy

[45] Kansuke Hamasaki, Kazuki Ohnishi, Shugo Nitta, Naoki Fujimoto, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "High electron density of Sn-doped GaN layer by halide vapor phase epitaxy", International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-20), -, 2023/08/02, Napes, Italy

[46] Jia Wang, Wentao Cai, Shun Lu, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Observation of Intercalation of Interstitial Mg into GaN", 65th Electronic Materials Conference (EMC 2023), BB05, 2023/06/29, Santa Barbara, California, USA

[47] A. Tanaka, T. Yui, T. Aratani, K. Hara, D. Kawaguchi, H. Watanabe, T. Kanemura, Y. Nagasato, M. Nagaya, Y. Honda, A. Wakejima, Y. Ando, S. Onda, J. Suda, H. Amano, "GaN substrate cut-out process and GaN on GaN device thinning process with laser slicing", International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS Mantech), 11.5, 2023/05/17, Orlando, Florida, USA

[48] Shin-ichiro Sato, T. Oto, S. Li, M. Deki, T. Nishimura, T. Ohshima, H. Watanabe, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano, B. C. Gibson, and A. D. Greentree, "Lanthanoid Implanted GaN with Enhanced Photon Emission for Nanophotonic Applications", The 32nd Annual Meeting of MRS-J, G-I5-002, 2022/12/05, Yokohama. Kanagawa, Japan

[49] Atsushi Tanaka, Toshiki Yui, Tomomi Aratani, Keisuke Hara, Daisuke Kawaguchi, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Akio Wakejima, Yuji Ando and Hiroshi Amano, "Laser slicing of GaN substrates and GaN devices", ISPlasma2023/IC-PLANTS2023, -, 2023/03/07, Gifu, Japan

[50] Kengo Nagata, Satoshi Anada, Yoshiki Saito, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, and Hiroshi Amano, "Development in AlGaN homojunction tunnel junction deep UV LEDs", SPIE Photonics West, Paper 12441-12, 2023/01/31, San Francisco, California, USA

[51] Koh Matsumoto, Kazuki Ohnishi, Hiroshi Amano, "Challenges and opportunities of nitride light emitting devices by HVPE thanks to a stable Mg source", SPIE Photonics West, Paper 12441-9, 2023/01/30, San Francisco, California, USA

[52] Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Yoshio Honda, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano, "Current-injected continuous-wave AlGaN-based UVC laser diodes", SPIE Photonics West, Paper 12421-40, 2023/02/01, San Francisco, California, USA

2022年

[1] S. Schimmel, M. Salamon, D. Tomida, T. Ishiguro, Y. Honda, S.F. Chichibu, H. Amano, "High Energy Computed Tomography as a Tool for Validation of Numerical Simulations of Ammonothermal Crystal Growth of GaN", IWCGT8, P13, 2022/5/30-31, Berlin, Germany

[2] Saskia Schimmel, Michael Salamon, Daisuke Tomida, Tohru Ishiguro, Yoshio Honda, Shigefusa F. Chichibu, Hiroshi Amano, "In situ monitoring technologies as prospective validation tools for numerical simulations of ammonothermal crystal growth", ECCG7, SESSION 5-A　No.5, 2022/07/26, Paris, France

[3] Takeru Kumabe, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Mobility Limiting Factors in p-type Distributed-Polarization Doped AlGaN", APWS2022（The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors）, OWC-16, 2022/11/16, Taoyuan, Taiwan

[4] Kawarabayashi Hirotaka, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "High efficiency and high power electric propulsion system for airplane by superconductivity-6: Demonstration of dynamic characteristics of GaN-PSJ power transistors at low temperatures", ASC2022, 2LPo2H-05, 2022/10/25, Honolulu, Hawaii, USA

[5] Tatsuhiro Tanaka, Taichi Matsubara, Kengo Nagata, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Sputtered polycrystalline MgZnO/Al reflective electrodes for AlGaN-based homojunction tunnel junction deep-ultraviolet LEDs", IWGO2022, Pos 1-48 (Poster), 2022/10/24, Nagano, Japan

[6] Hiroshi Amano, "DUV LED as a front-line tool to provide safe and secure water", Nobel Prize Dialogue Tokyo 2022, -, 2022/10/23, Yokohama. Kanagawa, Japan

[7] W. Cai, Y. Furusawa, J.-H. Park, H-J. Cheong, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano, "Enhanced Indium Incorporation in full InGaN MQWs on High Indium Content InGaN Platelets", IWN2022, AT 243, 2022/10/14, Berlin, Germany

[8] K. Ohnishi, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano, "HVPE growth for vertical GaN p-n junction diodes with high breakdown voltage ", IWN2022, IT 67, 2022/10/14, Berlin, Germany

[9] C. Sasaoka and H. Amano, "Metal Stop Laser Drilling for Blind Via Holes of GaN-on-GaN Devices", IWN2022, AT 254, 2022/10/14, Berlin, Germany

[10] S. Kawasaki, T. Kumabe, Y. Ando, M. Deki, H. Watanabe, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, M. Arai, and H. Amano, "GaN IMPATT diode with pulsed watt-class microwave oscillation", IWN2022, AT 200, 2022/10/13, Berlin, Germany

[11] J.-H. Park, X. Yang, J.-Y. Lee, M.-D. Park, S.-Y. Bae, M. Pristovsek, H. Amano, D.-S. Lee, "Stability of 2D material on the substrate: The pathway realizing Ⅲ-nitride remote epitaxy", IWN2022, AT 210, 2022/10/13, Berlin, Germany

[12] Z. Zhang, M. Kushimoto, A. Yoshikawa, K. Aoto, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano, "Continuous-wave lasing of AlGaN-based UVC laser diode by current injection", IWN2022, AT 184, 2022/10/12, Berlin, Germany

[13] M.Kushimoto, Z. Zhang, A. Yoshikawa, K. Aoto, Y. Honda, L. J. Schowalter, C. Sasaoka, and H. Amano, "Analysis of the cause of threshold rise of UV-C LD on AlN substrate", IWN2022, AT 185, 2022/10/12, Berlin, Germany

[14] Y. Itoh, S. Lu, H. Watanabe, M. Deki, S. Nitta, A. Tanaka, Y. Honda, and H. Amano, "Highly effective activation of Mg-diffused p-type GaN using MgGaN", IWN2022, AT 149, 2022/10/12, Berlin, Germany

[15] T. Kumabe, S. Kawasaki, H. Watanabe, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano, "Space charge profile and carrier transport property in dopant-free GaNbased p-n junction formed by distributed polarization doping", IWN2022, AT 135, 2022/10/12, Berlin, Germany

[16] D. Iwata, T. Kumabe, H. Watanabe, M. Kushimoto, M. Deki, S. Nitta, A. Tanaka, Y. Honda, H. Amano, "Fabrication of GaN/AlN Resonant tunneling diodes by MOVPE", IWN2022, AT 182, 2022/10/12, Berlin, Germany

[17] W. Kwon, S. Kawasaki, H. Watanabe, A. Tanaka, Y. Honda, H. Ikeda, K. Iso, and H. Amano, "Reverse leakage mechanism of 900 V-class GaN vertical p-n junction diodes with and without threading dislocations", IWN2022, AT 110, 2022/10/12, Berlin, Germany

[18] S. Schimmel, D. Tomida, T. Ishiguro, Y. Honda, S. F. Chichibu, H. Amano, "Temperature field and fluid flow in ammonothermal growth of GaN during etch-back and crystal growth for a retrograde solubility configuration", IWN2022, PP 272, 2022/10/11, Berlin, Germany

[19] A. Tanaka, R. Sugiura, D. Kawaguchi, T. Yui, Y. Wani, T. Aratani, H. Watanabe, H. Sena, Y. Honda, Y. Igasaki, A. Wakejima, Y, Ando and H. Amano, "Laser slicing process for thinning GaN substrate and GaN on GaN devices", IWN2022, AT 076, 2022/10/11, Berlin, Germany

[20] J. Wang, W. Cai, S. Lu, Y. Honda, H. Amano, "Annealing of Mg Nanodot Arrays on GaN for p-type Ohmic Contact", IWN2022, AT 050, 2022/10/11, Berlin, Germany

[21] S. Nitta, Z. Ye, D. Yahara, M. Pristovsek, Y. Honda, and H. Amano, "Decomposition and reaction analysis of triethylgallium for the effectivity of carbon incorporation in GaN MOVPE", IWN2022, AT 092, 2022/10/11, Berlin, Germany

[22] H. Watanabe, S. Nitta, T. Kumabe, K. Ohnishi, S. Kawasaki, Y. Ando, Y. Honda and H. Amano, "Progress of morphology roughening of GaN drift layer on GaN substrates with slight off-angle grown by MOVPE", IWN2022, AT 075, 2022/10/11, Berlin, Germany

[23] J.-H Park, M. Pristovsek, W. Cai, H.-J. Cheong, T. Kumabe, D.-S. Lee, T.-Y. Seong, H. Amano, "Relationship between sidewall damage and light extraction efficiency on the micro-LED", IWN2022, PP 089, 2022/10/10, Berlin, Germany

[24] Takeru Kumabe, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Shockley-Read-Hall Lifetime in p-type Distributed Polarization Doped-AlGaN Estimated from Current–Voltage Characteristics of p-n+ Diode", SSDM2022, J-1-01, 2022/09/27, Chiba, Japan

[25] N. Okada, D. Inahara, S. Matsuda, W. Matsumura, R. Okuno, K. Hanasaku, T. Kowaki, M. Miyamoto, S. Kurai, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano, and Y. Yamada, "Fabrication of N-Polar AlGaN/AlN Heterostructure Field Effect Transistors and its Electrical Properties", 14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2022) , Sep.1 9-13, 2022/09/01, Hiroshima, Japan

[26] Yoshio Honda, Atsushi Tanaka, Woong Kwon, Hiroshi Amano, "Correlation between Dislocation and Reverse Leakage Current in GaN pn Junctions", 14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2022) , Sep.1 9-2, 2022/09/01, Hiroshima, Japan

[27] Yingying Lin, Hadi Sena, Markus Pristovsek, Yoshio Honda and Hiroshi Amano, "Strain relaxation of AlGaN/GaN heteroepitaxy on nonpolar m-plane", ICMOVPE XX, P31, 2022/07/12, Online

[28] Hiroshi Amano, "Ⅲ-N MOVPE as a key technology for establishing a safe and secure world", ICMOVPE XX, Plenary 1, 2022/07/11, Online

[29] Nan Hu, Markus Pristovsek, Geoffrey Avit, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Understanding In incorporation in InGaN on polar, semi-polar and non-polar orientations", ICMOVPE XX, MoA3.4, 2022/07/11, Online

[30] Jeong-Hwan Park, Heajeong Cheong, Yasuhisa Ushida, Wentao Cai, Yuta Furusawa, Tae-Yeon Seong, and Hiroshi Amano, "Enhancing the External Quantum Efficiency of Micro-LEDs via Optimized Dry Etching Condition", EMC2022, V01, 2022/06/30, Columbus, Ohio, USA

[31] Wentao Cai, Yuta Furusawa, Jeong-Hwan Park, Heajeong Cheong, Shugo Nitta, Yoshio Honda and Hiroshi Amano, "High In-Content InGaN Platelets as Underlayer for Light-Emitting Diodes Toward Long Wavelength Application", EMC2022, V03, 2022/06/30, Columbus, Ohio, USA

[32] T. Nishitani, H. Iijima, Y. Arakawa, S. Noda, A. Koizumi, D. Sato, H. Shikano, Y. Honda, H. Amano, "SEM imaging by selective e-beaming using photoelectron beams from semiconductor photocathodes", EIPBN 2022, P8-5, 2022/06/02, New Orleans, Louisiana, USA

[33] M. Idei, D. Sato, A. Koizumi, T. Nishitani, Y. Honda, H. Amano, "Effect of threading dislocation density on electron emission yield in InGaN photocathode", EIPBN 2022, P3-9, 2022/06/02, New Orleans, Louisiana, USA

[34] M. Kushimoto, Z. Zhang, L. J. Schowalter, Y. Honda, C. Sasaoka, and H. Amano, "Approaches to low threshold current density in deep UV laser diodes on AlN substrate", CSW2022, -, 2022/06/01, Ann Arbor, Michigan, USA

[35] Kengo Nagata, Taichi Matsubara, Satoshi Anada, Yoshiki Saito, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, Kazuo Yamamoto, Tsukasa Hiraｙama, and Hiroshi Amano, "High-efficiency AlGaN homojunction tunnel-junction deep-UV LEDs", IWUMD 2022, ThA1-1, 2022/05/26, Online

[36] Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano, "Reduction of Threshold Current Density in UV-C LDs Fabricated on AlN Substrates", 2022 MRS Spring Meeting, EQ01.15.05, 2022/05/23, Online

[37] M. Bando, S. Matsuoka, K. Ohnishi, K. Goto, S. Nitta, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Modification of thermodynamic analysis model for HVPE growth of GaN at high temperatures", LEDIA2022, LEDIAp-02, 2022/04/21, Online

[38] Tomohiro Nishitani, Akihiro Narita, Hokuto Iijima, Atsushi Koizumi, Daiki Sato, Shotaro Noda, Yuta Arakawa, Haruka Shikano, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Pulsed electron microscopes using photoelectron beam from GaN semiconductor photocathodes", LEDIA2022, LEDIA1-01, 2022/04/21, Online

[39] Maki Kushimoto, Taichi Matsubara, Kengo Nagata, Tatsuhiro Tanaka, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Development of reflective electrodes for deep-ultraviolet LEDs using polycrystalline MgZnO structural films", LEDIA2022, LEDIA5-02, 2022/04/22, Online

[40] Yuta Furusawa, Wentao Cai, Jeong-Hwan Park, Heajeong Cheong, Yasuhisa Ushida, and Hiroshi Amano, "Fabrication of micro-LED and HEMT on the same wafer for an active-matrix display", LEDIA2022, LEDIA3-02, 2022/04/21, Online

[41] Nonoka Niwa, Seiya Kawasaki, Takeru Kumabe, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "For 3D Processing of GaN by Photo Enhanced Chemical Etching Method Utilizing Multi-photon Excitation", LEDIA2022, LEDIAp-05, 2022/04/21, Online

[42] Kengo Nagata, Satoshi Anada, Yoshiki Saito, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, Kazuo Yamamoto, Tsukasa Hirayama, and Hiroshi Amano, "Potential distribution analysis of AlGaN homojunction tunnel-junction by electron holography", LEDIA2022, LEDIA5-01, 2022/04/22, Online

[43] Hiroshi Amano, "Frontier Electronics as a pain killer of our society and environment", ISPlasma2022/IC-PLANT2022, -, 2022/03/07, Online

[44] Kazuki Ohnishi, Seiya Kawasaki, Naoki Fujimoto, Shugo Nitta, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Halide vapor phase epitaxy of p-type GaN for vertical GaN power devices", ISPlasma2021 / IC-PLANTS2021, -, 2022/03/07, Online

[45] Kengo Nagata, Taichi Matsubara, Maki Kushimoto, Yoshiki Saito, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, and Hiroshi Amano, "Development of high efficiency AlGaN tunnel junction deep-UV LEDs", ISPlasma2021 / IC-PLANTS2021, -, 2022/03/10, Online

[46] Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano, "Emission uniformity of UVC laser diodes on AlN substrates", SPIE Photonics West 2022, Paper 12001-30, 2022/2/21-27, Online

[47] Hiroshi Amano, "Frontier Electronics in Memory of Professor Isamu Akasaki", Photonics West 2022 OPTO, -, 2022/01/24, Online

[48] Shugo Nitta, Ye Zheng, Daisuke Yahara, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "High-resolution vapor phase reaction analysis in nitride semiconductors MOVPE", IWSingularity 2022 / ISWGPDs 2022, F-18, 2022/01/12, Online

[49] Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano, "UV-C LDs fabricated on AlN Substrates", IWSingularity 2022 / ISWGPDs 2022, S-13, 2022/01/12, Online

2021年

　

[1] Kazuki Ohnishi, "Avalanche behaviour of HVPE-grown GaN pn junction", CIRFE GaN Webinar Series ~ Poland-Japan (Unipress-NU) Seminar on GaN ~, -, 2021/12/07, Online

[2]　Hiroshi Amano, "Introduction to C-TEFs and the Future Prospects of GaN-Based Micro-LED Display", 4th Nobel Center Workshop in 2021, -, 2021/11/11, Online　

[3]　Cai Wentao, Heajeong Cheong, Shugo Nitta, Yoshio Honda and Hiroshi Amano , "High In-content InGaN Platelets as Underlayer for Light-Emitting Diodes toward Long Wavelength Application", ICMaSS2021, 1213, 2021/11/05, Online　

[4] Shun Lu, Manato Deki, Jia Wang, Kazuki Ohnishi, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda and Hiroshi Amano, "Reduction of Specific Contact Resistance on p-type GaN by Thermal Annealed Mg Layer", ICMaSS2021, 1218, 2021/11/05, Online　

[5] Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Zheng Ye, Shugo Nitta, Kenji Shiraishi, "Tuning of Reaction Rate Constants for Trimethylgallium Decomposition by Multiobjective Genetic Algorithm with High-Resolution Mass Spectrometry Data", ICMaSS2021, 1160, 2021/11/05, Online

[6] Zheng Ye, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, Hiroshi Amano, "Comparative Analysis of Decomposition of TMGa and TEGa for the Clarification of the Mechanism of Unintentional Carbon Incorporation in GaN MOVPE", ICMaSS2021, 1143, 2021/11/05, Online

[7] Taichi Matsubara, Kengo Nagata, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Sputtered polycrystalline MgZnO as transparent electrode in AlGaN-based homojunction tunnel junction deep-ultraviolet light-emitting diode for significant emission enhancement", ICMaSS2021, 1061, 2021/11/06, Online

[8] Kengo Nagata, Hiroaki Makino, Hiroshi Miwa, Shinichi Matsui, Shinya Boyama, Yoshiki Saito, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, Hiroshi Amano, "Reduction of operating voltage of AlGaN homo junction tunnel junction deep UV light emitting diode by controlling impurity concentrations", ICMaSS2021, 1028, 2021/11/06, Online

[9] Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Yoshio Honda, Leo Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano, "Reducing the Threshold Current Density of Deep UV LDs on AlN Substrate", IPC 2021, WB4.1, 2021/10/20, Online

[10] S. Schimmel, D. Tomida, M. Saito, Q. Bao, T. Ishiguro, Y. Honda, S. F. Chichibu, H. Amano, P. Wellmann, "Numerical simulations of ammonothermal crystal growth of GaN and pathways towards their experimental validation", 10th meeting of the Young Crystal Growers (JDGKK 2021), -, 2021/10/5-6, Online

[11] Hiroshi Amano, "What issue the young generations think the most important?", TSUKUBA CONFERENCE 2021, -, 2021/09/29, Online

[12] Hiroshi Amano, "Changing the world with GaN", SEMICON Taiwan 2021, -, 2021/09/09, Online

[13] Takeru Kumabe, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda and Hiroshi Amano, "“Regrowth-free” Fabrication of AlGaN/GaN HBT with N-p-n Configuration", SSDM2021, D-1-05, 2021/09/07, Online

[14] Sang-Youl Lee, Ho-Young Kim, Hiroshi Amano and Tae-Yeon Seong, "Improvement of the Electrical and Optical Performance of LED Array for Vehicle Headlight Application by Optimizing Processes", IMID 2021, TB4-2, 2021/08/26, Online

[15] Jeong-Hwan Park, Heajeong Cheong, Yasuhisa Ushida, Wentao Cai, Yuta Furusawa, and Hiroshi Amano, "The Effect of Dry Etching Condition on the Micro-LED", IMID 2021, P14-10, 2021/8/25-27, Online

[16] Chiaki Sasaoka, Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Leo J. Schowalter, and Hiroshi Amano, "Development of UV-C laser diode on AlN substrate using distributed polarization doped p-side cladding layer", LEC 2021 (Lester Eastman Conference on High Performance Devices), -, 2021/08/04, Online

[17] Hiroshi Amano, " Contribution of GaN for establishing Carbon Neutral Society", NANO KOREA 2021, -, 2021/07/07, Online

[18] Hiroshi Amano, "Building a graduate student curriculum that produces the talent to lead future innovation ", THE Asia Universities Summit 2021, -, 2021/06/02, Online

[19] Hiroshi Amano, "GaN device as a key technology for realizing carbon neutral society", 5th International Electric Vehicle Technology Conference　（EVTeC 2021）, -, 2021/05/25, Online

[20] Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Naoharu Sugiyama,Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano, "Deep UV Laser Diode with Compositionally Graded AlGaN p-cladding Layer", CLEO 2021, SW2A.3, 2021/05/12, Online

[21] M. Kushimoto, Z. Zhang, N. Sugiyama, L. J. Schowalter, Y. Honda, C. Sasaoka, and H. Amano, "Development of polarization doped UVC LDs on AlN substrates", CSW-2021, -, 2021/05/13, Online

[22] M. Kushimoto, Z. Zhang, T.Sakai, N.Sugiyama, L. J. Schowalter, Y. Honda, C. Sasaoka, and H. Amano, "UV-C laser diode with distributed polarization doped p-cladding layer", 2021 MRS Spring Meeting, EL04.04.05, 2021/04/18, Online

[23] Jia Wang, Hiroshi Amano, Ya-Hong Xie, "3D GaN Power Switching Electronics: A Revival of Interest in ELO", EDTM 2021, TH3P2-5, 2021/04/10, Online

[24] Hiroshi Amano, "Contribution of semiconductor crystals to the establishment of renewable energy society", The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, -, 2021/03/01, Online

[25] Hiroshi Amano, "Challenge to eradicate virus infection with a compact DUV light source", JST-Stanford Symposium Practical Innovations Against COVID-19, -, 2021/02/17, Online

[26] Jia Wang, Hiroshi Amano, Ya-Hong Xie, "3D GaN Power Switching Electronics: A Revival of Interest in ELO", EDTM 2021, TH3P2-5, 2021/03/11, Online

[27] Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Naoharu Sugiyama, Yoshio Honda, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, and Hiroshi Amano, "Development of UV-C laser diodes on AlN substrate", SPIE PHOTONICS WEST, 11686-12, 2021/03/06, Online

[28] Atsushi Tanaka, Shunta Harada, Kenji Hanada, Yoshio Honda, Toru Ujihara, Hiroshi Amano, "Detection and classification of dislocations in GaN by optical microscope using birefringence", SPIE PHOTONICS WEST, 11706-31, 2021/03/06, Online

[29] Geoffrey Avit, Yoann Robin, Xaqiang Liao, Hu Nan, Markus Pristovsek, Hiroshi Amano, "Strain-induced yellow to blue emission tailoring of axial InGaN/GaN quantum wells in GaN nanorods synthesized by nanoimprint lithography", The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, C01-04-16, 2021/03/02, Online

[30] Taichi Matsubara, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Electrical and Optical Characteristics of Al-doped MgZnO Deposited by RF Magnetron Cosputtering", The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, C01-02-09, 2021/03/01, Online

[31] S. Schimmel, D. Tomida, M. Saito, Q. Bao, T. Ishiguro, Y. Honda, S. F. Chichibu, H. Amano, "Evaluation of realistic boundary conditions for simulations of ammonothermal GaN crystal growth", The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, C07-02-08, 2021/03/02, Online

[32] Zheng Ye, Shugo Nitta, Markus Pristovsek, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "High-Resolution Mass Spectrometry Analysis of the Reactions Between Trimethylgallium and Ammonia in GaN MOVPE Using Hydrogen Isotope Labeling", The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, C01-01-03, 2021/03/01, Online

[33] Zheng Ye, Shugo Nitta, Markus Pristovsek, Yoshio Honda and Hiroshi Amano, "The Decompostion of Trimethylgallium in Different Carrier Gases for MOVPE Studied by High-Resolution Time-of-Flight Mass Spectrometry", International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021, Invite 3, 2021/01/21, Online

[34] Donglin Wu, Zheng Ye, Shugo Nitta, Markus Pristovsek, Yoshio Honda and Hiroshi Amano, "Direct observation of trimethylgallium generated by transmetalation between trimethylindium and Ga by high-resolution mass spectrometry", International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021, Poster 11, 2021/01/20, Online

2020年

[1] Kazuki Ohnishi, "HVPE growth of p-type GaN utilizing MgO as Mg source", CIRFE GaN Webinar Series, 31st CIRFE Seminar on "HVPE", -, 2020/12/04, Online

[2] Yuki Amano, "HVPE growth of Mg-doped GaN using Mg-containing solid materials", CIRFE GaN Webinar Series, 31st CIRFE Seminar on "HVPE", -, 2020/12/04, Online

[3] Yuta Ito, "Effects of beam current with high-temperature implantation of Mg ions into GaN", CIRFE GaN Webinar Series, 30th CIRFE Seminar on "Ion implantation", -, 2020/11/27, Online

[4] Saskia Schimmel, "Numerical simulation of the ammonothermal growth process of GaN - Effect of thermal boundary conditions on flow field and temperature distribution", CIRFE GaN Webinar Series, 29th CIRFE Seminar on "Growth of bulk GaN by Ammonothermal method", -, 2020/11/20, Online

[5] Daisuke Tomida, "Recent progress of low-pressure acidic ammonothermal growth of gallium nitride", CIRFE GaN Webinar Series, 29th CIRFE Seminar on "Growth of bulk GaN by Ammonothermal method", -, 2020/11/20, Online

[6] Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Naoharu Sugiyama, Leo Schowalter, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano, "Electrically injected AlGaN based deep-ultraviolet laser diodes", IPC 2020, TuD3.1, 2020/09/29, Online

[7] Takeru Kumabe, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta and Hiroshi Amano, "Improvement of Contacts on Etched p-type GaN by Low-bias ICP–RIE", SSDM 2020, D-2-05, 2020/09/28, Online

[8] Yaqiang Liao, Tao Chen, Jia Wang, Yuto Ando, Xu Yang, Hirotaka Watanabe, Jun Hirotani, Maki Kushimoto, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Kevin J. Chen, and Hiroshi Amano, "GaN-on-GaN Vertical Nanowire Power Schottky Barrier Diode Fabricated by Top-down Approach", ISPSD 2020, D2P-C, 2020/9/17, Online　

[9] C. Sasaoka, Z. Zhang, M. Kushimoto, T. Sakai, N. Sugiyama, L. J. Schowalter, and H. Amano, "272 nm deep-ultraviolet laser diode fabricated on high-quality AlN substrate", ALPS 2020, ALPS10-01, 2020/04/23, Online

2019年

[1]Atsushi Tanaka, Yasunori Igasaki, and Hiroshi Amano, "Laser slicing techniques for cutting out GaN substrate", The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), ThP-GR-10 Kunigami, Okinawa, Japan, APWS2019 Committee, 2019/11/14

[2]Hiroshi Amano, "Wide-bandgap semiconductors as key materials in realizing zero emission of greenhouse gases", The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019）, Okinawa, Japan, APWS2019 Committee, 2019/11/12

[3]Maki Kushimoto, Tadayoshi Sakai, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Crystal structure of MgZnO deposited by RF sputtering", The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), TuP-GR-17, Kunigami, Okinawa, Japan, APWS2019 Committee, 2019/11/12

[4]Geoffrey Avit, Yoann Robin, Mohammed Zeghouane, Léo Mostéfa, Boris Michalska, Yamina Andre, Dominique Castelluci, Agnès Trassoudaine and Hiroshi Amano, "Synthesis of InGaN nanowires and nanostructures to achieve high indium content and high crystal quality for optoelectronic devices", ICMaSS2019, A3-Ⅲ-8 (1079), Nagoya, Aichi, Japan, IMaSS, 2019/11/3

[5]Geoffrey Avit, Yoann Robin, Yaqiang Liao, Shugo Nitta and Hiroshi Amano, "Synthesis and properties of GaN nanorods with axial InGaN/GaN quantum wells defined by nanoimprint lithography", Korea University,　Invited Seminar, Seoul, Korea, Korea University, 2019/10/22

[6]Hiroshi Amano, "Enroute to realize zero carbon emission 　 Nobel Teacher Summit", Stockholm, Sweden, Nobel Foundation, 2019/10/11

[7]Daisuke Tomida, Tohru Yoshinaga, Chiaki Yokoyama, "THERMAL CONDUCTIVITY MEASUREMENTS OF LIQUID AMMONIA BY THE TRANSIENT SHORT-HOT-WIRE METHOD", ATPC2019, P26, Xi'an, Shaanxi. China, Xi'an Jiaotong University, 2019/10/4

[8]D. Sato, T. Nishitani, A. Koizumi, Y. Honda, H. Amano, "Excitation power density dependence of photocurrent from InGaN photocathode Micro & Nano Engineering", (MNE)2019 A7-4, "Rodos, Greece", MNE Committees, 2019/9/26

[9]Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hisashi Yamada, Mitsuaki Shimizu, Hiroshi Amano, "Effect of interface state density on channel mobility in GaN lateral MISFET.", SemiconNano 2019, P-23, Kobe, Hyogo, Japan, SemiconNano 2019 Committee, 2019/9/25

[10]Yoshio Honda, Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Hiroshi Amano, "The relationship between nanopipe formation of GaN and PN diode leakage current", SemiconNano 2019, O-01, Kobe, Hyogo, Japan, SemiconNano 2019 Committee, 2019/9/24

[11]Hiroshi Amano, "Transformative Electronics for Establishing Sustainable, Smart, Safe and Secure Society", SemiconNano2019, Kobe, Japan, SemiconNano2019, 2019/9/24

[12]Maki Kushimoto, Tadayoshi Sakai, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Effects of annealing process on electrical conductivity of MgZnO", IWUMD We-14o, St.Petersburg, Leningrad, Russia, Ioffe Insitute, 2019/9/11

[13]Seiya Kawasaki, Hayata Fukushima, Shigeyosihi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "High-Resolution Observation of In-Plane Carrier Concentration Nonuniformity in Vertical GaN p-n Diode Using Franz–Keldysh Effect and Avalanche Multiplication", SSDM2019, K-7-02, Nagoya, Aichi, Japan SSDM2019 Committee, 2019/9/5

[14]"Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano", "Effect of Post-metallization Annealing on Interface Properties of Al2O3/GaN Fabricated on c- and m-plane Free-standing GaN Substrates", SSDM2019, PS-4-23, Nagoya, Aichi, Japan, SSDM2019 Committee, 2019/9/4

[15]Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Effect of Post-metallization Annealing on Interface Properties of Al2O4/GaN Fabricated on c- and m-plane Free-standing GaN Substrates", SSDM2019, SO-PS-4-23, Nagoya, Aichi, Japan, SSDM2019 Committee, 2019/9/4

[16]Takeru Kumabe, Masaya Ogura, Atsushi Tanaka, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Shigeyoshi Usami, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Gallium-nitride-based Heterojunction Bipolar Transistors with Two-dimensional Hole Gas Fabricated by Epitaxial Lift-off Process", SSDM2019, K-4-03, Nagoya, Aichi, Japan, SSDM2019 Committee, 2019/9/4

[17]"Jia Wang, Shengxiang Jiang, Hua Zong, Yaqiang Liao, Ting Liu, Jian Shen, Yuto Ando,Yoshio Honda, Xiaodong Hu, Hiroshi Amano, Ya-Hong Xie", "Vertical PN Junction-based GaN Power Diode", SSDM2019, K-1-04, Nagoya, Aichi, Japan, SSDM2019 Committee, 2019/9/3

[18]Jian Shen, Yuefeng Yu, Yang Gan, Guoqiang Li, Hiroshi Amano, "MBE Self-Assembled Growth of InGaN Nanorods on Patterned Sapphire Substrate with Enhanced Photoluminescence Performance", SSDM2019, F-2-04, Nagoya, Aichi, Japan, SSDM2019 Committee, 2019/9/3

[19]Geoffrey Avit, Yoann Robin, Yaqiang Liao, Shuggo Nitta and Hiroshi Amano, "Growth and properties of InGaN based nanorods for LEDs : comparison between core/shell and axial MQWs structures", SSDM2019, D-2-03, Nagoya, Aichi, Japan, SSDM2019 Committee, 2019/9/3

[20]X. Yang, S. Nitta, M. Pristovsek, M. Kushimoto, Y. H. Liu, Y. Honda, and H. Amano, "Metalorganic vapor phase epitaxy and characterization of two-dimensional hexagonal boron nitride layers", 2nd ACALED Symposium, Gwangju, South Korea, Gwangju Institute of Science and Technology, 2019/8/8

[21]"Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano", "Interface properties of lateral MISFETs fabricated on m- and c-plane", ICNS-13 B10.04, Bellevue, Washington, USA, ICNS-13 Committee, 2019/7/11

[22]Nan HU, Duc V. DINH, Markus PRISTOVSEK, Yoshio HONDA, Hiroshi AMANO, "Growth and characterization of untwinned (10-13) GaN templates and InGaN/GaN quantum wells" ICNS-13 G10.03, Bellevue, Washington, USA, ICNS-13 Committee,2019/7/11

[23]Atsushi Tanaka, Shunta Harada, Kenji Hanada, Yoshio Honda, Toru Ujihara, Hiroshi Amano "A novel birefringent observation for analyzing dislocations in GaN", ICNS-13 J02.06, Bellevue, Washington, USA, ICNS-13 Committee, 2019/7/10

[24]Yaqiang Liao, Jia Wang, Yuto Ando, Xu Yang, Jun Hirotani, Maki Kushimoto, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Kevin J. Chen and Hiroshi Amano "Fabrication of GaN-on-GaN Vertical Nanowire Schottky Barrier Diode by Top-down Approach", ICNS-13 H02.05, Bellevue, Washington, USA, ICNS-13 Committee, 2019/7/9

[25]"M. Takahashi, A. Tanaka, S. Usami, Y. Ando, H. Watanabe, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano", "Suppression of green luminescence by co-implantation of Mg/F ions into GaN at high temperature", ICNS-13 B05.02Bellevue, Washington, USA, ICNS-13 Committee, 2019/7/9

[26]Hiroshi Amano, "Development of Sustainable, Smart, Secure and Safe Society by Transformative Electronics", 21st IVC Conference, Malmo, Sweden Conference IVC21, 2019/7/4

[27]Hiroshi Amano, "How to realize 80% reduction in greenhouse gas emission by 2050", 10th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2019), Singapore, Materials Research Society Singapore, 2019/6/24

[28]Xu Yang, Shugo Nitta, Pristovsek, Markus Pristovsek , Yuhuai Liu, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Two-dimensional h-BN multilayer grown on AlN by metalorganic vapor phase epitaxy",ICP2DC4, Hangzhou, Zhejiang, China ICP2DC4 Committee, 2019/6/11

[29]Hiroshi Amano, "How to realize 80% reduction in greenhouse gas emission by 2050 2019 E-MRS-IUMRS-ICAM", Nice, France, Eupopean Materials Research Society, 2019/5/28

[30]Hiroshi Amano, "GaN as a key material for realizing Internet of Energy", Compound Semiconductor Week 2019 （CSW2019), Nara, Japan, CSW2019 Committee, 2019/5/20

[31]Daiki Sato, T. Nishitani, Y. Honda, H. Amano "The annealing effect for the air-exposed surface on the GaN photocathode", EIPBN2019, EIPBN2019, Minneapolis, Minnesota, USA, EIPBN 2019 Committee, 2019/5/1

[32]Tadayoshi Sakai, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Mg composition control of co-sputtered MgZnO thin films toward the application of deep-UV transparent electrode", LEDIA'19, LEDIA-P-08, Yokohama, Kanagawa, Japan OPI Committee, Akasaki Research Center, 2019/4/24

[33]H. S. Wang, T. Sakai, X. Yang, M. Deki, M. Kushimoto, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano. "Influence of Annealing on Sputtered Boron Nitride Film," ISPlasma2019, Nagoya, Japan, 18P1-43, 2019/3/18

[34]S. Abhinay, S. Arulkumaran, G.I. Ng, K. Ranjan, M. Deki, S. Nitta, Y. Honda and H. Amano, "Effects of Drift Layer Thicknesses in Reverse Conduction Mechanism on Vertical GaN-on-GaN SBDs grown by MOCVD," EDTM 2019, Bayfront Ave, Singapore, 2019/3/14

[35]Hiroshi Amano, "How to lead fundamental research to innovation", 11th HOPE Meeting with Nobel Laureates, Okinawa, Japan, 2019/3/5

[36]Y. Robin, Q. Bournet, M. Pristovsek, Y. Andre and H. Amano. "Limitation of simple NPN tunnel junction based LEDs grown by MOCVD for micro-display application". SPIE Photonics West, San Francisco, California, USA, 10918-65, 2019/2/7

2018年

[1]Maki Kushimoto, Yang Xu, Yuhuai Liu, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Optical properties of AlGaN based UVC laser structures on annealed AlN template", The international workshop on UV materials and devices (IWUMD-2018), Kunming City, Yunnan, China, 2018/12/11

[2]Mel Hainey, Jr., Yoann Robin, Hiroshi Amano, Dr. Noritaka Usami, "Coalesced, Centimeter-scale GaN Films on Amorphous Substrates via MOCVD Growth on a Silicon Seed Layer Fabricated by Aluminum-induced Crystallization," EMRS, Boston, Massachusetts, USA 2018/11/25

[3]Michal Stanislaw Bockowski., "Bulk GaN - prospects for J-P cooperation", Japan-Poland workshop, Ishikawa, Japan, 2018/11/17

[4]Zhibin Liu, Shugo Nitta, Yoann Robin, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, and Hiroshi Amano, "Effect of the misorientation angle of GaN substrate on high-indium-content InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy", International Workshop on Nitride Semiconductors 2018, Ishikawa, Japan, GR16-5, 2018/11/16

[5]Nan Hu, Duc V. Dinh, Markus Pristovsek, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Growth and characterization of templates and InGaN/GaN quantum wells on (0001), (10-13), (11-22) and (10-10) oreintation", International Workshop on Nitride Semiconductors 2018, IShikawa, Japan, GR13-4, 2018/11/15

[6]Xu Yang, Shugo Nitta, Markus Pristovsek, Yaquiang Liao, Yuhuai Liu, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Growth of hexagonal boron nitride on AIN/sapphire template by MOVE", International Workshop on Nitride Semiconductors 2018, Ishikawa, Japan, J6-6, 2018/11/15

[7]Yaqiang Liao,Yuto Ando, Kevin J. Chen, Jun Hirotani, Qiang Liu, Xu Yang, Yoann Robin, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "GaN-on-GaN Vertical Nanowire Schottky Barrier Diode Fabricated by Top-down Approach", International Workshop on Nitride Semiconductors 2018, Ishikawa, Japan, ED10-4, 2018/11/15

[8]Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Hayata Fukushima, Yuto Ando, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Screw dislocations and nanopipe generation in a MOVPE-grown homoepitaxial layer on freestanding GaN substrates and the electrical influence on vertical p−n diodes", International Workshop on Nitride Semiconductors 2018, IShikawa, Japan, LN1-6, 2018/11/15

[9]Mel F. Hainey, Jr., Yoann Robin, Hiroshi Amano and Noritaka Usami, "Coalesced, Centimeter-scale GaN Films on Amorphous Substrates via MOCVD Growth on a Silicon Seed Layer Fabricated by Aluminum-induced Crystallization", International Workshop on Nitride Semiconductors 2018, Ishikawa, Japan, GR10-8, 2018/11/15

[10]Michal Stanislaw Bockowski, "Combination of advantages of HVPE and ammonothermal methods as a solution for crystallization of GaN", International Workshop on Nitride Semiconductors 2018, Ishikawa, Japan, GR9-1, 2018/11/15

[11]Y. Robin, F. Hemeret, G. D’Inca, M. Pristovsek, A. Trassoudaine, and H. Amano, "Optical characterization of nitride-based multi-color micro-LEDs", International Workshop on Nitride Semiconductors 2018, Ishikawa, Japan, OD2-5, 2018/11/13

[12]Qiang Liu, Naoki Fujimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Computational fluid dynamics simulation study of the gas flow balance in a vertical HVPE reactor with showerhead for low cost bulk GaN crystal growth", International Workshop on Nitride Semiconductors 2018, Ishikawa, Japan, TuP-GR-2, 2018/11/13

[13]Hiroshi Amano, "Transformative Electronics for Realizing Sustainable, Smart, Secure and Safe Society", International Workshop on Nitride Semiconductors 2018, Ishikawa, Japan, Plenary, 2018/11/12

[14]Hayata Fukushima, Shigeyoshi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Vertical GaN pn diode with Avalanche capability structure," International Workshop on Nitride Semiconductors 2018, Ishikawa, Japan, ED1-4, 2018/11/12

[15]Hiroshi Amano, "Transformative Electronics for Realizing Sustainable and Smart Society", 2018 KPS Fall Meeting, Changwon, Korea, Plenary, 2018/10/25

[16]Hiroshi Amano, "GaN-based devices and systems for establishing sustainable, smart, secure and safe society", MIRAI Seminar 2018, Tokyo, Japan, Plenary, 2018/10/10

[17]H. Amano, Y. Robin, C. Heajeong, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, M. Pristovsek, "Nanorod Display as a Tool for Realizing Sustainable Smart Society",19th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence & 2018 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting, Tokyo, Japan, Plenary, 2018/9/11

[18]Yoko Sato, Daisuke Hayashi, Masakazu Minami, Shugo Nitta, "Real-time measurement of Cp2Mg vapor concentration using the non-dispersive infrared spectroscopy for MOCVD process", RSC Tokyo International Conference 2018, Chiba, Japan, 2018/9/6

[19]Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Hayata Fukushima, Yuto Ando, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Dependency of the reverse leakage current on the MOVPE growth pressure of vertical p-n diodes on a GaN free-standing substrate", International Symposium on Growth of III-Nitrides, Warsaw, Poland,　ElectroV , 2018/8/10

[20]Koji Matsumoto, Toshiaki Ono, Yoshio Honda, Kazuhisa Torigoe, Maki Kushimoto, and Hiroshi Amano, "Reduction of Carrier Concentration Increase near the Surface of Silicon Substrate after GaN Growth", International Symposium on Growth of III-Nitrides, Warsaw, Poland, 　ElectroV , 2018/8/10

[21]Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Shigeyoshi Usami, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Observation of Dislocation Propagation in GaN on GaN Structure with a Multiphoton Excitation Photoluminescence Microscope", International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides ISGN-7, Warsaw, Poland, 2018/8/9

[22]Yuto Ando, Kentaro Nagamatsu, Atsushi Tanaka, Manato Deki,　Ousmane 1 Barry, Shigeyoshi Usami, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Schottky Barrier Diodes Fabricated on Miscut m-plane Substrates", International Symposium on Growth of III-Nitrides, Warsaw, Poland, Electro Ⅳ, 2018/8/9

[23]M. Takahashi, K. Sone, A. Tanaka, S. Usami, M. Deki, M. Kushimoto, K. Nagamatsu, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano, "Characterizations of high-temperature Mg ion implantation in GaN", International Symposium on Growth of III-Nitrides, Warsaw, Poland, Electro Ⅲ, 2018/8/9

[24]Manato Deki、Kazushi Sone、Kenta Watanabe, Fumiya Watanabe, Kentaro Nagamatsu, Atsushi Tanaka, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Improvement of Electrical Stability of ALD-Al203/GaN Interface by UV/03 Oxidation and Postdeposition Annealing", International Symposium on Growth of III-Nitrides, Warsaw, Poland, Electro Ⅲ, 2018/8/9

[25]Hiroshi Amano, "Transformative Electronics Based on GaN and Related Materials for Realizing Sustainable Smart Society", International Symposium on Growth of III-Nitrides, Warsaw, Poland, Plenary, 2018/8/6

[26]Qiang Liu, Naoki Fujimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Study of Low Cost Large Size Bulk GaN Crystal Growth by a New Vertical HVPE Reactor with Showerhead Nozzles", International Symposium on Growth of III-Nitrides, Warsaw, Poland, 　G&ChI , 2018/8/6

[27]Yoann Robin, Markus Pristovsek, Hiroshi. Amano," What is red? On the chromaticity of orange-red InGaN/GaN based LEDs", International Conference on the Phisyics of Semiconductors2018, Montpellier, France, 2018/7/31

[28]Yoann. Robin, E. Evropeitsev, T. Shubina, S.Y. Bae, S. Nitta, M. Kushimoto, D. Kirilenko, V. Davydov, A. Smirnov, A. Toropov, S. Ivanov, H. Amano, " Localization and transient emission properties in InGaN/GaN QWs of different polarity within core-shell nanorods",International Conference on the Phisyics of Semiconductors2018, Montpellier, France, Growth and characterization - 3, 2018/7/31

[29]Yoann Robin, E. Evropeitsev, T. Shubina, S.Y. Bae, S. Nitta, M. Kushimoto, D. Kirilenko, V. Davydov, A. Smirnov, A. Toropov, S. Ivanov, H. Amano, "Narrow excitonic lines in core-shell nanorods with InGaN/GaN QWs crossed by basal stacking faults", International Conference on the Phisyics of Semiconductors2018, Montpellier, France, Devices and applications - 1, 2018/7/31

[30]Hiroshi Amano, "Group III nitrides as a tool for establishing sustainable smart society", 34th International Conference on the Physics of Semiconductors, Montpellier, France, Nobel Symposium, 2018/7/29

[31]Shugo Nitta, Kentaro Nagamatsu, Zheng Ye, Hirofumi Nagao, Shinichi Miki, Maki Kushimoto, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, and Hiroshi Amano, "Direct observation of ammonia decomposition and interaction with trimethylgallium in a metalorganic vapor phase epitaxy reactor," 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Nara, Japan, 7B-2.3, 2018/6/7

[32]Zheng Ye, Shugo Nitta, Kentaro Nagamatsu, Naoki Fujimoto, Maki Kushimoto, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, and Hiroshi Amano, "Ammonia Decomposition and Reaction by High-Resolution Mass Spectrometry for Group III-Nitrides Epitaxial Growth," 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Nara, Japan, P2-59, 2018/6/7

[33]Nan Hu, Duc Van. Dinh, Markus Pristovsek, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Obtaining metal-polar (10-13) GaN on directionally AlN sputtered m-plane sapphire substrate," 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Nara, Japan, 7C-1.4, 2018/6/7

[34]Zhibin Liu, Shugo Nitta, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Yoann Robin, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Effect of the environment temperature around the wafer on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy," 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Nara, Japan, 5C-1.5, 2018/6/5

[35]Hiroshi Amano, "MOVPE as a tool for realizing sustainable smart society", 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Nara, Japan, Plenary, 2018/6/4

[36]Yoann Robin, Yaqiang Liao, Markus Pristovsek, and Hiroshi Amano, "Dependence of micro-rod facets on diameter and impact on InGaN quantum wells," 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Nara, Japan ,4C-1.2, 2018/6/4

[37]Shigeyoshi Usami, Yoshihiro Sugawara, Yong-Zhao Yao, and Yukari Ishikawa, Norihito Mayama, Kazuya Toda, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Investigation of the Origin of the Leakage of P-N Diodes on a Free-Standing GaN Substrate Using the 3DAP and LACBED Methods," The Compound Semiconductor Week 2018, Massachusetts, USA, D1.3 S.-44, 2018/5/30

[38]Hiroshi Amano, "Blue LEDs and Transformative Electronics for Developing Sustainable Smart Society", 2018 Display Week International Symposium, Los Angeles, USA, Keynote, 2018/05/22

[39] Hayata Fukushima, Yuto Ando, Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Mesa depth dependence of breakdown voltage of GaN pn diode", ISPlasma2018, 名城大学, Oral (2018/3/7)

[40]Yoann Robin and Hiroshi Amano, "Micro-LEDs for full-color display: critical review and recent progresses," Seminaire du CRHEA, Valbonne, France, 2019/3/7

[41] Tatsuya Hattori, Maki Kushimoto,Shugo Nitta,Yoshio Honda,Hiroshi Amano, "Comparison of In incorporation in axial InGaN quantum wells on GaN and InGaN nanorods grown by plasma assisted molecular beam epitaxy", ISPlasma2018, 名城大学, Oral (2018/3/5)

[42] Xu Yang, Shugo Nitta, Kentaro Nagamatsu, Markus Pristovsek, Yuhuai Liu, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Impact of temperature on pulsed-mode MOCVD hexagonal boron nitride on sapphire", SPIE Photonics West 2018, San Francisco, U.S.A., Oral (2018/1/29)

2017年

[1] M.Ogura, Y.Ando, S.Usami, K.Nagamatsu, M.Kushimoto, M.Deki,　A.Tanaka, S.Nitta, Y.Honda, M.Pristovsek, H.Kawai, S.Yagi, H.Amano", Development of Sustainable Smart Society by Transformative Electronics", 2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2017, San Francisco, U.S.A., Plenary Lecture, (2017/12/6)

[2] Ousmane I Barry, Kaddour Lekhal, Si-Young Bae, Ho-Jun Lee, Markus Pristovsek, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Growthand characterization of homoepitaxial m-plane GaNon native bulk GaNsubstrates: prospects of next-generation electronic devices", 8th International Conference and Exhibition on Lasers, Optics & Photonics (Optics2017), Las Vegas, U.S.A., Oral (2017/11/14-17)

[3] Si-Young Bae, Kaddour Lekhal, Yoann Robin, Ho-Jun Lee, Ousmane 1 Barry, Xu Yang, Yaqiang Liao, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Jung-Wook Min, Dong-Seon Lee, "Defect reduction of GaN nano rods on hetero-substrates: Behaviors of basal stracking faults", 8th International Conference and Exhibition on Lasers, Optics & Photonics (Optics2017), Las Vegas, U.S.A., Oral (2017/11/14-17)

[4] Kaddour Lekhal, Si-Young Bae, Ho-Jun Lee, Ousmane 1 Barry, Yagiang Liao, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Fabrication of nanowires-based devices grown with controlled orientation", 8th International Conference and Exhibition on Lasers, Optics & Photonics (Optics2017), Las Vegas, U.S.A., Oral (2017/11/14-17)

[5] S.Nitta, Z.Liu, S.Usami, Z.Ye, K.Nagamatsu, M.Kushimoto, M.Deki, A.Tanaka, Y.Honda, M.Pristovsek, and H.Amano, "In situ and ex situ optical characterization of nitride semiconductor crystal for advanced optical and power electronic devices", Optics 2017 / 8th International Conference and Exhibition on Lasers, Optics & Photonics, Las Vegas, Nevada, USA, Invited (2017/11/16)

[6] X.Yang, S.Nitta, K.Nagamatsu, M.Pristovsek, Y.Liu, Y.Honda, and H.Amano, "Growth and Structural Characterization of Hexagonal BoronNitr ide on Sapphire", International Workshop on UV Materials and Devices 2017（IWUMD2017), 九州大学医学部百年講堂, Oral (2017/11/16)

[7] Shigeyoshi Usami, Kazunobu Kojima, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Shigefusa Chichibu, Hiroshi Amano, "Evaluation of internal quantum efficiency of LED by photocurrent measurement", The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2017), Banff, Canada, Oral (2017/10/11)

[8] Maki Kushimoto, Takafumi Suzuki, Daiki Ito, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Semipolar InGaN Optical Devices on Patterned Si Substrates", The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2017), Banff, Canada, Oral (2017/10/10)

[9] M.Deki, K.Nagamatsu, A.Tanaka, M.Kushimoto, S.Nitta, Y.Honda, and H.Amano, "Crystal Plane Dependence of Interface States Density in c- and m-plane GaN MOS Capacitors", International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017, Nagoya, Japan, Oral (2017/09/30)

[10] S.Usami, Z.Ye, X.Yang, K.Nagamatsu, M.Kushimoto, M.Deki, A.Tanaka, S.Nitta, Y.Honda, M.Pristovsek, H.Amano", Blue LEDs and Transformative Electronics for Establishing Sustainable Smart Society", International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS2017), Nagoya, Japan, Plenary Lecture, (2017/9/29)

[11] Yoshio Honda, Atsushi Tanaka, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Shugo Nitta, and Hiroshi Amano, "Dislocation observation of GaN/GaN homo epitaxial growth film by Multi-photon absorption photoluminescence", Semiconnano 2017, Como, Italy, Invited (2017/9/26)

[12] M.Deki, Y.Ando, K.Nagamatsu, A.Tanaka, M.Kushimoto, S.Nitta, Y.Honda, and H.Amano, "Deep Levels in Homoepitaxial m-plane GaN Schottky Barrier Diodes", 10th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors, Espoo, Finland, Oral (2017/09/18)

[13] H.Amano, Y.Robin, S.Y.Bae, K.Nagamatsu, M.Kushimoto, M.Deki, T.Nishitani, D.Sato, A.Tanaka, S.Nitta, Y.Honda, M.Pristovsek", Development of Sustainable Smart Society via Transformative Electronics", The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017), Kyoto, Japan, Nobel Laureate Lecture, (2017/8/28)

[14] H.Amano, "New era of LEDs", The 24th Congress of the International Comission for Optics (ICO-24), Tokyo, Japan, Plenary Lecture, (2017/8/21)

[15] K.Nagamatsu, Y.Ando, Z.Ye, O.I Barry, A.Tanaka, M.Deki, S.Nitta, Y.Honda, and H.Amano, "Reduction of impurities and realization of high breakdown voltage Schottky barrier diodes using homoepitaxial m-plane GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy in a quartz-free reactor", 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12), Strasbourg, France, Poster C 02.17 (2017/7/26)

[16] Ousmane I Barry, Si-Young Bae, Kaddour Lekhal, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "N2 carrier gas as an alternative to H2 for improved surface morphology and structural quality of MOVPE-grown m–plane (10-10) GaN", 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12), Strasbourg, France, Oral (2017/7/26)

[17] Atsushi Tanaka, Ousmane 1 Barry, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "m-plane GaN Schottky barrier diode fabricated with MOVPE layer on several off-angled GaN substrate", 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12), Strasbourg, France, Poster C.01.54 (2017/7/25)

[18] M.Deki, K.Sone, J.Matsushita, K.Nagamatsu, A.Tanaka, M.Kushimoto, S.Nitta, Y.Honda, and H.Amano, "Crystal Plane Dependence of Interface States Density in c- and m-plane GaN MOS Capacitors", 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12), Strasbourg, France, Oral C.4.6 (2017/07/25)

[19] Shigeyoshi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on free-standing GaN substrate", 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12), Strasbourg, France, Oral (2017/7/25)

[20] Koji Matsumoto, Toshiaki Ono, Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Shigeyoshi Usami, Maki Kushimoto, Satoshi Murakami, Hiroshi Amano, "Reduction of Dislocation in GaN on Silicon Substrate Using In-situ Etching", 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12), Strasbourg, France, Oral (2017/7/25)

[21] X.Yang, S.Nitta, K.Nagamatsu, M.Pristovsek, Y.H.Liu, Y.Honda, and H.Amano, "The surface evolution of hexagonal boron nitride on sapphire by pulsed-mode MOVPE", 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12), Strasbourg, France, Oral (2017/7/25)

[22] Zhibin Liu, Ryosuke Miyagoshi, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Morphological study of InGaN layer growth on GaN substrate by metalorganic vapor phase epitaxy", 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12), Strasbourg, France, Oral (2017/7/25)

[23] Hiroshi Amano, Tatsuya Hattori, Yoann Robin, Kaddour Lekhal, Si-Young Bae, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Yasuhisa Ushida, Geoffrey Avit, Agnès Trassoudaine", Growth of III-Nitride Nanorods for Future Optoelectronics Applications", 18th International Conference on Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN18), Wurzburg, Germany, Plenary Lecture, (2017/7/11)

[24] H.Amano, "Nitride-Based Future Electronics for Establishing a Sustainable Society", 9th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2017), Singapore, Plenary Lecture, (2017/6/20)

[25] H.Amano, "Lighting the Earth with LEDs", 9th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2017), Singapore, Nobel Laureate Public Lecture, (2017/6/19)

[26] Hojun Lee, Siyoung Bae, Kaddour Lekhal, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, "Optical characterization of semipolar InGaN/GaN MQWs grown on Si(001) substrate", 2017 MRS Spring Meeting & Exhibit (MRS2017), Phoenix, U.S.A., Oral (2017/4/17-21)

[27] Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, "Photocurrent and Photoluminescence measurements for InGaN Based LED", LEDIA’17 LDC'17 joint session., Yokohama, Japan, LED-LDC1-2, (2017/4/19)